半导体晶圆封装膜制造技术

本实用新型专利技术公开了半导体晶圆封装膜为多层结构，依次包括离型层、高分子复合物层、抗静电UV粘合层、TPU胶层；高分子复合物层预切有与晶圆匹配的切割道；高分子复合物层形成于离型层之可剥离面上且完全或部分嵌入抗静电UV粘合层内，且高分子复合物层不接触TPU胶层。本实用新型专利技术封装膜集成了封装胶带和切割胶带的功能，通过将TPU胶层和抗静电UV粘合层结合，可避免切割时芯片易崩角和飞片的问题。并且TPU的高透光性有利于抗静电UV粘合层的固化，固化后的抗静电UV粘合层可轻松的从高分子复合物层上剥离，极大简化了半导体晶圆的封装和切割工序，显著提高了作业效率。

Semiconductor wafer packaging film

【技术实现步骤摘要】
半导体晶圆封装膜
本技术属于半导体晶圆的封装、切割工艺领域，尤其涉及半导体晶圆封装膜、其制备方法以及使用其制备半导体芯片的方法。
技术介绍
半导体芯片是通过对半导体晶圆切割得到，为保护电子组件，切割前需对半导体晶圆进行封装。同时，还需要使用切割胶带粘住晶圆，以避免切割过程中晶圆和芯片发生位移、脱落或飞散。目前惯用的晶圆封装和切割工艺较为繁琐，惯用工艺为：对晶圆的电路形成面进行封装，将切割胶带粘贴至晶圆背面；随后，从晶圆的电路形成面将晶圆切割分成为单个芯片。除了工艺繁琐，目前常用的切割胶带还普遍存在透光性差且容易导致芯片崩角和飞片的问题。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种同时具有封装和切割胶带功能的半导体晶圆封装膜，该半导体晶圆封装膜可以简化晶圆的封装和切割工艺，且可避免切割过程中的芯片崩角和飞片。本技术提供的半导体晶圆封装膜为多层结构，依次包括离型层(100)、高分子复合物层(200)、抗静电UV粘合层(300)、TPU胶层(400)；高分子复合物层(200)预切有与晶圆匹配的切割道(500)；高分子复合物层(200本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体晶圆封装膜，所述封装膜为多层结构，其特征是：/n依次包括离型层（100）、高分子复合物层（200）、抗静电UV粘合层（300）、TPU胶层（400）；/n高分子复合物层（200）预切有与晶圆匹配的切割道（500）；/n高分子复合物层（200）形成于离型层（100）之可剥离面上且完全或部分嵌入抗静电UV粘合层（300）内，且高分子复合物层（200）不接触TPU胶层（400）。/n

【技术特征摘要】
1.半导体晶圆封装膜，所述封装膜为多层结构，其特征是：
依次包括离型层（100）、高分子复合物层（200）、抗静电UV粘合层（300）、TPU胶层（400）；
高分子复合物层（200）预切有与晶圆匹配的切割道（500）；
高分子复合物层（200）形成于离型层（100）之可剥离面上且完全或部分嵌入抗静电UV粘合层（300）内，且高分子复合物层（200）不接触TPU胶层（400）。
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【专利技术属性】
技术研发人员：伍得，廖述杭，吕志聪，王义，苏峻兴，
申请(专利权)人：湖北三选科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42