掩膜版制程槽清洗方法技术

本发明专利技术实施例提供一种掩膜版制程槽清洗方法，包括以下步骤：采用硝酸溶液清洗制程槽内壁，使附着于内壁上的沉淀物与硝酸溶液充分反应，清洗完成后清除制程槽内形成的第一清洗废液；采用洗洁精溶液清洗制程槽内壁，充分溶解内壁上的反应残留物，并在清洗完成后清除制程槽内形成的第二清洗废液；采用水清洗制程槽内壁，并在清洗完成后清除制程槽内形成的第三清洗废液。本发明专利技术实施例通过采用先硝酸溶液清洗，后洗洁精溶液清洗的方法，能彻底清洗掩膜版制程槽，操作简便，清洗成本低，极大程度的避免在用于生产掩膜版时掩膜版上形成黑缺陷，减少修正缺陷的压力，提高产品良率，延长制程槽的使用时间，节约成本。

Cleaning method of process trough for mask plate

The embodiment of the invention provides a cleaning method for the process trough of mask plate, which includes the following steps: cleaning the inner wall of the process trough with nitric acid solution, fully reacting the sediment adhering to the inner wall with nitric acid solution, cleaning the first cleaning waste liquid formed in the process trough after cleaning, cleaning the inner wall of the process trough with detergent solution, fully dissolving the reaction residue on the inner wall, and cleaning. The second cleaning waste liquid formed in the process trough is removed after washing, and the inner wall of the process trough is cleaned by water, and the third cleaning waste liquid formed in the process trough is cleared after cleaning. The embodiment of the invention can thoroughly clean the process trough of the mask plate by cleaning with nitric acid solution first and then with detergent solution. The operation is simple and the cleaning cost is low. The black defect on the mask plate is avoided to a great extent when the mask plate is used to produce the mask plate, the pressure of correcting the defect is reduced, the product yield is improved, the service time of the process trough is prolonged and the cost is saved.

【技术实现步骤摘要】
掩膜版制程槽清洗方法
本专利技术实施例涉及掩膜版
，特别是涉及一种掩膜版制程槽清洗方法。
技术介绍
