液晶显示装置、有机EL显示装置、半导体元件、布线膜、布线基板、靶材制造方法及图纸

提供一种能够通过一次的蚀刻进行图案化且针对树脂基板的附着力强的布线膜以及使用了该布线膜的半导体元件、显示装置。与树脂基板(30)接触的基底膜(21)是以规定比例含有作为主添加金属的铝和作为副添加金属的硅、钛或镍的铜薄膜，由于针对树脂的附着力强，因此布线膜(31、32)(栅极电极层32)不会自树脂基板(30)剥离。另外，基底膜(21)和低电阻膜(22)由于含有很多的铜，因此能够通过对铜进行蚀刻的蚀刻剂或蚀刻气体一同进行蚀刻，因此布线膜(31、32)能够通过一次的蚀刻进行图案化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】液晶显示装置、有机EL显示装置、半导体元件、布线膜、布线基板、靶材
本专利技术涉及在微小的半导体设备中使用的布线膜的
，特别是涉及与树脂接触的电极层的

技术介绍
在以往，FPD(平板显示器)的显示部分被形成在玻璃基板上，但是近年来寻求形成在膜或树脂基板等在表面露出有树脂的基板上的技术。FPD的布线膜通过溅射法被形成在玻璃基板上，但是在代替玻璃基板而形成在具有柔软性、弯曲性的树脂基板的情况下，由于低电阻的特性而作为布线膜使用的铜薄膜与树脂基板的密合性差，布线膜自树脂基板剥离，而容易产生不合格品。如果在铜薄膜与树脂基板之间设置钛薄膜、铬薄膜等的底涂布层来构成双层结构的布线膜，则布线膜与树脂基板之间的密合性提高，但是由于用于对底涂布层进行图案化的蚀刻剂或蚀刻气体与用于对布线膜进行图案化的蚀刻剂或蚀刻气体不同，因此难以在量产工序中采用钛薄膜、铬薄膜，从而寻求一种用于不增加工序而使铜薄膜与树脂基板之间的密合性提高的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：WO2014/185301号公报专利文献2：日本特开2004-91907号公报专利文献3：日本特开2004-342977号公报专利文献4：日本特开2006-193783号公报专利文献5：日本特开2016-211064号公报专利文献6：日本特开2012-211378号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于提供一种不易自树脂基板剥离且能够通过一种蚀刻剂或蚀刻气体来进行图案化的布线膜。用于解决问题的方案为了解决上述问题，本专利技术是一种液晶显示装置，具有树脂基板、半导体元件、液晶层以及偏振滤光片，通过所述半导体元件的导通与切断来使对所述液晶层施加的电压改变，对透过了所述液晶层的光的针对所述偏振滤光片的透过进行控制，在该液晶显示装置中，所述半导体元件具有：半导体层；与所述半导体层接触的栅极绝缘膜；栅极电极层，其以间隔所述栅极绝缘膜的方式与所述半导体层相向，并与所述栅极绝缘膜接触；以及第一电极层、第二电极层，该第一电极层、第二电极层与所述半导体层接触并进行电连接，通过对所述栅极电极层施加的电压来控制所述第一电极层与所述第二电极层之间的电气的导通与切断，其中所述半导体元件是所述栅极电极层、所述第一电极层以及所述第二电极层中的任意一个以上的电极层与同所述树脂基板接触的布线膜电连接的半导体元件，所述布线膜具有与所述树脂基板接触的基底膜和与所述基底膜接触且电阻率小于所述基底膜的低电阻膜，在构成所述基底膜的元素之中铜被以最大质量比的方式含有在所述基底膜中，在所述基底膜100wt%中，以1.0wt%以上且8.0wt%以下的范围含有作为主添加金属的铝，以1.0wt%以上且8.0wt%以下的范围含有作为副添加金属的硅，以1wt%以下的范围含有不可避免的杂质，在所述低电阻膜中，与所述基底膜相比铜的质量比更高。