【技术实现步骤摘要】
一种功能型掩膜版及其制备工艺、应用
[0001]本专利技术涉及掩膜版制造
，具体涉及一种功能型掩膜版及其制备工艺
、
应用
。
技术介绍
[0002]掩膜版是由基底及图案层组成的一种光学元件，是一种用于转移电脑设计图形的母版，广泛应用于集成电路
、
平板显示
、
线路板
、
触摸屏等行业的曝光和图形批量转移环节
。
其基底一般使用苏打玻璃或者石英玻璃，图案层一般使用铬金属和氧化铬
。
[0003]掩膜版在使用过程中，会遭遇光刻胶沾污污染
、
静电击伤
、
异物划伤等风险，这些异常可能会造成掩膜版上精细图案损坏，从而影响掩膜版使用寿命
。
针对应用端的不同需求，掩膜版制造行业开发了带有附加功能的掩膜版
。
包括抗脏污
、
抗静电以及抗划伤等
。
区别于传统掩膜版，这些有附加功能的掩膜版统称为功能型掩膜版
。
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种功能型掩膜版的制备工艺，其特征在于，功能型掩膜版中的缓冲层
(300)
在涂胶前，直接采用磁控溅射镀在图案层
(200)
上，然后采用湿刻蚀工艺去除图案层
(200)
待刻蚀位置所对应的缓冲层
(300)。2.
根据权利要求1所述的一种功能型掩膜版的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、
在基板
(100)
上沉积一层用于刻蚀图案的图案层
(200)
；
S2、
采用磁控溅射在图案层
(200)
上镀一层缓冲层
(300)
；
S3、
在缓冲层
(300)
上涂布抗蚀剂；
S4、
在抗蚀剂上进行光刻形成掩膜版所需图案；
S5、
对光刻完图案的抗蚀剂进行显影；
S6、
采用湿刻蚀工艺刻蚀缓冲层
(300)
；
S7、
刻蚀图案层
(200)
；
S8、
去除抗蚀剂；
S9、
在缓冲层
(300)
上形成功能层
(400)。3.
根据权利要求1或2所述的一种功能型掩膜版的制备工艺，其特征在于，所述图案层
(200)
为铬层或氧化铬层或铬和氧化铬的混合层，所述图案层
(200)
的厚度为
80nm
～
120nm。4.
根据权利要求1或2所述的一种功能型掩膜版的制备工艺，其特征在于，所述缓冲层
(300)
为氮化硅层，所述缓冲层
(300)
的厚度为8～
15nm。5.
根据权利要求4所述的一种功能...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉闯，司继伟，杜武兵，
申请(专利权)人：深圳市路维光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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