鳍式场效晶体管装置结构制造方法及图纸

本公开实施例提供鳍式场效晶体管装置结构，其包含鳍结构形成于基底上，以及第一栅极结构形成于鳍结构上。鳍式场效晶体管装置结构还包含第一盖层形成于第一栅极结构上，以及第一蚀刻停止层位于第一盖层和第一栅极结构上。鳍式场效晶体管装置结构还包含第一源极/漏极接点结构形成于鳍结构上且相邻于第一栅极结构。在第一盖层正上方的第一蚀刻停止层的一部分高于在第一栅极间隔层正上方的第一蚀刻停止层的另一部分。

【技术实现步骤摘要】
鳍式场效晶体管装置结构
本公开实施例涉及集成电路制造，且特别涉及具有盖层的鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法。
技术介绍
半导体装置用于各种电子产品的应用上，像是个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。半导体装置通常通过依序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层的材料于半导体基底上，使用光刻技术将各种材料层图案化，以形成电路组件和元件在半导体基底上。许多集成电路通常是在单一半导体晶圆上制造，且通过沿着切割道在集成电路之间进行切割，将晶圆上各自独立的晶粒分开。举例而言，在多晶片模块中，或者在其他种类的封装中，这些各自独立的晶粒通常分开封装。随着半导体工业已经进展至纳米技术工艺节点，以追求更高的装置密度、更高的效能和更低的成本，来自制造和设计问题的挑战产生了三维设计的发展，像是鳍式场效晶体管(finfieldeffecttransistor，FinFET)。鳍式场效晶体管采用从基底延伸的薄且垂直的鳍(或鳍结构)来制造，鳍式场效晶体管的沟道形成在垂直的鳍中，并且提供栅极于鳍上。鳍式场效晶体管的优点可包含降低短沟道效应和提供更高的电流。虽然现存的鳍式场效晶体管装置和制造鳍式场效晶体管装置的方法通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种鳍式场效晶体管装置结构，包括：一鳍结构，形成于一基底上；一第一栅极结构，形成于该鳍结构上；一第一栅极间隔层，形成在相邻于该第一栅极结构；一第一盖层，形成于该第一栅极结构上；一第一蚀刻停止层，形成于该第一盖层和该第一栅极结构上；以及一第一源极/漏极接点结构，形成于该鳍结构上且相邻于该第一栅极结构，其中在该第一盖层正上方的该第一蚀刻停止层的一部分高于在该第一栅极间隔层正上方的该第一蚀刻停止层的另一部分。

【技术特征摘要】
2017.11.24 US 15/821,9701.一种鳍式场效晶体管装置结构，包括：一鳍结构，形成于一基底上；一第一栅极结构，形成于该鳍结构上；一第一栅极间隔层，形成在相邻于该第一栅极结构；一第一盖层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊翰，李振铭，杨复凯，王美匀，李志鸿，卢柏全，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71