埋入式基板封装结构制造技术

本发明专利技术揭露一种埋入式基板封装结构，由上之下分别为第四介电层，第二基板、芯片及第五介电层、第三介电层、第二介电层、第一基板以及第一介电层；各层基板具有导线层与导通孔，而各介电层更具有开孔与导电凸块或导电垫等，导线层、导通孔、开孔、导电凸块、导电垫与埋入的芯片等则共同形成所需的电性连接。芯片采用覆晶方式与基板电性连结；芯片的背面所介接的是介电层材料。相较于习知技术中所介接的为基板，介电层的制程简单，并且在芯片倒置焊接后，其线路连接即完成。相较于习知的埋入式基板封装技术，本发明专利技术的结构可简化制程。

【技术实现步骤摘要】
埋入式基板封装结构
本专利技术是关于一种埋入式基板封装结构。
技术介绍
为适应科技产品的多功能化与体积微小化，许多半导体芯片的封装技术也应运而生，例如，利用芯片堆栈式(stacked)的封装以有效缩小电子产品体积、通过高密度基板(Substrate)来连接芯片与芯片以达到系统或次系统模块化的多芯片(MCM)封装、覆晶封装技术、通过将不同功能的IC整合于同一晶圆上制造的系统单芯片(SystemonaChip，SoC)、或是系统化封装(SysteminaPackage，SiP)等技术，都已经被广泛应用或视为是极具潜力技术。例如，美国专利U.S.PatentNo.8,115,297揭露一种具有埋入式晶粒的双基板结构及其方法(substratestructurewithdieembeddedinsideanddualbuild-uplayersoverbothsidesurfacesandmethodthereof)。该结构包含一第一基板，该第一基板具有连接于金属垫的一晶粒、以及分别形成于该第一基板两侧表面的第一、第二线路；一第二基板，具有一开口以接入该晶粒；以及第三、第四线路分别形成于该第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种埋入式基板封装结构，其特征在于，包括：一第一基板、一第二基板、一第一介电层、一第二介电层、一第三介电层、一第四介电层以及一第五介电层，其中，该第一基板上设置有多个第一导通孔，该第一基板的上、下表面分别设置一第一上导线层与一第一下导线层，该第一上导线层与该第一下导线层透过该多个第一导通孔电性连接；该第一介电层覆盖于该第一基板下表面的第一下导线层，在位于该第一下导线层处具有多个开孔，以暴露该第一下导线层的部分表面，该暴露表面可设置导电凸块；该第二介电层覆盖于该第一基板上表面的第一上导线层，在位于该第一上导线层处具有多个开孔，以暴露该第一上导线层的部分表面，该暴露表面设置一导电凸块；该第二基...

【技术特征摘要】
1.一种埋入式基板封装结构，其特征在于，包括：一第一基板、一第二基板、一第一介电层、一第二介电层、一第三介电层、一第四介电层以及一第五介电层，其中，该第一基板上设置有多个第一导通孔，该第一基板的上、下表面分别设置一第一上导线层与一第一下导线层，该第一上导线层与该第一下导线层透过该多个第一导通孔电性连接；该第一介电层覆盖于该第一基板下表面的第一下导线层，在位于该第一下导线层处具有多个开孔，以暴露该第一下导线层的部分表面，该暴露表面可设置导电凸块；该第二介电层覆盖于该第一基板上表面的第一上导线层，在位于该第一上导线层处具有多个开孔，以暴露该第一上导线层的部分表面，该暴露表面设置一导电凸块；该第二基板设置有至少一个容置空间及多个第二导通孔，该至少一个容置空间用于容置一芯片，该第二基板的上、下表面分别设置一第二上导线层与一第二下导线层，该第二上导线层与该第二下导线层透过该多个第二导通孔电性连接；该第二基板的该第二下导线层透过该第三介电层的该导电凸块与该第一基板的第二介电层的该导电凸块电性连接；该第四介电层覆盖于第二基板上表面的第二上导线层，在位于该第二上导线层处具有多个开孔(opening)，以暴露该第二上导线层的部分表面，该暴露表面可设置导电凸块；以及该第五介电层包覆于该芯片四周，以填充该芯片与该容置空间之间的缝隙，并固定该芯片于该容置空间之内，其中，该第二介电层及该第三介电层在位于该第二基板的容置空间处具有多个开孔，该多个开孔内设置该导电凸块或焊球本体，该芯片上的焊垫上方预作该导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：何松濂，侯竣元，王东传，袁禧霙，张凤逸，
申请(专利权)人：宏濂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71