晶圆处理装置制造方法及图纸

一种晶圆处理装置，包含反应腔体、晶圆承载台和喷淋板，其中反应腔体具有顶部与底部，反应腔体包含环型内壁与外壁，顶部、底部和环型内壁定义一反应腔室，环型内壁和外壁之间具有环型抽气通道，环型内壁具有复数个狭缝，每一狭缝具有复数个方向片段，复数方向片段定义一排气路径，排气路径的长度大于环型内壁的厚度；喷淋板与晶圆承载台相对并定义一反应区域。

【技术实现步骤摘要】
晶圆处理装置
本专利技术是有关于一种涉及半导体制程设备的晶圆处理装置，特别是涉及一种具有复数个狭缝的环型内壁的反应腔体的晶圆处理装置。
技术介绍
在半导体制程设备中，将晶圆以机械手臂送入反应腔体内后进行处理加工。进行晶圆处理加工时需要在真空压力下进行，反应腔体的环型内壁上具有孔洞，以将反应气体排出至排气区域使得反应腔体达到真空环境。为了将反应气体排出及屏蔽等离子体泄漏的情形，将等离子体反应区域和排气区域之间的泵送端口(pumpingport)的直径缩小，虽然可以获得相同的流动截面和屏蔽等离子体泄漏，但是变得容易有副产物堵塞在大量的小孔中。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术揭露为一种经过改良的晶圆处理装置。根据本专利技术揭露的一实施方式，一种晶圆处理装置，包含反应腔体、晶圆承载台和喷淋板，其中反应腔体具有顶部与底部，反应腔体包含环型内壁与外壁，顶部、底部和环型内壁定义一反应腔室，环型内壁和外壁之间具有环型抽气通道，环型内壁具有复数个狭缝，每一狭缝具有复数个方向片段，复数方向片段定义一排气路径，排气路径的长度大于环型内壁的厚度；喷淋板与晶圆承载台相对并定义一反应区域。在一实施例中，环型内壁包含上部组件和下部组件，上部组件与下部组件彼此耦合。在一实施例中，上部组件和下部组件其中之一具有复数个衔接部，以支撑上部组件并形成复数个狭缝。在一实施例中，复数个狭缝的每一者具有第一方向片段、第二方向片段和第三方向片段，第一方向片段和第二方向片段彼此连接且相互垂直，第二方向片段和第三方向片段彼此连接且相互垂直。在一实施例中，复数个狭缝的每一者具有第一方向片段、第二方向片段和第三方向片段，第一方向片段和第二方向片段彼此连接且两者之间具有小于90度之夹角，第二方向片段和第三方向片段彼此连接且两者之间具有小于90度之夹角。在一实施例中，环型内壁的狭缝具有内部开口和外部开口，且内部开口和外部开口高度皆为0.5mm至2.0mm。根据本专利技术揭露的另一实施方式，一种晶圆处理装置，包含反应腔体、晶圆承载台和喷淋板，其中反应腔体具有顶部与底部，反应腔体包含环型内壁与外壁，顶部、底部和环型内壁定义一反应腔室，环型内壁和外壁之间具有环型抽气通道，环型内壁具有复数个狭缝，每一狭缝具有靠近反应腔室的内部开口和靠近环型抽气通道的外部开口，且内部开口的高度小于外部开口高度，使内部开口和外部开口之间具有大于环型内壁厚度的排气路径；喷淋板与晶圆承载台相对并定义一反应区域。在另一实施例中，环型内壁包含上部组件和下部组件，上部组件与下部组件彼此耦合。在另一实施例中，上部组件和下部组件其中之一具有复数个衔接部，以支撑上部组件并形成复数个狭缝。在另一实施例中，内部开口的高度最小为0.5mm，外部开口高度最大为2.0mm。在本揭露的上述的实施例中，排气路径的长度大于环型内壁的厚度，以阻止等离子体泄漏，并且可以在将反应腔体内的气体抽至环形抽气通道时，更佳地抑制反应腔体的抽气速度和控制反应腔体的压力。对于相关领域一般技术者而言这些与其他的观点与实施例在参考后续详细描述与伴随图示之后将变得明确。附图说明图中所示之结构大小比例并不限制本专利技术的实际实施例。图1为一种根据本揭露一实施例之晶圆处理装置的侧视图；图2为图1之晶圆处理装置的反应腔体部分构件剖面放大图；图3为图2之一实施例之环型内壁的局部放大剖面图；图4为图2之另一实施例之环型内壁的局部放大剖面图；图5为图2之又一实施例之环型内壁的局部放大剖面图。其中，100晶圆处理装置D1方向D2方向D3方向10反应腔体D4方向101顶部D5方向102底部D6方向103环型内壁D7方向103a上部组件d1长度103b下部组件d2长度103c衔接部d3长度104外壁d4长度105反应区域d5长度106环型抽气通道d6长度20晶圆承载台d7长度30喷淋板h1高度h2高度h3高度h4高度h5高度h6高度T厚度θ夹角φ夹角具体实施方式本专利技术提供一种用于晶圆处理设备的晶圆处理装置。晶圆处理装置中的反应腔体提供了具有复数个狭缝的环型内壁，以阻止等离子体泄漏，与更佳地抑制反应腔体的抽气速度和控制反应腔体的压力。现在将参考本专利技术之伴随图式详细描述实施例。在该伴随图式中，相同及/或对应组件系以相同参考符号所表示。在此将揭露各种实施例；然而，要了解到所揭露之实施例只用于作为可体现为各种形式之例证。此外，连接各种实施例所给予之每一范例都预期作为例示，而非用于限制。进一步的，该图式并不一定符合尺寸比例，某些特征系被放大以显示特定组件之细节(且该图式中所示之任何尺寸、材料与类似细节都预期仅为例示而非限制)。