干版制作过程中产品上的缺陷主要是白缺陷和黑缺陷，其中，黑缺陷主要是在湿制程环节中产生的，干版的湿制程主要是显影和定影两个环节，分别在显影槽和定影槽中的化学药液反应完成，干版的显影和定影反应过程中会产生一些难溶解的物质或者易变质的物质，例如：对苯醌、银和溴化银，这些物质经过一段时间的累积后会严重污染制程槽，在被污染的槽体中生产干版时，干版表层的明胶极易受到污染形成黑缺陷，黑缺陷对于干版而言危害非常大，轻则造成产品不良，重则造成报废。为了减少或避免干版黑缺陷的产生，提高干版产品品质和良率，必须对制程槽进行清洁，洗掉显影和定影环节中的药水残留或反应物残留，目前行业内的清洗方法通常是洗洁精清洗法、高锰酸钾清洗法或者是硝酸铈铵清洗法。传统的洗洁精清洗法，主要是利用表面活性剂的作用，使反应物残留在槽体上的粘附性降低，易于从槽体中冲洗掉，但由于其未能与残留物发生化学反应，使得清洗效果并不理想；另外，高锰酸钾或硝酸铈铵清洗法，此两种均是利用其强氧化性，和残留物发生化学反应，达到溶解清除的目的，然而两种方法还是有些不足。高锰酸钾在常温的水溶液中很难氧化银单质，并且其氧化反应都会有难溶物产生：3C6H6O2+4KMnO43C6H4O2+4MnO2+4KOH+H2O，硝酸铈铵同样也会和显影剂对苯二酚反应生成对苯醌沉淀，和银的反应在常温水溶液中也较难进行：C6H6O2C6H4O2，Ce(NH4)2(NO3)6+AgCe(NO3)3+AgNO3+2NH4NO3。因此，以上3种现有的清洗方法，都只能做浅层的清洗或部分的清洗，不能完全切底的清洗干净，致使槽体使用时间一长，残留物累积越多，显影槽体内会因对苯醌沉淀而变成棕红色，或定影槽体内会因银沉淀而变成灰黑色，在这样的槽体中生产干版，将会导致黑缺陷不断增多，最后也不得不更换掉槽体。
技术实现思路
本专利技术实施例要解决的技术问题在于，提供一种掩膜版制程槽清洗方法，能彻底清洗掩膜版制程槽，以避免在用于生产掩膜版时在掩膜版上形成黑缺陷。为解决上述技术问题，本专利技术实施例采用以下技术方案：一种掩膜版制程槽清洗方法，包括以下步骤：采用硝酸溶液清洗制程槽内壁，使附着于内壁上的沉淀物与硝酸溶液充分反应，清洗完成后清除制程槽内形成的第一清洗废液；采用洗洁精溶液清洗制程槽内壁，充分溶解内壁上的反应残留物，并在清洗完成后清除制程槽内形成的第二清洗废液；采用水清洗制程槽内壁，并在清洗完成后清除制程槽内形成的第三清洗废液。进一步地，所述硝酸溶液的浓度为20%~30%。进一步地，采用硝酸溶液清洗制程槽内壁时，利用无尘布或刷子擦洗制程槽内壁。进一步地，所述洗洁精溶液是由洗洁精加水稀释配制而成，其配制体积比为：每5ml洗洁精加4-7L水。进一步地，采用洗洁精溶液清洗制程槽内壁时，利用无尘布或刷子擦洗制程槽内壁。进一步地，所述采用水清洗制程槽内壁，并在清洗完成后清除制程槽内形成的第三清洗废液的步骤进行至少两次。进一步地，在清除制程槽内形成的第一清洗废液之后，先采用水清洗制程槽内壁并在清洗完成后清除所形成的第四清洗废液，然后再进行采用洗洁精溶液清洗制程槽内壁的步骤。进一步地，所述水为去离子水。进一步地，采用水清洗制程槽内壁时，利用无尘布或刷子擦洗制程槽内壁。进一步地，所述制程槽为显影槽或定影槽。采用上述技术方案，本专利技术实施例至少具有以下有益效果：本专利技术实施例通过采用先硝酸溶液清洗，后洗洁精溶液清洗的方法，能彻底清洗掩膜版制程槽，操作简便，清洗成本低，极大程度的避免在用于生产掩膜版时掩膜版上形成黑缺陷，减少修正缺陷的压力，提高产品良率，延长制程槽的使用时间，节约成本。附图说明图1是本专利技术掩膜版制程槽清洗方法的一个可选实施例的流程示意图。图2是本专利技术掩膜版制程槽清洗方法的另一个可选实施例的流程示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。应当理解，以下的示意性实施例及说明仅用来解释本专利技术，并不作为对本专利技术的限定，而且，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互结合。如图1所示，本专利技术一个可选实施例提供的一种掩膜版制程槽清洗方法，所述制程槽为显影槽或定影槽，所述清洗方法包括以下步骤：S1：采用硝酸溶液清洗制程槽内壁，使附着于内壁上的沉淀物与硝酸溶液充分反应，清洗完成后清除制程槽内形成的第一清洗废液；S3：采用洗洁精溶液清洗制程槽内壁，充分溶解内壁上的反应残留物，并在清洗完成后清除制程槽内形成的第二清洗废液；S5：采用水清洗制程槽内壁，并在清洗完成后清除制程槽内形成的第三清洗废液。在本实施例中通过采用先硝酸溶液清洗，后洗洁精溶液清洗的方法，能彻底清洗掩膜版制程槽，操作简便，清洗成本低，极大程度的避免在用于生产掩膜版时掩膜版上形成黑缺陷，减少修正缺陷的压力，提高产品良率，延长制程槽的使用时间，节约成本。