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本公开实施例提供鳍式场效晶体管装置结构，其包含鳍结构形成于基底上，以及第一栅极结构形成于鳍结构上。鳍式场效晶体管装置结构还包含第一盖层形成于第一栅极结构上，以及第一蚀刻停止层位于第一盖层和第一栅极结构上。鳍式场效晶体管装置结构还包含第一源极...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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