本专利技术是一种液晶显示装置，具有树脂基板、半导体元件、液晶层以及偏振滤光片，通过所述半导体元件的导通与切断来使对所述液晶层施加的电压改变，对透过了所述液晶层的光的针对所述偏振滤光片的透过进行控制，在该液晶显示装置中，所述半导体元件具有：半导体层；与所述半导体层接触的栅极绝缘膜；栅极电极层，其以间隔所述栅极绝缘膜的方式与所述半导体层相向，并与所述栅极绝缘膜接触；以及第一电极层、第二电极层，该第一电极层、第二电极层与所述半导体层接触并进行电连接，通过对所述栅极电极层施加的电压来控制所述第一电极层与所述第二电极层之间的电气的导通与切断，其中所述半导体元件是所述栅极电极层、所述第一电极层以及所述第二电极层中的任意一个以上的电极层与同所述树脂基板接触的布线膜电连接的半导体元件，所述布线膜具有与所述树脂基板接触的基底膜和与所述基底膜接触且电阻率小于所述基底膜的低电阻膜，在构成所述基底膜的元素之中铜被以最大质量比的方式含有在所述基底膜中，在所述基底膜100wt%中，以1.0wt%以上且8.0wt%以下的范围含有作为主添加金属的铝，以1.0wt%以上且4.0wt%以下的范围含有作为副添加金属的钛，以1wt%以下的范围含有不可避免的杂质，在所述低电阻膜中，与所述基底膜相比铜的质量比更高。本专利技术还是一种液晶显示装置，具有树脂基板、半导体元件、液晶层以及偏振滤光片，通过所述半导体元件的导通与切断来使对所述液晶层施加的电压改变，对透过了所述液晶层的光的针对所述偏振滤光片的透过进行控制，在该液晶显示装置中，所述半导体元件具有：半导体层；与所述半导体层接触的栅极绝缘膜；栅极电极层，其以间隔所述栅极绝缘膜的方式与所述半导体层相向，并与所述栅极绝缘膜接触；以及第一电极层、第二电极层，该第一电极层、第二电极层与所述半导体层接触并进行电连接，通过对所述栅极电极层施加的电压来控制所述第一电极层与所述第二电极层之间的电气的导通与切断，其中所述半导体元件是所述栅极电极层、所述第一电极层以及所述第二电极层中的任意一个以上的电极层与同所述树脂基板接触的布线膜电连接的半导体元件，所述布线膜具有与所述树脂基板接触的基底膜和与所述基底膜接触且电阻率小于所述基底膜的低电阻膜，在构成所述基底膜的元素之中铜和副添加金属中的某一方被以最大质量比的方式含有在所述基底膜中，在所述基底膜100wt%中，以1.0wt%以上且8.0wt%以下的范围含有作为主添加金属的铝，以10wt%以上且50wt%以下的范围含有作为所述副添加金属的镍，以1wt%以下的范围含有不可避免的杂质，在所述低电阻膜中，与所述基底膜相比铜的质量比更高。本专利技术是一种液晶显示装置，具有玻璃基板、半导体元件、液晶层以及偏振滤光片，通过所述半导体元件的导通与切断来使对所述液晶层施加的电压改变，对透过了所述液晶层的光的针对所述偏振滤光片的透过进行控制，在该液晶显示装置中，所述半导体元件具有：半导体层；与所述半导体层接触的栅极绝缘膜；栅极电极层，其以间隔所述栅极绝缘膜的方式与所述半导体层相向，并与所述栅极绝缘膜接触；以及第一电极层、第二电极层，该第一电极层、第二电极层与所述半导体层接触并进行电连接，通过对所述栅极电极层施加的电压来控制所述第一电极层与所述第二电极层之间的电气的导通与切断，其中所述半导体元件是所述栅极电极层、所述第一电极层以及所述第二电极层中的任意一个以上的电极层与同所述玻璃基板接触的布线膜电连接的半导体元件，所述布线膜具有与所述玻璃基板接触的基底膜和与所述基底膜接触且电阻率小于所述基底膜的低电阻膜，在构成所述基底膜的元素之中铜被以最大质量比的方式含有在所述基底膜中，在所述基底膜100wt%中，以0.5wt%以上且8.0wt%以下的范围含有作为主添加金属的铝，以0.5wt%以上且8.0wt%以下的范围含有作为副添加金属的硅，以1wt%以下的范围含有不可避免的杂质，在所述低电阻膜中，与所述基底膜相比铜的质量比更高。