一种用于晶圆封装的组合物、包含组合物的扇出型封装结构及其制备方法技术

本申请公开了一种用于晶圆封装的组合物、包含组合物的扇出型封装结构及其制备方法，按照质量份数计算，所述组合物包括：75份至83份的第一球形二氧化硅，5.5份至11份的第一树脂，8.5份至13份的第一固化剂，0.1份至2份的第一稀释剂，以及0.05份至1.15份的第一促进剂，其中，第一球形二氧化硅的D50为3μm～6μm，第一树脂对可见光的透过率不低于35％，第一树脂选自环氧树脂，具有良好的透光性、低热膨胀系数和低吸水率的特性，能够应用于晶圆级封装工艺中填充相邻的两个凸电柱之间的间隙，能够提升切割后的晶圆键合至基底载板的精准度，有效地降低了产品的不良率，并且提升了导电柱的稳定性和可靠性。性和可靠性。性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于晶圆封装的组合物、包含组合物的扇出型封装结构及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体封装
，具体涉及一种用于晶圆封装的组合物、包含组合物的扇出型封装结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的快速发展，芯片不断朝着轻薄化、高性能、低功耗和多功能化的方向发展，从而对晶圆级封装技术的要求不断提升。近年来，芯片特征尺寸已接近物理极限，而先进封装技术成为延续摩尔定律的重要途径，一系列新型封装技术浮出水面，其中，扇出型晶圆级封装因具有低成本、高集成度等优点而成为最受欢迎的新型封装形式之一，在无线通讯、汽车电子、医疗电子、人工智能、军用电子等领域应用广泛，将为下一代紧凑型、高性能的电子设备提供坚实而有力的支持。
[0003]扇出型晶圆级封装技术是使用重布线层(Re
‑
distributed layer,RDL)将电路通过芯片单元的导电柱扇出至印制线路板(Printed Circuit Board,PCB)的金属焊盘，并且重布线层的部分区域超出(扇出)芯片边缘。扇出型晶圆级封装技术采取在芯片尺寸以外的区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆封装的组合物，其特征在于，按照质量份数计算，所述组合物包括：75份至83份的第一球形二氧化硅，5.5份至11份的第一树脂，8.5份至13份的第一固化剂，0.1份至2份的第一稀释剂，以及0.05份至1.15份的第一促进剂；其中，所述第一球形二氧化硅的D50为3μm～6μm，所述第一树脂对可见光的透过率不低于35％，所述第一树脂选自环氧树脂。2.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述第一树脂的黏度为0.9Pa.s～20Pa.s；和/或所述组合物的黏度为100Pa.s～200Pa.s。3.根据权利要求1或2所述的组合物，其特征在于，所述第一树脂选自双酚A型双缩水甘油醚、P
‑
(2,3
‑
环氧丙氧基)
‑
N,N
‑
二(2,3
‑
环氧丙基)苯胺以及双酚F型环氧树脂ZLF
‑
160U中的一种或多种；和/或所述第一固化剂选自酸酐固化剂；和/或所述第一稀释剂选自γ
‑
缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷以及碳12
‑
14烷基缩水甘油醚中的一种或多种；和/或所述第一促进剂选自潜伏性促进剂。4.根据权利要求3所述的组合物，其特征在于，所述第一固化剂选自甲基四氢邻苯二甲酸酐、甲基六氢邻苯二甲酸酐以及甲基纳迪克酸酐中的一种或多种；和/或所述潜伏性促进剂选自2,4,6
‑
三(二甲氨基甲基)苯酚。5.一种扇出型封装结构，其特征在于，包括：基底载板；多个间隔设置的芯片单元，设置于所述基底载板的一侧；第一封装部，设置于所述基底载板的一侧，并且封装所述芯片单元；以及重布线层，与所述芯片单元电连接；其中，每一所述芯片单元包括：裸晶；多个间隔设置的导电柱，设置于所述裸晶的一侧；以及第二封装部，位于所述裸晶设有所述导电柱的一侧，并且所述导电柱嵌入至所述第二封装部中，所述第二封装部的材料包含如权利要求1至4任一项中所述的组合物。6.根据权利要求5所述的扇出型封装结构，其特征在于，任意相邻的两个所述导电柱之间的间隙为8μm～10μm；和/或所述导电柱的高度为10μm～30μm。7.根据权利要求5所述的扇出型封装结构，其特征在于，按照质量份数计算，所述第一封装部的材料为树脂组合物，所述树脂组合物包括：86份至89份的第二球形二氧化硅，6份至7.6份的第二树脂，4.2份至6.3份的第二固化剂，0.3份至0...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍得，林若兰，廖述杭，苏峻兴，
申请(专利权)人：湖北三选科技有限公司，
类型：发明
国别省市：