【技术实现步骤摘要】
一种磷化铟半导体激光晶圆及磷化铟半导体激光芯片
本技术涉及光电子芯片领域，尤其涉及一种磷化铟半导体激光晶圆及磷化铟半导体激光芯片。
技术介绍
磷化铟激光芯片需要使用半导体本身解理面作为谐振腔，目前国际主流方法是在磷化铟裂口处制造机械外力，并通过此机械外力制造穿晶断裂效果，断裂面具有一定晶向被称为解理面。此解理面形成磷化铟激光芯片的谐振腔面，为增益光提供谐振放大以及选模的作用。所以解理面的好坏直接关系到磷化铟激光芯片的性能。在实际加工中，磷化铟激光芯片会被微米级别的二氧化硅电介质膜层和若干金属层包裹，导致磷化铟激光芯片整体应力发生极大变化，解理面上面会产生缺陷、晶界滑移等问题。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术对应的不足，提供一种磷化铟半导体激光晶圆及磷化铟半导体激光芯片，磷化铟激光芯片的解理效果会有较大改善，解理面的缺陷和晶界滑移都有所改善，大大提高了解理腔面的良率。本技术的目的是采用下述方案实现的：本技术公开了一种磷化铟半导体激光晶圆，包括二氧化硅电介质膜层、N型衬底以及生长在N型衬底上...
【技术保护点】
1.一种磷化铟半导体激光晶圆，其特征在于:包括二氧化硅电介质膜层、N型衬底以及生长在N型衬底上端面的外延结构，所述外延结构包括N型缓冲层、N型包层、N型波导层、量子阱层以及P型波导层、P型包层、第一P型限制层、第二P型限制层、P型帽层，所述N型缓冲层生长在N型衬底上，所述N型包层制作在N型缓冲层上，所述N型波导层制作在N型包层上，所述量子阱层制作在N型波导层上，所述P型波导层制作在量子阱层上，所述P型包层制作在P型波导层上，所述第一P型限制层制作在P型包层上，所述第二P型限制层制作在第一P型限制层上，所述P型帽层制作在第二P型限制层上，在外延结构的P型帽层上刻蚀形成双沟，双...
【技术特征摘要】
1.一种磷化铟半导体激光晶圆，其特征在于:包括二氧化硅电介质膜层、N型衬底以及生长在N型衬底上端面的外延结构，所述外延结构包括N型缓冲层、N型包层、N型波导层、量子阱层以及P型波导层、P型包层、第一P型限制层、第二P型限制层、P型帽层，所述N型缓冲层生长在N型衬底上，所述N型包层制作在N型缓冲层上，所述N型波导层制作在N型包层上，所述量子阱层制作在N型波导层上，所述P型波导层制作在量子阱层上，所述P型包层制作在P型波导层上，所述第一P型限制层制作在P型包层上，所述第二P型限制层制作在第一P型限制层上，所述P型帽层制作在第二P型限制层上，在外延结构的P型帽层上刻蚀形成双沟，双沟为两条互相平行的沟槽，在双沟之间形成脊型台面；所述二氧化硅电介质膜层覆盖在P型帽层的上表面以及双沟底部及双沟两侧侧面，所述脊型台面上的二氧化硅电介质膜层为断开的，裸露出P型帽层，该脊型台面的裸露区域接触到金属形成P面电极接触。
2.根据权利要求1所述的磷化铟半导体激光晶圆，其特征在于：所述衬底采用N型磷化铟半导体材料；N型缓冲层采用N型磷化铟半导体材料；N型包层采用N型铟铝砷三元半导体材料；N型波导层采用N型铟镓砷三元半导体材料；量子阱层采用铟镓铝砷四元半导体材料；P型波导层采用P...
【专利技术属性】
技术研发人员：李林，董北平，李鸿建，
申请(专利权)人：武汉云岭光电有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。