封装体结构及半导体器件的封装方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种封装体结构及半导体器件的封装方法。所述封装体结构包括：封装基板，适于承载半导体器件；塑封层，覆盖于所述封装基板表面并塑封所述半导体器件；调整层，适于覆盖所述塑封层背离所述封装基板的表面，且所述调整层与所述封装基板之间热膨胀系数的差值小于一阈值，以抑制所述封装体结构在沿垂直于所述封装基板的方向发生翘曲形变。本发明专利技术抑制了封装体结构的翘曲形变，提高了封装后半导体器件性能的稳定性，减少了客户端的质量隐患。

【技术实现步骤摘要】
封装体结构及半导体器件的封装方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种封装体结构及半导体器件的封装方法。
技术介绍
随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3DNOR(3D或非)闪存和3DNAND(3D与非)闪存。其中，3DNAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。封装是3DNAND存储器制造过程中的一个重要步骤。但是在目前的半导体器件封装过程中，在完成塑封之后，由于封装体内部不同的材料具有不同的热膨胀系数，使得封装后的半导体器件在不同的环境温度下，难以保持理想的平面状态，从而呈现向上或向下的弯曲形态。由于三维存储器硅芯片的体积较大，封装后的尺寸也相应扩大，弯曲现象更为突出，严重影响三维存储器的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装体结构，其特征在于，包括：封装基板，适于承载半导体器件；塑封层，覆盖于所述封装基板表面并塑封所述半导体器件；调整层，适于覆盖所述塑封层背离所述封装基板的表面，且所述调整层与所述封装基板之间热膨胀系数的差值小于一阈值，以抑制所述封装体结构在沿垂直于所述封装基板的方向发生翘曲形变。

【技术特征摘要】
1.一种封装体结构，其特征在于，包括：封装基板，适于承载半导体器件；塑封层，覆盖于所述封装基板表面并塑封所述半导体器件；调整层，适于覆盖所述塑封层背离所述封装基板的表面，且所述调整层与所述封装基板之间热膨胀系数的差值小于一阈值，以抑制所述封装体结构在沿垂直于所述封装基板的方向发生翘曲形变。2.根据权利要求1所述的封装体结构，其特征在于，所述阈值为2。3.根据权利要求2所述的封装体结构，其特征在于，所述封装基板的热膨胀系数为9～11，所述调整层的热膨胀系数为7～13。4.根据权利要求3所述的封装体结构，其特征在于，所述调整层的材料为铝或铜。5.根据权利要求3所述的封装体结构，其特征在于，所述封装基板的材料为绝缘材料。6.根据权利要求1所述的封装体结构，其特征在于，所述调整层的形状和尺寸均与所述封装基板相同。7.根据权利要求1所述的封装体结构，其特征在于，还包括：位于所述封装基板内的多层连接线；位于所述塑封层内且与所述半导体器件电连接的导电连接线；焊球，位于所述封装基板背离所述塑封层的表面，所述多层连接线的两端分别与所述导电连接线、所述焊球电连接。8.根据权利要求1所述的封装体结构，其特征在于，所述半导体器件为3DNAND存储器。9.根据权利要求1所述的封装体结构，其特征在于，所述塑封层的材料包括环氧树脂模塑料。10.一种半导体器件的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一封装基板，所述封装基板上承载有半导体器件；塑封...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹏，周厚德，张保华，周俊，徐震，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42