本发明涉及一种半导体激光器结构的制备方法，包括S1，生长一次外延结构；S2，在一次外延结构上二次外延制作光栅；S3，接着在光栅层上生长第一掩膜层，并制作脊波导，脊波导的中间脊宽大于两端脊宽；S4，再利用光刻保护脊波导的两端，腐蚀中间区域...

本实用新型公开了一种电平检测器、峰值检测电路及突发模式跨阻放大器，电平检测器包括放大器和滤波器，放大器具有两输入端和一输出端，放大器的第一输入端用于接收电压信号Vin，放大器的第二输入端用于接收第一参考电压信号Vref1，放大器的输出端...

本发明涉及激光器制备技术领域，提供了一种半导体激光器的制备方法，包括S1至S6等几个步骤。还提供一种半导体激光器，包括外延结构以及于所述外延结构上制作的微纳米结构，所述微纳米结构中集成有HR膜和AR膜，所述HR膜和所述AR膜均有多层，层...

本发明涉及半导体激光器制作技术领域，提供了一种半导体激光器制备方法，包括如下步骤：S1，制备待减薄的InP LD；S2，将InP LD倒装在玻璃基底上，使InP LD的N面朝上，P面朝下；S3，对InP LD进行减薄；S4，减薄完成后，...

本发明涉及一种脊波导半导体激光器制备方法，包括如下步骤：S1，在衬底上生长缓冲层，并于缓冲层上生长量子阱；S2，在量子阱的一相对侧分别对接生长第一InP层，第一InP层生长的高度与量子阱的高度一致；S3，继续在量子阱和第一InP层上依次...

本发明涉及激光器技术领域，提供了一种半导体激光器，包括衬底、于所述衬底上生长的有源层以及生长在所述有源层上的P型层，在所述P型层上集成有激光二极管以及用于加热所述激光二极管的加热二极管。提供一种半导体激光器的制备方法。还提供一种半导体激...

本发明涉及芯片老化技术领域，提供了一种边发射激光器芯片级老化测试系统，包括用于安置芯片的老化板以及供老化板安装的老化夹具，老化板有多个，各老化板叠层安装在老化夹具上；系统还包括用于驱使任一老化板靠近或远离其下方的老化板以完成定位的驱动机...

本发明涉及一种半导体激光器，包括衬底，衬底上依次外延生长有缓冲层、有源层以及InP层，还包括光栅层，光栅层的制作具体为于InP层向有源层的方向刻蚀形成光栅，并在经过刻蚀后的InP层上进行光栅掩埋得到光栅层；在进行光栅掩埋前通入惰性气体；...

本发明涉及一种自生成脊型波导的激光器制作方法，包括如下步骤：S1，生长外延结构，并于外延结构的正上方覆盖掩膜层；S2，刻蚀部分掩膜层至露出外延结构；S3，于掩膜层上生长第一InP层，外延结构上无掩膜层遮挡的区域的第一InP层的生长速率快...

本实用新型涉及一种边发射半导体激光器芯片测试系统，包括上料区、下料区、测试区以及取料机构，测试区包括多个测试载台，取料机构包括若干取料头以及用于驱使各取料头旋转的转轴，上料区、下料区以及各测试载台环绕转轴设置，上料区、下料区以及各测试载...

本发明及光通信激光器技术领域，提供了一种半导体激光器制备方法，包括如下步骤：S1，制作具有沟槽的特殊陪条；S2，采用所述特殊陪条的沟槽遮挡激光器的前后腔面出光区域；S3，待遮挡完毕后对前后腔面采用电子束金属蒸发或溅射工艺，使得前后腔面的...

本发明涉及一种边发射半导体激光器芯片测试系统，包括上料区、下料区、测试区以及取料机构，测试区包括多个测试载台，取料机构包括若干取料头以及用于驱使各取料头旋转的转轴，上料区、下料区以及各测试载台环绕转轴设置，上料区、下料区以及各测试载台环...

本发明涉及激光器技术领域，提供了一种半导体激光器，一种半导体激光器，包括衬底、在所述衬底上依次生长的生长结构以及于所述生长结构上形成的导电通道，所述导电通道为长条状的条体，所述条体至少一部分本体为于所述条体的两个侧边外扩形成的加宽部，两...

本发明涉及一种掩埋异质结方法，包括：S1，在外延层表面制作光栅层；S2，再于光栅层上生长InP盖层，以将光栅层表面的凹槽填平，得到平整的表面；S3，接着于InP盖层上生长牺牲层以及非晶态半导体材料层，以得到过渡结构；S4，继续在过渡结构...

本发明涉及光通信技术领域，提供了一种基于TO封装的光收发一体装置，包括TO管座、设于所述TO管座上的TO管帽以及沿轴向贯穿所述TO管座的基板，所述TO管座和所述TO管帽围合形成气密空间，所述基板部分位于所述气密空间内，所述基板和所述TO...

本发明涉及波导探测器技术领域，提供了一种波导探测器，包括衬底，于所述衬底上依次设有波导层和吸收层，所述波导层沿光传播的方向延伸；所述波导层的光入射端处设有用于将光聚集到所述波导层中的聚焦结构。还提供一种波导探测器的制备方法，包括如下步骤...

本发明涉及一种高速率半导体激光器及其封装结构和方法，该高速率半导体激光器封装结构包括半导体激光器和热沉，所述热沉上设有P型过渡电极，所述半导体激光器倒装在热沉上，半导体激光器的P型电极朝下，并通过焊料与热沉上对应的P型过渡电极焊接，热沉...

本实用新型公开了一种高速光电探测器TO封装结构，高速光电探测器TO封装结构，包括TO管座和TO管帽，TO管座与TO管帽固定连接，还包括基板、探测器光芯片、放大器电芯片，所述基板固定在TO管座的上端面上，所述TO管座上设有用于供电和电信号...

本实用新型涉及一种边发射型半导体激光器芯片测试系统，包括上料载台以及可调测试温度的测试载台，上料载台和测试载台均有多个，每一上料载台配设多个测试载台，且每一上料载台和与其对应的各测试载台位于同一条测试线上，在同一条测试线上上料载台和各测...

本发明涉及一种光通信半导体激光器及其含铝量子阱有源层对接生长方法，该方法包括如下步骤：在衬底上生长无铝无源波导层完成第一次外延；将一次外延片上预设的第一含铝量子阱有源层区域的无铝无源波导层去除，进行第二次外延，生长第一含铝量子阱有源层；...