在本专利技术另一个可选实施例中，所述硝酸溶液的浓度为20%~30%。本实施例通过使用浓度为20%~30%的硝酸溶液与沉淀物反应，生成易溶于水的物质，便于将内壁上的反应残留物清除，在硝酸的酸性条件下，制程槽中的对苯醌极易生成可溶于水的对苯二酚，C6H4O2+2H+C6H6O2，银溶解于稀硝酸中，生成硝酸银溶液，3Ag+4HNO33AgNO3+NO+2H2O。在本专利技术另一个可选实施例中，采用硝酸溶液清洗制程槽内壁时，利用无尘布或刷子擦洗制程槽内壁。本实施例通过无尘布或刷子擦洗制程槽内壁，可充分将附着在制程槽内壁上的反应残留物与制程槽内壁剥离，便于将反应残留物擦洗干净。在本专利技术另一个可选实施例中，所述洗洁精溶液是由洗洁精加水稀释配制而成，其配制体积比为：每5ml洗洁精加4-7L水。本实施例通过在每5ml洗洁精中加4-7L水配制成浓度合适的洗洁精溶液，可高效、充分地溶解内壁上的反应残留物，使反应物残留在槽体内壁上的粘附性降低，便于后续采用较少的清水即可清洗干净，节约水资源。在本专利技术又一个可选实施例中，采用洗洁精溶液清洗制程槽内壁时，利用无尘布或刷子擦洗制程槽内壁。本实施例通过洗洁精溶液清洗制程槽内壁时，利用无尘布或刷子擦洗制程槽内壁，更容易将制程槽内壁擦洗干净。在本专利技术又一个可选实施例中，所述采用水清洗制程槽内壁，并在清洗完成后清除制程槽内形成的第三清洗废液的步骤进行至少两次。本实施例通过将步骤S3进行至少两次，使用水清洗制程槽内残留的洗洁精溶液，彻底将掩膜版制程槽清洗干净。在本专利技术另一个可选实施例中，如图2所示，是在如图1所示的实施例基础之上，在步骤S1和步骤S3之间增加步骤S2：采用水清洗制程槽内壁并在清洗完成后清除所形成的第四清洗废液。本实施例通过步骤S1之后先采用水清洗制程槽内壁并在清洗完成后清除所形成的第四清洗废液，然后再进行步骤S3，可以将残留在制程槽内壁的第一清洗废液清除干净，防止残留的第一清洗废液影响后续步骤的清洗效果。在本专利技术再一个可选实施例中，所述水为去离子水。本实施例通过采用去离子水对制程槽进行清洗，防止水中的离子在清洗过程中对制程槽产生污染。在本专利技术再一个可选实施例中，采用水清洗制程槽内壁时，利用无尘布或刷子擦洗制程槽内壁。本实施例在水清洗制程槽内壁时，利用无尘布或刷子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜版制程槽清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：采用硝酸溶液清洗制程槽内壁，使附着于内壁上的沉淀物与硝酸溶液充分反应，清洗完成后清除制程槽内形成的第一清洗废液；采用洗洁精溶液清洗制程槽内壁，充分溶解内壁上的反应残留物，并在清洗完成后清除制程槽内形成的第二清洗废液；采用水清洗制程槽内壁，并在清洗完成后清除制程槽内形成的第三清洗废液。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版制程槽清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：采用硝酸溶液清洗制程槽内壁，使附着于内壁上的沉淀物与硝酸溶液充分反应，清洗完成后清除制程槽内形成的第一清洗废液；采用洗洁精溶液清洗制程槽内壁，充分溶解内壁上的反应残留物，并在清洗完成后清除制程槽内形成的第二清洗废液；采用水清洗制程槽内壁，并在清洗完成后清除制程槽内形成的第三清洗废液。2.如权利要求1所述的掩膜版制程槽清洗方法，其特征在于，所述硝酸溶液的浓度为20~30%。3.如权利要求1或2所述的掩膜版制程槽清洗方法，其特征在于，采用硝酸溶液清洗制程槽内壁时，利用无尘布或刷子擦洗制程槽内壁。4.如权利要求1所述的掩膜版制程槽清洗方法，其特征在于，所述洗洁精溶液是由洗洁精加水稀释配制而成，其配制体积比为：每5ml洗洁精加4-7L水。5.如权利要求1或4所述的掩膜版...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜武兵，林伟，吕振群，
申请(专利权)人：深圳市路维光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44