嵌入多个共享非易失性存储器的控制器的系统技术方案

嵌入式存储卡系统包括ＣＰＵ、存储引导码和数据的非易失性存储器、控制非易失性存储器的从卡控制器、与从卡控制器通信的主卡控制器、以及控制易失性存储器的存储控制器。当从非易失性存储器中读取引导码时，ＣＰＵ控制存储控制器来直接从引导码引导系统。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非易失性存储器，更特别地，涉及嵌入多个共享非易失性存 储器的控制器的系统。
技术介绍
已经将高容量闪存卡嵌入到移动设备中。嵌入式闪存卡的一个示例被称 为moviNAND。 moviNAND是使用多媒体卡(固C )接口协议的嵌入式NAND闪存。 当在系统中嵌入mov i NAND时，处理器使用MMC接口协议存取嵌入式闪存。
技术实现思路
本专利技术的示例性实施例提供了可以使用moviNAND引导的系统。 本专利技术的示例性实施例还提供了在双核系统中使用非易失性存储器能够 存储或存取数据的设备。本专利技术的示例性实施例提供了系统，包括CPU;非易失性存储器，存储 引导码和数据；从卡控制器，控制非易失性存储器；卡主机控制器，与从卡 控制器通信；以及存储控制器，控制外部存储器。在引导操作中，存储控制 器在CPU的控制下直接存取非易失性存储器来读取引导码。在一些示例性实施例中，在正常操作中，存储控制器在CPU的控制下存 储外部存储器，卡主机控制器通过从卡控制器存取非易失性存储器。 在一些示例性实施例中，非易失性存储器包括NAND闪存。 在一些示例性实施例中，存储控制器使用NAND接口协议。 在一些示例性实施例中，从卡控制器使用MMC接口协议。 在本专利技术的一些示例性实施例中，系统包括CPU;非易失性存储器，存储引导码和数据；存储控制器，在CPU的控制下通过第一存取路径读入非易失性存储器的引导码；以及外部存储器，在CPU控制下通过第二存取路径由 存储控制器存取。在一些示例性实施例中，第一存取路径包括在存储控制器和非易失性存 储器之间连接的总线以及与总线连接的第 一传送门。在一些示例性实施例中，在引导操作中由CPU激活第一传送门。在一些示例性实施例中，第二存取路径包括在存储控制器与外部存储器 之间连接的总线以及与总线连接的第二传送门。在一些示例性实施例中，在正常操作中由CPU激活第二传送门。在一些示例性实施例中，系统进一步包括通过从卡控制器存取非易失性 存储器的主卡控制器。在本专利技术的一些示例性实施例中，系统包括第一CPU;第二CPU;非易 失性存储器，存储数据的；以及设备忙状态机器，选择第一CPU和第二CPU 之一来存取非易失性存储器。由设备忙状态机器选择的第一 CPU和第二 CPU 之一来存取非易失性存储器。在一些示例性实施例中，设备忙状态机器使用循环方法支持具有第一和 第二核的双核CPU。在一些示例性实施例中，设备忙状态机器支持使用主-从方法的具有第一 和第二核的双核CPU。在一些示例性实施例中，非易失性存储器包括NAND闪存。 附图说明从下面的示例性实施例的描述中，联系附图，本专利技术性构思的示例性实 施例的这些和/或其它方面和特点将变得更加明显和更容易理解，其中图1是根据本专利技术示例性实施例的嵌入式moviNAND系统的框图；以及 图2是根据本专利技术示例性实施例的用于在嵌入双核CPU的系统中存取一 个非易失性存储器的系统的框图。具体实施方式联系附图，将做出对本专利技术的示例性实施例的引用。图1是根据本专利技术的示例性实施例的嵌入moviNAND的系统100的框图。参照图1,系统100包括CPU核10、 moviNAND 20、和存储器30。CPU核10在系统100中执行处理操作。CPU核10包括CPU 3、主卡控制 器5、存储控制器7。 CPU 3是中央处理单元。主卡控制器5与moviNAND连 接，而存储控制器7与存储器30连接。moviNAND 20包括使用MMC接口协议的嵌入式NAND闪存。MoviNAND 20 包括从卡控制器21、 NAND闪存23、传送门25。从卡控制器21与主卡控制器 5连接。NAND闪存23是非易失性存储器。传送门25在CPU 3的控制下与总 线15连接或断开。存储器30可以包括动态随机存取存储器(DRAM)、静态随 机存取存储器(SRAM)等。本专利技术的示例性实施例进一步包括能够直接存取moviNAND中的闪存的 总线和控制它的控制信号。例如，存储控制器7通过总线15存取非易失性NAND闪存23。存储控制 器7通过总线17存取存储器30。在系统100的引导操作中，NAND闪存23在CPU 3的控制下通过传送门 25与存储控制器7连接。当系统100正常操作时，存储器30在CPU 3的控 制下通过传送门19与存储控制器7连接。系统100通过总线11存取moviNAND 20。因此，当在系统10 0中嵌入了 mov i NAND 2 0时，CPU 3直接存取在mov i NAND 20中的NAND闪存23来读引导或程序码，由此引导系统100。