闪存存储器的改写控制系统及存储器改写控制方法技术方案

一种存储器改写控制系统，是一种对于可以在由多个区域构成的，能够以区域为单位清除数据的，具有存储起动引导数据的起动引导区域、存储被所述起动引导数据选择性地起动的引导数据的至少２个引导区域、和存储被所述起动引导数据或所述引导数据所起动的主数据的主存储区域的闪存存储器的存储器改写控制系统，其特征在于：包括 从所述引导区域分别存储的所述引导数据中，根据所述引导区域分别存储的引导数据更新判断数据，选择出应由所述起动引导数据起动的引导数据的引导数据判断部；和 除了存储有由所述引导数据判断部所选择的所述引导数据的引导区域，对存储在所述引导区域和／或所述主存储区域的数据进行改写的改写部。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储有作为电子设备的固体软件的存储有引导程序和主程序的闪存存储器的存储器改写控制系统、存储器改写控制方法、实施存储器改写控制方法的各步骤的程序及信息记录介质。在改写存储在引导区域中的数据(引导数据)时，由于软件的规则是禁止引导数据改写存储自身程序的区域，因此需要进行三次下载处理。图12为说明以往的改写处理的数据的迁移的说明图。在闪存存储器改写处理中，引导区域以外的闪存存储器的区域的改写处理通过存储在引导区域内的引导数据来实施，引导区域的改写处理通过新下载的引导改写数据来实施。根据引导数据，通过第1次的下载处理取得引导改写数据，清除主存储区域的数据(主数据)，并将取得的引导改写数据写入主存储区域(图12中的I)。接下来，根据引导改写数据，通过第2次的下载处理取得新的引导数据，清除引导区域的数据，并将取得的新的引导数据写入引导区域(图12中的II)。根据新的引导数据，通过第3次的下载处理取得新的主数据，清除主存储区域的引导改写数据，并将取得的新的主数据写入主存储区域(图12中的III)。这里，在没有必要更新主数据的情况下，通过第3次的下载处理取得旧的主数据(与通过I的处理被清除的主数据同样的数据)并写入主存储区域。如上述的那样，由于改写存储在闪存存储器的引导区域的数据(引导数据)的操作不实施三次的下载操作的话就没有结束，因而操作程序很烦琐，存在着容易发生操作错误的问题。而且，还存在着改写操作耗费时间很长的问题。本专利技术的闪存存储器的存储改写控制系统，是一种对于可以在由多个区域构成的，能够以区域为单位清除数据的，具有存储起动引导数据的起动引导区域、存储被所述起动引导数据选择性地起动的引导数据的至少2个引导区域、和存储被所述起动引导数据或所述引导数据所起动的主数据的主存储区域的闪存存储器的存储器改写控制系统，其特征在于包括从所述引导区域分别存储的所述引导数据中，根据所述引导区域分别存储的引导数据更新判断数据，选择出应由所述起动引导数据起动的引导数据的引导数据判断部；和除了存储有由所述引导数据判断部所选择的所述引导数据的引导区域，对存储在所述引导区域和/或所述主存储区域的数据进行改写的改写部。通过该结构，就可以简化闪存存储器的引导区域改写处理的操作顺序并缩短处理所需的时间。另外，所述改写部具有接收改写所述闪存存储器所存储的数据的更新数据的更新数据接收部；根据所述更新数据接收部接收到的所述更新数据，从所述引导区域及所述主存储区域当中选择应存储更新数据的区域的区域判断部；将所述更新数据接收部接收到的所述更新数据写入由所述区域判断部选择的所述区域的更新数据写入部；当所述区域判断部选择的所述区域为所述引导区域时，计算出所述引导数据更新判断数据并进行更新的更新判断数据算出部。