半导体结构切割工艺和由此形成的结构制造技术

描述了切割鳍的方法和由此形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的第一鳍、位于衬底上的第二鳍以及设置在第一鳍和第二鳍之间的鳍切割填充结构。第一鳍和第二鳍纵向对准。鳍切割填充结构包括绝缘衬垫和位于绝缘衬垫上的填充材料。绝缘衬垫邻接第一鳍的第一侧壁和第二鳍的第二侧壁。绝缘衬垫包括带隙大于5eV的材料。本发明专利技术实施例涉及半导体结构切割工艺和由此形成的结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构切割工艺和由此形成的结构
本专利技术实施例涉及半导体结构切割工艺和由此形成的结构。
技术介绍
随着半导体工业在追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本的过程中进入纳米技术工艺节点，来自制造和设计问题的挑战已经引起了诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的三维设计的发展。FinFET器件通常包括具有高高宽比的半导体鳍，并且在该半导体鳍中形成沟道和源极/漏极区域。利用沟道的增大的表面积的优势，在鳍结构上方以及沿着鳍结构的侧面(例如，包裹)形成栅极，以产生更快、更可靠和更易控制的半导体晶体管器件。然而，随着按比例缩小，出现了新的挑战。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种半导体结构，包括：第一鳍，位于衬底上；第二鳍，位于所述衬底上，所述第一鳍和所述第二鳍纵向对准；以及鳍切割填充结构，设置在所述第一鳍和所述第二鳍之间，所述鳍切割填充结构包括：绝缘衬垫，邻接所述第一鳍的第一侧壁和所述第二鳍的第二侧壁，所述绝缘衬垫包括带隙大于5eV的材料；和填充材料，位于所述绝缘衬垫上。根据本专利技术的另一些实施例，还提供了一种半导体结构，包括：绝缘结构，横向设置在所述第一鳍和所述第二鳍之本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：第一鳍，位于衬底上；第二鳍，位于所述衬底上，所述第一鳍和所述第二鳍纵向对准；以及鳍切割填充结构，设置在所述第一鳍和所述第二鳍之间，所述鳍切割填充结构包括：绝缘衬垫，邻接所述第一鳍的第一侧壁和所述第二鳍的第二侧壁，所述绝缘衬垫包括带隙大于5eV的材料；和填充材料，位于所述绝缘衬垫上。

【技术特征摘要】
2017.11.28 US 62/591,647;2018.03.15 US 15/922,6561.一种半导体结构，包括：第一鳍，位于衬底上；第二鳍，位于所述衬底上，所述第一鳍和所述第二鳍纵向对准；以及鳍切割填充结构，设置在所述第一鳍和所述第二鳍之间，所述鳍切割填充结构包括：绝缘衬垫，邻接所述第一鳍的第一侧壁和所述第二鳍的第二侧壁，所述绝缘衬垫包括带隙大于5eV的材料；和填充材料，位于所述绝缘衬垫上。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述绝缘衬垫的材料选自由氧化硅(SiOx)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiOx)、氧化钽(TaOx)、氟化铝(AlF)、氟氧化铝(AlOFx)、硅酸锆(ZrSiOx)、硅酸铪(HfSiOx)、氧化铪(HfO2)、氧化锆(ZrO2)或它们的组合组成的组。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述填充材料是绝缘材料。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述填充材料是氮化硅。5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：相邻隔离区域，所述第一鳍和所述第二鳍从所述相邻隔离区域之间突出，所述鳍切割填充结构的底面位于所述相邻隔离区域的相应的顶面之下。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述鳍切割填充结构在所述鳍切割填充结构的顶面处具有宽度并且沿着...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄士文，林嘉慧，张智铭，陈哲明，郑凯鸿，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71