本专利技术是一种有机EL显示装置，具有树脂基板、半导体元件以及有机EL层，通过对所述半导体元件进行控制来使对所述有机EL层施加的电压改变，对流过所述有机EL层的电流的大小进行控制，在该有机EL显示装置中，所述半导体元件具有：半导体层；与所述半导体层接触的栅极绝缘膜；栅极电极层，其以间隔所述栅极绝缘膜的方式与所述半导体层相向，并与所述栅极绝缘膜接触本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶显示装置，具有树脂基板、半导体元件、液晶层以及偏振滤光片，通过所述半导体元件的导通与切断来使对所述液晶层施加的电压改变，对透过了所述液晶层的光的针对所述偏振滤光片的透过进行控制，在该液晶显示装置中，所述半导体元件具有：半导体层；与所述半导体层接触的栅极绝缘膜；栅极电极层，其以间隔所述栅极绝缘膜的方式与所述半导体层相向，并与所述栅极绝缘膜接触；以及第一电极层、第二电极层，该第一电极层、第二电极层与所述半导体层接触并进行电连接，其中，通过对所述栅极电极层施加的电压来控制所述第一电极层与所述第二电极层之间的电气的导通与切断，所述半导体元件是所述栅极电极层、所述第一电极层以及所述第二电极层中的任意一个以上的电极层与同所述树脂基板接触的布线膜电连接的半导体元件，所述布线膜具有与所述树脂基板接触的基底膜和与所述基底膜接触且电阻率小于所述基底膜的低电阻膜，在构成所述基底膜的元素之中铜被以最大质量比的方式含有在所述基底膜中，在所述基底膜100wt%中，以1.0wt%以上且8.0wt%以下的范围含有作为主添加金属的铝，以1.0wt%以上且8.0wt%以下的范围含有作为副添加金属的硅，以1wt%以下的范围含有不可避免的杂质，在所述低电阻膜中，与所述基底膜相比铜的质量比更高。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.04.13 JP 2017-0799911.一种液晶显示装置，具有树脂基板、半导体元件、液晶层以及偏振滤光片，通过所述半导体元件的导通与切断来使对所述液晶层施加的电压改变，对透过了所述液晶层的光的针对所述偏振滤光片的透过进行控制，在该液晶显示装置中，所述半导体元件具有：半导体层；与所述半导体层接触的栅极绝缘膜；栅极电极层，其以间隔所述栅极绝缘膜的方式与所述半导体层相向，并与所述栅极绝缘膜接触；以及第一电极层、第二电极层，该第一电极层、第二电极层与所述半导体层接触并进行电连接，其中，通过对所述栅极电极层施加的电压来控制所述第一电极层与所述第二电极层之间的电气的导通与切断，所述半导体元件是所述栅极电极层、所述第一电极层以及所述第二电极层中的任意一个以上的电极层与同所述树脂基板接触的布线膜电连接的半导体元件，所述布线膜具有与所述树脂基板接触的基底膜和与所述基底膜接触且电阻率小于所述基底膜的低电阻膜，在构成所述基底膜的元素之中铜被以最大质量比的方式含有在所述基底膜中，在所述基底膜100wt%中，以1.0wt%以上且8.0wt%以下的范围含有作为主添加金属的铝，以1.0wt%以上且8.0wt%以下的范围含有作为副添加金属的硅，以1wt%以下的范围含有不可避免的杂质，在所述低电阻膜中，与所述基底膜相比铜的质量比更高。2.