因此，在此揭露之特定结构与功能细节并不被解释做为限制，而只是用于教导相关领域技术人员实作所揭露之实施例的基础。请参考图1及图2，显示本专利技术的一种晶圆处理装置100的侧视图。本专利技术晶圆处理装置100包含反应腔体10、晶圆承载台20和喷淋板30，其中反应腔体10具有顶部101与底部102，反应腔体10包含环型内壁103与外壁104，顶部101、底部102和环型内壁103定义一反应腔室，环型内壁103和外壁104之间具有环型抽气通道106，环型内壁103具有复数个狭缝107，每一狭缝107具有复数个方向片段，复数方向片段定义一排气路径，排气路径的长度大于环型内壁103的厚度T。晶圆承载台20与喷淋板30相对，并定义一反应区域105，且晶圆承载台20之上表面与喷淋板30之下表面平行。图2显示图1之晶圆处理装置100的反应腔体10部分构件剖面放大图。如图2(a)所示，反应腔体10的环型内壁103包含上部组件103a和下部组件103b，上部组件103a与下部组件103b彼此耦合。在一实施例中，下部组件103b具有复数个衔接部103c，以支撑上部组件103a，并且在复数个衔接部103c之间形成复数个狭缝107。在另一实施例中，如图2(b)所示，上部组件103a具有复数个衔接部103c，以支撑上部组件103a，并且在复数个衔接部103c之间形成复数个狭缝107。上部组件103a与下部组件103b可以固定，也可以上下运动。上部组件103a与下部组件103b可以采用气缸或电机进行上下运动，进而可以控制狭缝107相对于晶圆的位置，另外可以透过修改衔接部103c的尺寸来决定狭缝107高度。请参考图3，显示图2之一实施例之环型内壁103的局部放大剖面图。在本实施例中，每一狭缝107具有第一方向片段D1、第二方向片段D2和第三方向片段D3，第一方向片段D1和第二方向片D2段彼此连接且相互垂直(夹角θ为90度)，第二方向片段D2和第三方向片段D3彼此连接且相互垂直(夹角θ为90度)。在本实施例中，第一方向片段D1具有长度d1，第二方向片段D2具有长度d2，第三方向片段D3具有长度d3，长度d1、长度d2和长度d3的总和大于环型内壁103的厚度T。在本实施例中，每一狭缝107具有靠近反应腔室的内部开口和靠近环型抽气通道106的外部开口，内部开口之高度h1和外部开口之高度h2皆为0.5mm至2.0mm。请参考图4，显示图2之另一实施例之环型内壁103的局部放大剖面图。在另一实施例中，每一狭缝107具有第一方向片段D4、第二方向片段D5和第三方向片段D6，第一方向片段D4和第二方向片段D5彼本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包含：一反应腔体，具有一顶部与一底部，该反应腔体包含一环型内壁与一外壁，该顶部、该底部和该环型内壁定义一反应腔室，该环型内壁和该外壁之间具有一环型抽气通道，该环型内壁具有复数个狭缝，每一狭缝具有复数个方向片段，该等复数方向片段定义一排气路径，该排气路径的长度大于该环型内壁的厚度；一晶圆承载台；以及一喷淋板，与该晶圆承载台相对并定义一反应区域。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包含：一反应腔体，具有一顶部与一底部，该反应腔体包含一环型内壁与一外壁，该顶部、该底部和该环型内壁定义一反应腔室，该环型内壁和该外壁之间具有一环型抽气通道，该环型内壁具有复数个狭缝，每一狭缝具有复数个方向片段，该等复数方向片段定义一排气路径，该排气路径的长度大于该环型内壁的厚度；一晶圆承载台；以及一喷淋板，与该晶圆承载台相对并定义一反应区域。2.如权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，其中该环型内壁包含一上部组件和一下部组件，该上部组件与该下部组件彼此耦合。3.如权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，该上部组件和该下部组件其中之一具有复数个衔接部，以支撑该上部组件并形成该等复数个狭缝。4.如权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，其中该等复数个狭缝的每一者具有一第一方向片段、一第二方向片段和一第三方向片段，该第一方向片段和该第二方向片段彼此连接且相互垂直，该第二方向片段和该第三方向片段彼此连接且相互垂直。5.如权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，其中该等复数个狭缝的每一者具有一第一方向片段、一第二方向片段和一第三方向片段，该第一方向片段和该第二方向片段彼此连接且两者之间具有小于90度之...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晶，荒见淳一，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21