半导体元件制造技术

半导体元件包含具有通道区域的半导体基板。栅极介电层位于半导体基板的通道区域上方。功函数金属层位于栅极介电层上方。功函数金属层具有底部、顶部和功函数材料。底部位于栅极介电层和顶部之间。底部具有第一浓度的功函数材料，顶部具有第二浓度的功函数材料，并且第一浓度高于第二浓度。栅极电极位于功函数金属层的顶部。

Semiconductor components

Semiconductor elements comprise a semiconductor substrate having a channel region. The gate dielectric layer is located above the channel area of the semiconductor substrate. The work function metal layer is located above the gate dielectric layer. The work function metal layer has bottom, top and work function material. The bottom part is between the gate dielectric layer and the top part. The work function material with the first concentration at the bottom and the second concentration at the top, and the first concentration is higher than the second concentration. The gate electrode is located at the top of the metal layer of the work function.

【技术实现步骤摘要】
半导体元件
本揭露有关于半导体元件及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit,IC)产业经历了指数式增长。集成电路中材料和设计的技术进步创造了许多集成电路世代，每一世代皆都具有比前几世代更小和更复杂的电路。在集成电路演变过程中，功能密度(即，每单位晶片面积上互连元件的数量)一般会增加，而几何尺寸(即，可使用制造制程产生的最小元件(或线))则会减小。这种相应缩小(scalingdown)过程通常透过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种相应缩小亦增加了集成电路加工和制造的复杂性，而为了实现这些进步，集成电路加工和制造中的其他发展是必须的。实现以更小特征尺寸的一个进步是使用诸如鳍式场效应晶体管(finfieldeffecttransistor,finFET)元件的多栅极元件。之所以称为鳍式场效应晶体管是因为在从基板延伸的“鳍”上和周围形成栅极。当在本揭露中使用此术语时，鳍式场效应晶体管元件是任何基于鳍的多栅极晶体管。鳍式场效应晶体管元件可以允许缩小元件的栅极宽度，同时在包括通道区域的鳍片的侧面及/或顶部上提供栅极。在一些集成电路设计中，随着技术节点缩本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：一半导体基板，具有一通道区域；一栅极介电层，位于该半导体基板的该通道区域上；一功函数金属层，位于该栅极介电层上，其中该功函数金属层具有一底部、一顶部和一功函数材料，该底部位于该栅极介电层和该顶部之间，该底部具有一第一浓度的该功函数材料，该顶部具有一第二浓度的该功函数材料，该第一浓度高于该第二浓度；以及一栅极电极，位于该功函数金属层的该顶部上。

【技术特征摘要】
2017.11.30 US 62/593,118;2018.07.10 US 16/031,8591.一种半导体元件，其特征在于，包含：一半导体基板，具有一通道区域；一栅极介电层，位于该半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：林秉顺，方子韦，林政明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71