一种液晶显示装置，具有树脂基板、半导体元件、液晶层以及偏振滤光片，通过所述半导体元件的导通与切断来使对所述液晶层施加的电压改变，对透过了所述液晶层的光的针对所述偏振滤光片的透过进行控制，在该液晶显示装置中，所述半导体元件具有：半导体层；与所述半导体层接触的栅极绝缘膜；栅极电极层，其以间隔所述栅极绝缘膜的方式与所述半导体层相向，并与所述栅极绝缘膜接触；以及第一电极层、第二电极层，该第一电极层、第二电极层与所述半导体层接触并进行电连接，其中，通过对所述栅极电极层施加的电压来控制所述第一电极层与所述第二电极层之间的电气的导通与切断，所述半导体元件是所述栅极电极层、所述第一电极层以及所述第二电极层中的任意一个以上的电极层与同所述树脂基板接触的布线膜电连接的半导体元件，所述布线膜具有与所述树脂基板接触的基底膜和与所述基底膜接触且电阻率小于所述基底膜的低电阻膜，在构成所述基底膜的元素之中铜被以最大质量比的方式含有在所述基底膜中，在所述基底膜100wt%中，以1.0wt%以上且8.0wt%以下的范围含有作为主添加金属的铝，以1.0wt%以上且4.0wt%以下的范围含有作为副添加金属的钛，以1wt%以下的范围含有不可避免的杂质，在所述低电阻膜中，与所述基底膜相比铜的质量比更高。3.一种液晶显示装置，具有树脂基板、半导体元件、液晶层以及偏振滤光片，通过所述半导体元件的导通与切断来使对所述液晶层施加的电压改变，对透过了所述液晶层的光的针对所述偏振滤光片的透过进行控制，在该液晶显示装置中，所述半导体元件具有：半导体层；与所述半导体层接触的栅极绝缘膜；栅极电极层，其以间隔所述栅极绝缘膜的方式与所述半导体层相向，并与所述栅极绝缘膜接触；以及第一电极层、第二电极层，该第一电极层、第二电极层与所述半导体层接触并进行电连接，其中，通过对所述栅极电极层施加的电压来控制所述第一电极层与所述第二电极层之间的电气的导通与切断，所述半导体元件是所述栅极电极层、所述第一电极层以及所述第二电极层中的任意一个以上的电极层与同所述树脂基板接触的布线膜电连接的半导体元件，所述布线膜具有与所述树脂基板接触的基底膜和与所述基底膜接触且电阻率小于所述基底膜的低电阻膜，在构成所述基底膜的元素之中铜和副添加金属中的某一方被以最大质量比的方式含有在所述基底膜中，在所述基底膜100wt%中，以1.0wt%以上且8.0wt%以下的范围含有作为主添加金属的铝，以10wt%以上且50wt%以下的范围含有作为所述副添加金属的镍，以1wt%以下的范围含有不可避免的杂质，在所述低电阻膜中，与所述基底膜相比铜的质量比更高。4.一种液晶显示装置，具有玻璃基板、半导体元件、液晶层以及偏振滤光片，通过所述半导体元件的导通与切断来使对所述液晶层施加的电压改变，对透过了所述液晶层的光的针对所述偏振滤光片的透过进行控制，在该液晶显示装置中，所述半导体元件具有：半导体层；与所述半导体层接触的栅极绝缘膜；栅极电极层，其以间隔所述栅极绝缘膜的方式与所述半导体层相向，并与所述栅极绝缘膜接触；以及第一电极层、第二电极层，该第一电极层、第二电极层与所述半导体层接触并进行电连接，其中，通过对所述栅极电极层施加的电压来控制所述第一电极层与所述第二电极层之间的电气的导通与切断，所述半导体元件是所述栅极电极层、所述第一电极层以及所述第二电极层中的任意一个以上的电极层与同所述玻璃基板接触的布线膜电连接的半导体元件，所述布线膜具有与所述玻璃基板接触的基底膜和与所述基底膜接触且电阻率小于所述基底膜的低电阻膜，在构成所述基底膜的元素之中铜被以最大质量比的方式含有在所述基底膜中，在所述基底膜100wt%中，以0.5wt%以上且8.0wt%以下的范围含有作为主添加金属的铝，以0.5wt%以上且8.0wt%以下的范围含有作为副添加金属的硅，以1wt%以下的范围含有不可避免的杂质，在所述低电阻膜中，与所述基底膜相比铜的质量比更高。5.