还有，所述改写部具备有当应由通过所述引导数据判断部所判定的所述起动引导数据起动的引导数据被存储在第1引导区域时，能够对存储在除了所述起动引导区域及所述第1引导区域的区域内的数据进行改写的第1改写部；当应由通过所述引导数据判断部所判定的所述起动引导数据起动的引导数据被存储在第2引导区域时，能够对存储在除了所述起动引导区域及所述第2引导区域的区域内的数据进行改写的第2改写部。通过该结构，就可以避免引导区域的改写处理异常的控制装置不启动状态。还有，所述改写部判断更新数据是否为将具有规定的数据长的特定数据写入所述闪存存储器的规定地址的规定的更新数据，在所述更新数据为所述规定的更新数据的情况下，能够对所述起动引导区域进行改写。根据该结构，就可以在保护有可能产生电子设备不能启动状态的启动引导数据的同时，在有必要改写启动数据的情况下，通过将写入特定数据旨意的数据包含在更新数据中发送到规定的地址，就可以作为可改写启动引导区域的状态很容易地进行启动引导数据的改写。也就是说，既使在改写启动引导数据的情况下，也没有必要准备特别的改写程序等，就可以用和引导数据及主数据同样的操作顺序来进行改写。另外，所述改写部具有当应由通过所述引导数据判断部所判定的所述起动引导数据起动的引导数据被存储在第1引导区域时，能够对存储在除了所述第1引导区域的区域内的数据进行改写的第1改写部；当应由通过所述引导数据判断部所判定的所述起动引导数据起动的引导数据被存储在第2引导区域时，能够对存储在除了所述第2引导区域的区域内的数据进行改写的第2改写部。另外，所述引导数据更新判断数据包括引导更新次数、验证所述各个引导区域中所存储的所述引导数据的正当性的所述引导区域的检测总数，所述引导数据判定部选择出存储有表示至少改写了2个引导区域的所述引导数据的累计次数的引导区域。本专利技术作为存储改写控制方法来掌握也是适合的，既使在这一情况也可以达到同样的作用和效果。另外，本专利技术的存储改写控制方法可以作为通过电子设备的控制部实施的程序来进行提供，可以通过信息记录介质或互联网等网络提供该程序。作为信息记录介质，如可以采用小型磁盘、软盘、硬盘、光磁盘、镍银面盘、磁带、或半导体存储器。图2为表示闪存存储器的区域结构图。图3为与存储改写控制系统的存储改写处理有关的功能方框图。图4为表示改写两个W引导区域的W引导数据的顺序图。图5为表示引导处理顺序的流程图。图6为表示第1实施例的W引导处理的闪存存储器改写处理顺序的流程图。图7的(a)为表示实施第1实施例的W引导处理A的情况下的闪存存储器的改写范围的图，(b)为表示实施第1实施例的W引导处理B的情况下的闪存存储器的改写范围的图。图8的(a)为表示实施W引导处理A的情况下的W引导区域B的改写状态的说明图，(b)为表示实施W引导处理B的情况下的W引导区域A的改写状态的说明图。图9为表示对移动到启动引导改写模式的判断处理顺序的流程图。图10为表示第2实施例的W引导处理的闪存存储器改写处理顺序的流程图。图11的(a)为表示实施第2实施例的W引导处理A的情况下的闪存存储器的改写范围的图，(b)为表示实施第2实施例的W引导处理B的情况下的闪存存储器的改写范围的图。图12为说明以往的改写处理的数据的迁移图。具体实施例方式下面，参照附图说明本专利技术的一实施例。但以下说明的实施例只是为了说明，并不限制本专利技术的范围。因此，只要是业内人士，就可以采用将这些各要素或全部要素置换为与此相均等的实施例，而这些实施例也包含在本专利技术的范围内。图1为表示闪存存储器的存储改写控制系统的硬件结构图。存储改写控制系统100具有能够分别改写在作为可以一次清除的最小单位存储区域的每个区段中的数据的闪存存储器101、可读写的RAM102及存储改写控制系统100和对具有该存储改写控制系统100的电子设备实施控制的CPU103。闪存存储器101存储有实施电子设备的通常模式控制的主程序、字体数据等，存储有用于控制电子设备的启动处理、改写闪存存储器101中所存储的数据的引导程序。