A packaging structure and a manufacturing method of a chip and a sensing component, the packaging structure of the chip and the sensing component comprises: a first substrate, a second substrate, a dielectric layer between substrates, an upper dielectric layer and a lower dielectric layer; wherein, the upper and lower surfaces of the first substrate form conductive circuit layers respectively; the lower surface of the second substrate forms conductive circuit layers, and the second substrate embeds chips; a substrate The interphase dielectric layer is arranged between the first substrate and the second substrate, and the interphase dielectric layer also includes a plurality of perforating holes to provide the electrical connection between the chip of the second substrate and the conductive circuit layer on the lower surface of the first substrate; the upper dielectric layer is arranged on the upper surface of the first substrate, wherein the conductive bump is also arranged; the sensing component is arranged on the upper dielectric layer, and the welding pad and the conductive bump of the sensing component are arranged The sensing area of the sensing component is directly facing the first substrate and is separated from the first substrate by an appropriate distance.
【技术实现步骤摘要】
一种芯片及感测组件的封装结构及其制作方法
本专利技术是有关一种芯片及感测组件的封装结构及其制作方法。
技术介绍
系统级封装(System-in-Package,SiP)为一种封装的概念,是基于系统芯片(System-on-Chip,SoC)所发展出来的一种封装技术;基本上,SiP可定义为:在一IC包装体中,包含一或多个芯片,加上被动组件、电容、电阻、连接器和天线等任一电子组件以上的封装;换言之,就结构而言,SiP就是在一个封装内不仅可以组装多个芯片,还可以将包含上述不同类型的器件和电路芯片以2D、3D的方式迭在一起,结合在一个封装体内;就功能性而言,SiP则是将一个系统或子系统(sub-system)的全部或大部分电子功能配置在一个整合型基板内,以构建成更为复杂的、完整的系统。SiP一般而言包括了许多不同的技术,例如:多芯片模块(Multi-chipModule;MCM)技术、多芯片封装(Multi-chipPackage;MCP)技术、芯片堆栈(StackDie)、PoP(PackageonPackage)、PiP(PackageinPackage),以及将主/被动组件内埋于基板(EmbeddedSubstrate)等技术。以结构外观来说,MCM属于2D架构,而MCP、StackDie、PoP、PiP等则属于3D架构。由于SiP具有包括微型化、可异质整合(HeterogeneousIntegration)、可降低系统板成本、可缩短产品上市时间,显著减小封装体积、重量,可降低功耗,以及可提升产品效能等 ...
【技术保护点】
1.一种芯片及感测组件的封装结构,包括:/n一第一基板、一第二基板、一基板间介电层、一上介电层、一下介电层以及一感测组件;/n其中,所述第一基板中设置有多个基板穿导孔,且在所述第一基板的上下表面上各形成一导电线路层;/n所述第二基板中设置有多个基板穿导孔,且在所述第二基板的下表面上形成一导电线路层,所述第二基板中还设置有一容置空间,其中,一芯片设置于所述容置空间内,所述容置空间的四周还包含一芯片隔离介电层;/n所述基板间介电层设置于所述第一基板与所述第二基板之间,还包含多个穿导孔,这些穿导孔内分别设置一导电垫,所述导电垫提供所述第二基板的芯片与第一基板下表面的导电线路层的电性连接;/n所述上介电层覆盖于所述第一基板的上表面,且具有多个开孔,这些开孔内分别设置一导电凸块,所述导电凸块至少包含一焊球;以及/n所述感测组件位于所述上介电层之上,所述感测组件的一面具有一感测区及焊垫,所述感测组件具有所述感测区的一面朝向所述上介电层,且与所述上介电层之间界定出一空间,所述感测组件的焊垫电性连接于所述上介电层的开孔中的所述导电凸块,且与第一基板上表面的导电线路层构成电性连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种芯片及感测组件的封装结构,包括:
一第一基板、一第二基板、一基板间介电层、一上介电层、一下介电层以及一感测组件;
其中,所述第一基板中设置有多个基板穿导孔,且在所述第一基板的上下表面上各形成一导电线路层;
所述第二基板中设置有多个基板穿导孔,且在所述第二基板的下表面上形成一导电线路层,所述第二基板中还设置有一容置空间,其中,一芯片设置于所述容置空间内,所述容置空间的四周还包含一芯片隔离介电层;
所述基板间介电层设置于所述第一基板与所述第二基板之间,还包含多个穿导孔,这些穿导孔内分别设置一导电垫,所述导电垫提供所述第二基板的芯片与第一基板下表面的导电线路层的电性连接;
所述上介电层覆盖于所述第一基板的上表面,且具有多个开孔,这些开孔内分别设置一导电凸块,所述导电凸块至少包含一焊球;以及
所述感测组件位于所述上介电层之上,所述感测组件的一面具有一感测区及焊垫,所述感测组件具有所述感测区的一面朝向所述上介电层,且与所述上介电层之间界定出一空间,所述感测组件的焊垫电性连接于所述上介电层的开孔中的所述导电凸块,且与第一基板上表面的导电线路层构成电性连接。
2.根据权利要求1所述的芯片及感测组件的封装结构,其中,所述感测组件为压力传感器、MEMS传感器、生医传感器或气体传感器。
3.根据权利要求1所述的芯片及感测组件的封装结构,其中,还包含具有容置空间的一盖体,所述盖体固定于所述第一基板之上且罩盖所述感测组件,所述盖体还具有一开孔,在所述盖体内的气体通过所述盖体上的开孔连通于在所述盖体外的气体。
4.根据权利要求1所述的芯片及感测组件的封装结构,其中,设置于所述上介电层中的导电凸块还包含一球下冶金层,所述球下冶金层设置于所述焊球与所述第一基板上表面的导电线路层之间,并与所述焊球及所述第一基板上表面的导电线路层构成电性连接。
5.一种芯片及感测组件的封装结构的制作方法,包括以下步骤:
提供一第一基板与一第二基板,其中,所述第一基板中设置有多个基板穿导孔,连接第一基板上下表面上的导电线路层;所述第一基板的上表面还设置一上介电层,所述上介电层覆盖于第一基板上表面的导电线路层,并在位于所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:袁禧霙,王东传,侯竣元,何松濂,张凤逸,
申请(专利权)人:宏濂科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;TW
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