一种PECVD双面沉积设备制造技术

本发明专利技术公开了一种PECVD双面沉积设备，包括上料区、加热腔、工艺腔、降温区和下料区，所述上料区、加热腔、工艺腔、降温区和下料区依次连接；所述工艺腔设有上通气板和下通气板，以及与上通气板和下通气板连通的气源装置；所述上通气板和下通气板皆设有通气孔，上通气板和下通气板平行设置并在两板之间设有一条容纳硅片通行的通道；上通气板或下通气板所在平面与水平面所成夹角为1‑5度。采用本发明专利技术，可在硅片正反面同时沉积膜层，减少硅片的碎片率，提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种PECVD双面沉积设备
本专利技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种PECVD双面沉积设备。
技术介绍
在光伏太阳能行业，高效率PERC太阳能电池的制造要经过制绒，扩散，刻蚀，镀膜，丝网印刷，烧结和退火七大工序。其中，镀膜工序的目的是采用等离子增强化学气相沉积的方法在硅片背面镀氧化铝膜和氮化硅膜，以及在硅片正面镀氮化硅膜。目前，光伏行业大多采用管式PECVD或板式PECVD对硅片单面镀氮化硅膜，操作员工将花篮中的硅片插入专门的石墨舟或石墨框里，或者通过自动上下料机将硅片插入石墨舟或石墨框，然后将石墨舟或石墨框放入炉管中镀膜。正面和背面的氮化硅膜沉积需要两次镀膜，工艺较繁复，且多次的沉积操作容易造成硅片的划伤，提高碎片率，不利于降低产品的不良率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种PECVD双面沉积设备，可在硅片正反面同时沉积膜层，减少硅片的碎片率，提高生产效率。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种PECVD双面沉积设备，包括上料区、加热腔、工艺腔、降温区和下料区，所述上料区、加热腔、工艺腔、降温区和下料区依次连接；所述工艺腔设有上通气板和下通气板，以及与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种PECVD双面沉积设备，其特征在于，包括上料区、加热腔、工艺腔、降温区和下料区，所述上料区、加热腔、工艺腔、降温区和下料区依次连接；所述工艺腔设有上通气板和下通气板，以及与上通气板和下通气板连通的气源装置；所述上通气板和下通气板皆设有通气孔，上通气板和下通气板平行设置并在两板之间设有一条容纳硅片通行的通道；上通气板或下通气板所在平面与水平面所成夹角为1‑5度。

【技术特征摘要】
1.一种PECVD双面沉积设备，其特征在于，包括上料区、加热腔、工艺腔、降温区和下料区，所述上料区、加热腔、工艺腔、降温区和下料区依次连接；所述工艺腔设有上通气板和下通气板，以及与上通气板和下通气板连通的气源装置；所述上通气板和下通气板皆设有通气孔，上通气板和下通气板平行设置并在两板之间设有一条容纳硅片通行的通道；上通气板或下通气板所在平面与水平面所成夹角为1-5度。2.如权利要求1所述PECVD双面沉积设备，其特征在于，所述上通气板设有100-500个通气孔，通气孔的直径为1-10mm；所述下通气板设有100-500个通气孔，通气孔的直径为1-10mm。3.如权利要求1所述PECVD双面沉积设备，其特征在于，所述上通气板的通气孔以方阵形式排列，通气孔的间距为1-10mm；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：方结彬，何达能，陈刚，
申请(专利权)人：广东爱康太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44