一种有机EL显示装置，具有树脂基板、半导体元件以及有机EL层，通过对所述半导体元件进行控制来使对所述有机EL层施加的电压改变，对流过所述有机EL层的电流的大小进行控制，在该有机EL显示装置中，所述半导体元件具有：半导体层；与所述半导体层接触的栅极绝缘膜；栅极电极层，其以间隔所述栅极绝缘膜的方式与所述半导体层相向，并与所述栅极绝缘膜接触；以及第一电极层、第二电极层，该第一电极层、第二电极层与所述半导体层接触并进行电连接，其中，通过对所述栅极电极层施加的电压来控制所述第一电极层与所述第二电极层之间的电气的导通与切断，所述半导体元件是所述栅极电极层、所述第一电极层以及所述第二电极层中的任意一个以上的电极层与同所述树脂基板接触的布线膜电连接的半导体元件，所述布线膜具有与所述树脂基板接触的基底膜和与所述基底膜接触且电阻率小于所述基底膜的低电阻膜，在构成所述基底膜的元素之中铜被以最大质量比的方式含有在所述基底膜中，在所述基底膜100wt%中，以1.0wt%以上且8.0wt%以下的范围含有作为主添加金属的铝，以1.0wt%以上且8.0wt%以下的范围含有作为副添加金属的硅，以1wt%以下的范围含有不可避免的杂质，在所述低电阻膜中，与所述基底膜相比铜的质量比更高。6.一种有机EL显示装置，具有树脂基板、半导体元件以及有机EL层，通过对所述半导体元件进行控制来使对所述有机EL层施加的电压改变，对流过所述有机EL层的电流的大小进行控制，在该有机EL显示装置中，所述半导体元件具有：半导体层；与所述半导体层接触的栅极绝缘膜；栅极电极层，其以间隔所述栅极绝缘膜的方式与所述半导体层相向，并与所述栅极绝缘膜接触；以及第一电极层、第二电极层，该第一电极层、第二电极层与所述半导体层接触并进行电连接，其中，通过对所述栅极电极层施加的电压来控制所述第一电极层与所述第二电极层之间的电气的导通与切断，所述半导体元件是所述栅极电极层、所述第一电极层以及所述第二电极层中的任意一个以上的电极层与同所述树脂基板接触的布线膜电连接的半导体元件，所述布线膜具有与所述树脂基板接触的基底膜和与所述基底膜接触且电阻率小于所述基底膜的低电阻膜，在构成所述基底膜的元素之中铜被以最大质量比的方式含有在所述基底膜中，在所述基底膜100wt%中，以1.0wt%以上且8.0wt%以下的范围含有作为主添加金属的铝，以1.0wt%以上且4.0wt%以下的范围含有作为副添加金属的钛，以1wt%以下的范围含有不可避免的杂质，在所述低电阻膜中，与所述基底膜相比铜的质量比更高。7.一种有机EL显示装置，具有树脂基板、半导体元件以及有机EL层，通过对所述半导体元件进行控制来使对所述有机EL层施加的电压改变，对流过所述有机EL层的电流的大小进行控制，在该有机EL显示装置中，所述半导体元件具有：半导体层；与所述半导体层接触的栅极绝缘膜；栅极电极层，其以间隔所述栅极绝缘膜的方式与所述半导体层相向，并与所述栅极绝缘膜接触；以及第一电极层、第二电极层，该第一电极层、第二电极层与所述半导体层接触并进行电连接，其中，通过对所述栅极电极层施加的电压来控制所述第一电极层与所述第二电极层之间的电气的导通与切断，所述半导体元件是所述栅极电极层、所述第一电极层以及所述第二电极层中的任意一个以上的电极层与同所述树脂基板接触的布线膜电连接的半导体元件，所述布线膜具有与所述树脂基板接触的基底膜和与所述基底膜接触且电阻率小于所述基底膜的低电阻膜，在构成所述基底膜的元素之中铜和副添加金属中的某一方被以最大质量比的方式含有在所述基底膜中，在所述基底膜100wt%中，以1.0wt%以上且8.0wt%以下的范围含有作为主添加金属的铝，以10wt%以上且50wt%以下的范围含有作为所述副添加金属的镍，以1wt%以下的范围含有不可避免的杂质，在所述低电阻膜中，与所述基底膜相比铜的质量比更高。8.一种有机EL显示装置，具有玻璃基板、半导体元件以及有机EL层，通过对所述半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：高泽悟，中台保夫，新田纯一，石桥晓，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本,JP