【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术属于计算机存储
,特别是涉及一种用于电子仪器设备上的计算机存储器中闪速存储器(NAND FLASH MEMORY)的接口控制器。
技术介绍
闪速存储器(Flash Memory)是一类非易失性存储器NVM(Non-VolatileMemory)即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息;而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器,当供电电源关闭时片内信息随即丢失。Flash Memory集其它类非易失性存储器的特点与EPROM相比较,闪速存储器具有明显的优势——在系统电可擦除和可重复编程,而不需要特殊的高电压(某些第一代闪速存储器也要求高电压来完成擦除和/或编程操作);与EEPROM相比较,闪速存储器具有成本低、密度大的特点。其独特的性能使其广泛地运用于各个领域,包括嵌入式系统,如PC及外设、电信交换机、蜂窝电话、网络互联设备、仪器仪表和汽车器件,同时还包括新兴的语音、图像、数据存储类产品,如数字相机、数字录音机和个人数字助理(PDA)。FLASH MEMORY分为NOR FLASH及NAND FLASH两大类。NOR技术Flash Memory具有以下 ...
【技术保护点】
闪速存储器接口控制器是由可编程逻辑器件和电源电压转化芯片组成的,其特征在于采用可编程逻辑器件完成对闪速存储器的操作控制。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员:黄玉硕,李英志,
申请(专利权)人:长春星宇网络软件有限责任公司,
类型:发明
国别省市:82[中国|长春]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。