一种半导体封装用键合铜钯合金丝及其制作方法和应用技术

本发明专利技术公开一种半导体封装用键合铜钯合金丝及其制作方法和应用，该铜钯合金丝以铜基合金丝为键合引线，并进行射频磁控溅射镀钯、等离子体气相渗硅处理；所述铜基合金丝包括以下质量百分比原料：银0.05

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装用键合铜钯合金丝及其制作方法和应用


[0001]本专利技术属于键合用合金丝制备领域，还涉及半导体封装领域，具体涉及一种半导体封装用键合铜钯合金丝及其制作方法和应用。

技术介绍

[0002]近几年，随着半导体科技发展的日新月异，为了发挥半导体芯片的功能，需采用合金丝将内部的芯片与外部的引脚进行键合封装。随着集成电路和封装技术在高集成度、多引线化及微型化功能方面的趋势发展，封装用材料要求采用线径更细、电学性能更优的合金丝进行窄间距、长距离的键合。但现有生产工艺生产出的键合合金丝的线径普遍大于10μm级尺度，无法满足更精密、更精细合金丝的键合需求。如专利号为CN105908002B的专利技术专利，公开一种金合金键合丝及其制造方法，制出的金合金键合丝的线径为20μm；如专利号为CN106661672B的专利技术专利，公开具有埃厚的表面氧化物层的铜键合丝，制出的铜键合丝最终直径为10
‑
80μm。
[0003]相比于金丝，铜丝作为内引线，价格更低廉，具有更高的导电和导热性能，可以用于制造对电流负载要求更高的功率器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装用键合铜钯合金丝，其特征在于，以铜基合金丝为键合引线，并进行射频磁控溅射镀钯、等离子体气相渗硅处理；所述铜基合金丝包括以下质量百分比原料：银0.05
‑
0.15％、钌0.1
‑
0.5％、铱0.005
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0.01％、铝0.02
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0.1％、钛0.01
‑
0.05％、镍0.01
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0.05％、钴0.005
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0.025％、硼0.01
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0.03％、钼0.02
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0.08％、稀土金属RE 0.08
‑
0.22％、粘结剂0.05
‑
0.1％、铜补足余量。2.根据权利要求1所述的一种半导体封装用键合铜钯合金丝，其特征在于，所述稀土金属RE由钪、钇、镨、镝按1:(0.4
‑
0.8):(0.1
‑
0.5):(1.2
‑
1.8)的质量比混合而成。3.根据权利要求2所述的一种半导体封装用键合铜钯合金丝，其特征在于，所述粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛。4.根据权利要求3所述的半导体封装用键合铜钯合金丝的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在氩气和氢气混合气氛下，将铜与粘结剂混合均匀后，190
‑
215℃加热20
‑
30min，再加入银、钌、铱、铝、钛、镍、钴、硼、钼、稀土金属RE，混合均匀后，以10
‑
20℃/min速率升温至500
‑
600℃，并保温处理30
‑
60min，得到合金中间体；S2：将合金中间体置于中频感应熔炼炉中，并真空熔炼60
‑
90min，得到合金熔体；S3：按10
‑
15mm/min的拉铸速度对合金熔体进行连续铸造，得Φ0.5
‑
3mm铜基合金丝棒坯；S4：将铜基合金丝棒坯真空退火6
‑
12h后，进行三次分级拉丝，得Φ15
‑
25μm铜基合金丝；S5：在高纯氩气气氛下，以金属钯作为靶材，以铜基合金丝作为衬底，且控制金属钯质量为铜基合金丝质量的2
‑
3％，进行射频磁控溅射，得镀钯铜基合金丝；S6：将镀钯铜基合金丝置于等离子体装置内，并激发产生等离子体后，以50
‑
75sccm的流量通入混合硅源气体，该混合硅源气体由Si2H6、SiF4按1:(0.2
‑
0.8)...

【专利技术属性】
技术研发人员：程平，
申请(专利权)人：合肥中晶新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：