以下将存储有引导程序的一个或多个区段称为「引导区域」、将存储有主程序、字体数据等的一个或多个区域称为「主存储区域」。另外，将引导区域所存储的引导程序的数据称为「引导数据」、将主存储区域所存储的主程序、字体数据等的数据称为「主数据」。还有，在本说明书中称引导区域、主存储区域的情况，包含具有多个可一次清除的最小单位的区段。(第1实施例)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器改写控制系统，是一种对于可以在由多个区域构成的，能够以区域为单位清除数据的，具有存储起动引导数据的起动引导区域、存储被所述起动引导数据选择性地起动的引导数据的至少2个引导区域、和存储被所述起动引导数据或所述引导数据所起动的主数据的主存储区域的闪存存储器的存储器改写控制系统，其特征在于包括从所述引导区域分别存储的所述引导数据中，根据所述引导区域分别存储的引导数据更新判断数据，选择出应由所述起动引导数据起动的引导数据的引导数据判断部；和除了存储有由所述引导数据判断部所选择的所述引导数据的引导区域，对存储在所述引导区域和/或所述主存储区域的数据进行改写的改写部。2.根据权利要求1所述的存储器改写控制系统，其特征在于，所述改写部具有接收改写所述闪存存储器所存储的数据的更新数据的更新数据接收部；根据所述更新数据接收部接收到的所述更新数据，从所述引导区域及所述主存储区域当中选择应存储更新数据的区域的区域判断部；将所述更新数据接收部接收到的所述更新数据写入由所述区域判断部选择的所述区域的更新数据写入部；当所述区域判断部选择的所述区域为所述引导区域时，计算出所述引导数据更新判断数据并进行更新的更新判断数据算出部。3.根据权利要求1所述的存储器改写控制系统，其特征在于，所述改写部具备有当应由通过所述引导数据判断部所判定的所述起动引导数据起动的引导数据被存储在第1引导区域时，能够对存储在除了所述起动引导区域及所述第1引导区域的区域内的数据进行改写的第1改写部；当应由通过所述引导数据判断部所判定的所述起动引导数据起动的引导数据被存储在第2引导区域时，能够对存储在除了所述起动引导区域及所述第2引导区域的区域内的数据进行改写的第2改写部。4.根据权利要求1所述的存储器改写控制系统，其特征在于所述改写部判断更新数据是否为将具有规定的数据长的特定数据写入所述闪存存储器的规定地址的规定的更新数据，在所述更新数据为所述规定的更新数据的情况下，能够对所述起动引导区域进行改写。5.根据权利要求4所述的存储器改写控制系统，其特征在于所述改写部具有当应由通过所述引导数据判断部所判定的所述起动引导数据起动的引导数据被存储在第1引导区域时，能够对存储在除了所述第1引导区域的区域内的数据进行改写的第1改写部；当应由通过所述引导数据判断部所判定的所述起动引导数据起动的引导数据被存储在第2引导区域时，能够对存储在除了所述第2引导区域的区域内的数据进行改写的第2改写部。6.根据权利要求1所述的存储器改写控制系统，其特征在于所述引导数据更新判断数据包括引导更新次数、验证所述各个引导区域中所存储的所述引导数据的正当性的所述引导区域的检测总数，所述引导数据判定部选择出存储有表示至少改写了2个引导区域的所述引导数据的累计次数的引导区域。7.一种闪存存储器的存储器改写控制方法，是一种对于可以在由多个区域构成的，能够以区域为单位清除数据的，具有存储起动引导数据的起动引导区域、存储被所述起动引导数据选择...

【专利技术属性】
技术研发人员：高见沢雄史，广池豪，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：