【技术实现步骤摘要】
一种自带冷却回路的PVD腔体连接板
[0001]本技术涉及半导体
,具体地讲,涉及一种自带冷却回路的
PVD
腔体连接板
。
技术介绍
[0002]真空镀膜技术属于物理气相沉积成膜的方法,具有操作简单,溅射速率高,膜层致密等优点,在科研与生产中有广泛的应用
。
[0003]在微纳米的半导体制造工艺中,应用材料磁控溅射台占据了大部分的市场,以应用材料
5500
为例,在溅射过程中会产生极大热量,大部分热量通过靶材背部的冷却水带走,但是随着工艺条件越来越苛刻,往往在功率器件的功率过程中,需要长时间,高功率进行溅射,仅仅依靠靶材背面的冷却水已经不能满足冷却的需求,在这种情况下,腔体的整体温度会慢慢上升,由此导致各种不期望看到的问题,比如
AL Whisker
,密封性能下降,
Outgas
等,会对沉积薄膜的质量产生非常大的影响,本专利技术即在此背景下设计
。
技术实现思路
[0004]本技术要解决的技术问题是提供一种自带冷却回路的
PVD
腔体连接板,方便实现
PVD
腔体冷却
。
[0005]本技术采用如下技术方案实现专利技术目的:
[0006]一种自带冷却回路的
PVD
腔体连接板,其特征是:包括
PVD
腔体;腔体连接板,设置在所述
PVD
腔体开口上方,固定连接所述
PVD
腔体;所 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种自带冷却回路的
PVD
腔体连接板,其特征是:包括
PVD
腔体
(3)
;腔体连接板
(2)
,设置在所述
PVD
腔体
(3)
开口上方,固定连接所述
PVD
腔体
(3)
;所述腔体连接板
(2)
设置有进水口
(21)
及出水口
(22)
,所述腔体连接板
(2)
内设置有第一水道
(23)、
第二水道
(24)、
第三水道
(25)、
第四水道
(26)、
第五水道
(27)、
第六水道
(28)
及第七水道
(29)
;所述进水口
(21)
连通所述第一水道
(23)
的一端,所述第一水道
(23)
的另一端固定连通所述第二水道
(24)
,所述第二水道
(24)
的一端连通所述第三水道
(25)
的一端,所述第三水道
(25)
连通所述第四水道
(26)
,所述第四水道
(26)
的一端连通所述第五水道
(27)
,所述第五水道
(27)
一端连通所述第六水道
(28)
,所述第六水道
(28)
一端连通所述第七水道
(29)
的一端,所述第七水道
(29)
的另一端连通所述出水口
(22)。2.
根据权利要求1所述的自带冷却回路的<...
【专利技术属性】
技术研发人员:盛勇峰,王开兵,
申请(专利权)人:上海悦匠实业有限公司,
类型:新型
国别省市:
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