半导体封装件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有有效表面和无效表面，在所述有效表面上设置有连接焊盘，所述无效表面与所述有效表面背对；第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分，并且具有朝向所述半导体芯片的所述无效表面凹入的一个或更多个凹入部；金属层，设置在所述第一包封剂上，并且填充所述凹入部中的每个的至少一部分；以及互连结构，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层。所述金属层的与所述第一包封剂接触的表面的表面粗糙度大于所述金属层的与所述第一包封剂间隔开的表面的表面粗糙度。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件本申请要求于2018年10月1日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0117122号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种半导体封装件，例如，具体涉及一种扇出型半导体封装件。
技术介绍
随着电子装置已被设计为具有减小的尺寸并实现高性能，电子产品中的组件之间的距离已经减小，并且运行速度已经增加。然而，组件之间的距离减小可能导致组件之间的电磁干扰(EMI)，这可能导致装置故障。因此，近来已经开发了屏蔽电磁波的技术。在智能电话的情况下，电磁波屏蔽技术仅应用于诸如通信芯片的一些芯片，但该技术已经越来越多地应用于应用处理器(AP)芯片、射频(RF)芯片等。已使用金属罐结构或者沉积法(诸如，溅射法)作为电磁波屏蔽技术。为了改善电性能或防止电子产品中的翘曲，已经使用具有改善的性能的材料(诸如，具有低介电损耗率和低热膨胀系数的材料)，并且这样的材料包括大量的内部陶瓷填料，并且材料的可蚀刻性相对差。因此，当通过溅射法等在这样的材料上形成EMI屏蔽层时，结合强度可能降低，结果，在热处理工艺(诸如，回流工艺)期间，EMI屏蔽层可能会由于包括在封装件中的蒸汽的体积膨胀而被提升。
技术实现思路
本公开的一方面是为了提供一种半导体封装件，该半导体封装件具有用于屏蔽电磁波以及改善的结合强度的金属层。另外，用于识别的标记图案可添加到该半导体封装件中。根据本公开的一方面，具有粗糙度形成在其上的表面并且具有锯齿图案的第一金属层可被转录(betranscribed)在包封剂上，第一金属层可被选择性地蚀刻，并且用于屏蔽电磁波的第二金属层可形成在包封剂上。根据本公开的一方面，一种半导体封装件包括：半导体芯片，具有有效表面和无效表面，在所述有效表面上设置有连接焊盘，所述无效表面与所述有效表面背对；第一包封剂，覆盖所述无效表面和所述半导体芯片的侧表面中的每个的至少一部分，并且具有朝向所述半导体芯片的所述无效表面凹入的一个或更多个凹入部；金属层，设置在所述第一包封剂上，并且填充所述凹入部中的每个的至少一部分；以及互连结构，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层。所述金属层的与所述第一包封剂接触的表面的表面粗糙度大于所述金属层的与所述第一包封剂间隔开的表面的表面粗糙度。附图说明通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图；图2是示出电子装置的示例的示意性透视图；图3A和图3B是示出扇入型半导体封装件在封装工艺之前和封装工艺之后的状态的示意性截面图；图4是示出扇入型半导体封装件的封装工艺的示意性截面图；图5是示出扇入型半导体封装件被安装在印刷电路板上并且被安装在电子装置的主板上的示例的示意性截面图；图6是示出扇入型半导体封装件被安装在印刷电路板上并且被安装在电子装置的主板上的示例的示意性截面图；图7是示出扇出型半导体封装件的示意性截面图；图8是示出扇出型半导体封装件被安装在电子装置的主板上的示例的示意性截面图；图9是示出半导体封装件的示例的示意性截面图；图10是示出沿线I-I′截取图9中示出的半导体封装件的示意性平面图；图11至图13是示出制造图9中示出的半导体封装件的工艺的示例的示意性截面图；图14是示出半导体封装件的另一示例的示意性截面图；图15是示出制造图14中示出的半导体封装件的工艺的示例的工艺图；图16是示出半导体封装件的另一示例的示意性截面图；图17是示出制造图16中示出的半导体封装件的工艺的示例的工艺图；以及图18是示出半导体封装件应用于电子装置的示例的效果的示意性平面图。具体实施方式在下文中，现将参照附图描述本公开的示例实施例。在附图中，为了描述清楚起见，可夸大或者简要说明元件的形状、尺寸等。电子装置图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图。参照图1，电子装置1000可将主板1010容纳在其中。主板1010可包括物理连接或者电连接到主板1010的芯片相关组件1020、网络相关组件1030、其他组件1040等。这些组件可通过各种信号线1090连接到以下将描述的其他组件。芯片相关组件1020可包括：存储器芯片，诸如易失性存储器(例如，动态随机存取存储器(DRAM))、非易失性存储器(例如，只读存储器(ROM))、闪存等；应用处理器芯片，诸如中央处理器(例如，中央处理单元(CPU))、图形处理器(例如，图形处理单元(GPU))、数字信号处理器、密码处理器、微处理器、微控制器等；以及逻辑芯片，诸如模拟数字转换器(ADC)、专用集成电路(ASIC)等。然而，芯片相关组件1020不限于此，而是还可包括其他类型的芯片相关组件。此外，芯片相关组件1020可彼此组合。网络相关组件1030可包括被指定为根据诸如以下协议操作的组件：无线保真(Wi-Fi)(电气和电子工程师协会(IEEE)802.11族等)、全球微波接入互操作性(WiMAX)(IEEE802.16族等)、IEEE802.20、长期演进(LTE)、演进数据最优化(Ev-DO)、高速分组接入+(HSPA+)、高速下行链路分组接入+(HSDPA+)、高速上行链路分组接入+(HSUPA+)、增强型数据GSM环境(EDGE)、全球移动通信系统(GSM)、全球定位系统(GPS)、通用分组无线业务(GPRS)、码分多址(CDMA)、时分多址(TDMA)、数字增强型无绳电信(DECT)、蓝牙、3G协议、4G协议和5G协议以及在上述协议之后指定的任意其他无线协议和有线协议。然而，网络相关组件1030不限于此，而是还可包括被指定为根据各种其他无线标准或协议或者有线标准或协议操作的组件。此外，网络相关组件1030可与上述芯片相关组件1020一起彼此组合。其他组件1040可包括高频电感器、铁氧体电感器、功率电感器、铁氧体磁珠、低温共烧陶瓷(LTCC)、电磁干扰(EMI)滤波器、多层陶瓷电容器(MLCC)等。然而，其他组件1040不限于此，而是还可包括用于各种其他目的的无源组件等。此外，其他组件1040可与上述芯片相关组件1020或网络相关组件1030一起彼此组合。根据电子装置1000的类型，电子装置1000可包括可物理连接或电连接到主板1010或者可不物理连接或电连接到主板1010的其他组件。这些其他组件可包括例如相机模块1050、天线1060、显示器1070、电池1080、音频编解码器(未示出)、视频编解码器(未示出)、功率放大器(未示出)、指南针(未示出)、加速度计(未示出)、陀螺仪(未示出)、扬声器(未示出)、大容量存储单元(例如，硬盘驱动器)(未示出)、光盘(CD)驱动器(未示出)、数字通用光盘(DVD)驱动器(未示出)等。然而，这些其他组件不限于此，而是也可根据电子装置1000本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，包括：/n半导体芯片，具有有效表面和无效表面，在所述有效表面上设置有连接焊盘，所述无效表面与所述有效表面背对；/n第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分，并且具有朝向所述半导体芯片的所述无效表面凹入的一个或更多个凹入部；/n金属层，设置在所述第一包封剂上，并且填充所述凹入部中的每个的至少一部分；以及/n互连结构，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层，/n其中，所述金属层的与所述第一包封剂接触的表面的表面粗糙度大于所述金属层的与所述第一包封剂间隔开的表面的表面粗糙度。/n

