A semiconductor element includes a substrate, a semiconductor fin, an isolation plug and an isolation structure. Semiconductor fins are above the substrate. The isolation plug is above the substrate and adjacent to the end of the semiconductor fin. The isolation structure is above the base plate and adjacent to the semiconductor fin and the side wall of the isolation plug. The top surface of the isolation structure is lower than the top surface of the isolation plug.
【技术实现步骤摘要】
半导体元件
本揭露是关于一种半导体结构。
技术介绍
为了追求较高元件密度、较高效能、及较低成本，半导体工业已经进展到纳米技术制程节点。在集成电路(IC)发展的过程中，功能密度(亦即，每晶片面积互连元件的数量)已增加，而几何大小(亦即，可以使用制造制程产生的最小组件(或线))已减小。此按比例缩小制程增加生产效率并降低相关成本。此按比例缩小亦已增加处理及制造IC的复杂度，并且，对于待实现的此等进展而言，期望IC制造的类似发展。例如，正在研究包括化合物半导体的新颖半导体材料以补充或替代习知硅基板。尽管此等替代半导体材料经常具有优异的电气特性，其等经常仅具有其自身的挑战集合。由此，到更准确材料的此种过渡是新的制造制程的驱动力之一。由此，尽管现有半导体制造制程已为足够的，但其等在所有方面尚未完全令人满意。
技术实现思路
一种半导体元件，包含基板、半导体鳍、隔离插塞，以及隔离结构。半导体鳍在基板上方。隔离插塞在基板上方并邻近半导体鳍的端部。隔离结构在基板上方并邻近半导体鳍及隔离插塞的侧壁，其中隔离结构的顶表面的位置低于该隔离插塞的顶表面。附图说明当结合随附附图阅读时，自以下详细描...
【技术保护点】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：一基板；一半导体鳍，在该基板上方；一隔离插塞，在该基板上方并邻近该半导体鳍的一端部；以及一隔离结构，在该基板上方并邻近该半导体鳍及该隔离插塞的侧壁，其中该隔离结构的一顶表面的一位置低于该隔离插塞的一顶表面。
【技术特征摘要】
2017.11.30 US 62/592,912;2018.08.02 US 16/053,5891.一种半导体元件，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：江国诚，蔡庆威，程冠伦，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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