图2是用于在具有双核CPU的系统中存取非易失性存储器的系统的框图。 甚至在其中系统中嵌入双核CPU的情况下，也可以防止两个CPU核之间存取 一个存储器的冲突。参照图2，系统200包括第一CPU核110、第二CPU核120、存储设备130、 以及存储器140。第一CPU核110包括CPU 103、 DRAM控制器105和NAND控 制器107。第二CPU核包括CPU 113、 DRAM控制器115和NAND控制器117。 CPU 103和113是中央处理单元。DRAM控制器105和115控制第一和第二 CPU 核110和120之外的DRAM。 NAND控制器107和117控制存储设备130中的非 易失性存储器125。存储设备130包括设备忙状态机器123和非易失性存储器125。设备忙 状态机器123使用用于使用总线141的中断信号控制第一和第二CPU核110 和12 0。非易失性存储器125存储用于引导系统2 00的引导码和数据。存储器140包括具有双端口的DRAM。在包括双核CPU的系统200中，当 第一和第二CPU 103和113之一存取一个非易失性存储器125时，在设备忙 状态机器123的控制下由第一和第二CPU 103和113之一存取非易失性存储 器125。可以使用以顺序次序支持第 一和第二 CPU 103和113的循环方法 (round-robin)选择第一和第二 CPU 103和113之一。可选裤:地，可以使用 主-从方法，其中只要分别将第一和第二 CPU 103和113选择为主处理器和从 处理器，则第一 CPU 103作为主(master )执行，而第二CPU 113作为从(slave) 执行。在系统200中，当第一CPU 103要存取非易失性存储器125时，第一CPU 103请求设备忙状态机器123存取非易失性存储器125。设备忙状态机器123 响应第一CPU 103的请求来控制第一CPU 103存取非易失性存储器125。当第一和第二CPU 103和113要同时存取非易失性存储器125时，采用 循环方法的设备忙状态机器123顺序地响应第一和第二 CPU 103和113的请 求。当设备忙状态机器123控制使用主-从方法(master-slave method)控 制第一和第二CPU 103和113 (假设第一CPU 103是主处理器)时，设备忙 状态机器123响应第一和第二CPU 103和113的请求控制第一CPU 103先于 第二CPU 113存取非易失性存储器125。在嵌入使用画C接口协议的闪存的系统中，不使用醒C接口协议引导系 统。因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种嵌入式存储卡系统，包括：　　　　中央处理单元（ＣＰＵ）；　　　　非易失性存储器，存储引导码和数据；　　　　从卡控制器，控制该非易失性存储器；　　　　主卡控制器，与该从卡控制器通信；以及　　　　存储控制器，控制易失性存储器；　　　　其中当从非易失性存储器中读取引导码时，该ＣＰＵ控制该存储控制器来直接从引导码引导该系统。

【技术特征摘要】
KR 2006-9-19 90868/061.一种嵌入式存储卡系统，包括中央处理单元(CPU)；非易失性存储器，存储引导码和数据；从卡控制器，控制该非易失性存储器；主卡控制器，与该从卡控制器通信；以及存储控制器，控制易失性存储器；其中当从非易失性存储器中读取引导码时，该CPU控制该存储控制器来直接从引导码引导该系统。2. 权利要求1的系统，其中，在正常操作中，该存储控制器在该CPU的 控制下存取该易失性存储器，而该主卡控制器通过该从卡控制器存取该非易 失性存储器的数据。3. 权利要求1的系统，其中该非易失性存储器包括闪存。4. 权利要求1的系统，其中该非易失性存储器包括NAND闪存。5. 权利要求1的系统，其中该存储控制器使用NAND接口协议。6. 权利要求1的系统，其中该从卡控制器使用多媒体卡(MMC )接口协议。7. 权利要求1的系统，其中该CPU、该非易失性存储器、该从卡控制器、 该主卡控制器、该存储控制器和该易失性存储器被嵌入至该存储卡中。8. —种嵌入式存储卡系统，包括 CP化非易失性存储器，存储引导码和数据；存储控制器，在该CPU的控制下，通过第一存取路径读该非易失性存储 器的引导码；以及易失性存储器，在该CPU的控制下，通过第二存取路径，由该存储控制 器存取。9. 权利要求8的系统，其中该第一存取路径包括在该存储控制器和该非 易失性存储器之间连接的总线以及与该总线连接的第 一传送门。10. 权利要求9的系统，其中在引导操作中由该CPU激活该第 一传送门。11. 权利要求8的系统，其中该第二存取路径包括在该存储控制器和该外 部存储器之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔成业，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]