【技术特征摘要】
20181001 KR 10-2018-01171221.一种半导体封装件，包括：
半导体芯片，具有有效表面和无效表面，在所述有效表面上设置有连接焊盘，所述无效表面与所述有效表面背对；
第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分，并且具有朝向所述半导体芯片的所述无效表面凹入的一个或更多个凹入部；
金属层，设置在所述第一包封剂上，并且填充所述凹入部中的每个的至少一部分；以及
互连结构，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层，
其中，所述金属层的与所述第一包封剂接触的表面的表面粗糙度大于所述金属层的与所述第一包封剂间隔开的表面的表面粗糙度。


2.根据权利要求1所述的半导体封装件，
其中，所述金属层覆盖所述第一包封剂的上表面，
其中，所述金属层的与所述第一包封剂的所述上表面接触的表面的表面粗糙度大于所述金属层的与和所述第一包封剂的所述上表面接触的表面背对的表面的表面粗糙度。


3.根据权利要求2所述的半导体封装件，
其中，所述金属层覆盖所述第一包封剂的所述上表面和侧表面，并且
其中，所述金属层的与所述第一包封剂的所述上表面接触的表面的表面粗糙度大于所述金属层的与所述第一包封剂的所述侧表面接触的表面的表面粗糙度。


4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述凹入部中的至少一个包括用于识别的标记图案。


5.根据权利要求1所述的半导体封装件，
其中，所述金属层包括：第一金属层，填充所述凹入部中的每个的至少一部分；以及第二金属层，设置在所述第一金属层上，填充所述凹入部中的每个的至少其他部分，并且覆盖所述第一包封剂的上表面和侧表面，并且
其中，所述第一金属层和所述第二金属层之间的边界是明显的。


6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述第一金属层的与所述第一包封剂接触的表面的表面粗糙度大于所述第一金属层的与所述第二金属层接触的表面的表面粗糙度。


7.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑光玉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR