半导体芯片封装结构制造技术

提供芯片封装结构，芯片封装结构包含重布线结构，重布线结构包含介电结构和在介电结构中的接地线，接地线包含主要部分和连接至主要部分且从介电结构横向露出的末端扩大部分。芯片封装结构包含芯片结构位于重布线结构上方。芯片封装结构包含导电屏蔽膜设置于芯片结构和末端扩大部分的第一侧壁上方，导电屏蔽膜电性连接至接地线，末端扩大部分的厚度从主要部分增加至导电屏蔽膜。

【技术实现步骤摘要】
半导体芯片封装结构
本公开实施例涉及半导体技术，且特别涉及半导体芯片封装结构。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit，IC)工业已经历了快速成长。在集成电路材料和设计上的技术进步产生了数代集成电路，每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。然而，这些进步增加了加工与制造集成电路的复杂性。在集成电路的发展史中，功能密度(即每一芯片区互连的装置数目)增加，同时几何尺寸(即制造过程中所产生的最小的组件(或线路))缩小。此元件尺寸微缩化的工艺一般来说具有增加生产效率与降低相关费用的益处。然而，由于部件(feature)尺寸持续缩减，制造工艺持续变的更加难以实施，且半导体装置的效能容易受到影响。举例来说，电磁干扰(electromagneticinterference，EMI)对于大多数的半导体装置是个挑战。电磁干扰可干扰、降低或限制半导体装置的效能。
技术实现思路
在一些实施例中，提供芯片封装结构，此芯片封装结构包含重布线结构，重布线结构包含介电结构和在介电结构中的接地线，其中接地线包含主要部分和连接至主要部分且从介电结构横向露出的末端扩大部分；芯片结构位于重布线结构上方；以及导电屏蔽膜设置于芯片结构和末端扩大部分的第一侧壁上方，其中导电屏蔽膜电性连接至接地线，且其中末端扩大部分的厚度从主要部分增加至导电屏蔽膜。在一些其他实施例中，提供芯片封装结构，此芯片封装结构包含重布线结构，重布线结构包含介电结构和在介电结构中的接地线，其中接地线包含主要部分和连接至主要部分且从介电结构横向露出的末端扩大部分，其中末端扩大部分的最大厚度大于主要部分的最大厚度，其中末端扩大部分定义第一侧壁，且其中介电结构不覆盖第一侧壁的至少一部分；芯片结构位于重布线结构上方；以及导电屏蔽膜设置于芯片结构上方并通过末端扩大部分电性连接至接地线。在另外一些实施例中，提供芯片封装结构的形成方法，此方法包含提供第一芯片结构、第二芯片结构和围绕第一芯片结构和第二芯片结构的模塑化合物层；形成重布线结构于第一芯片结构、第二芯片结构和模塑化合物层上方，其中重布线结构包含介电结构和在介电结构中的接地线；实施机械性单切工艺于第一芯片结构与第二芯片结构之间以切割穿透模塑化合物层、介电结构和接地线，以形成第一芯片封装结构和第二芯片封装结构，并在接地线中产生从第一和第二芯片封装结构的单切侧壁分别暴露出的末端扩大部分；以及分别形成第一导电屏蔽膜和第二导电屏蔽膜于第一芯片封装结构和第二芯片封装结构上方，其中第一和第二导电屏蔽膜分别电性连接至从第一和第二芯片封装结构的各自的单切侧壁暴露出的末端扩大部分。附图说明根据以下的详细说明并配合所附附图可以更加理解本公开实施例。应注意的是，根据本产业的标准惯例，图示中的各种部件并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小各种部件的尺寸，以做清楚的说明。图1A-图1O为依据一些实施例的形成芯片封装结构的工艺的各种阶段的剖面示意图。图1M-1为依据一些实施例的图1M的一区域的放大剖面示意图。图1M-2为依据一些实施例的图1M的接地线的放大上视图。图1N-1为依据一些实施例的图1N中的托盘(tray)的上视图。图1O-1为依据一些实施例的图1O的一区域的放大剖面示意图。图2为依据一些其他实施例的部分地显示芯片封装结构的放大剖面示意图。附图标记说明：110承载基板120、240、A1、A2粘着层130缓冲层140导电层150掩模层152通孔160、334导通孔结构170、310、320芯片180、230、262、264、266、332介电层210、336、338接合垫220内连线结构250、350模塑化合物层260重布线结构261、263、265重布线132、262a、264a、266a、622开口267接垫272、360导电凸块274、276接地凸块280框架300芯片封装体330、610基底342、344导线400、800芯片封装结构401顶表面403底表面410底部填充层500切割轮600托盘620支架结构630间隔物结构710导电屏蔽膜710a导电屏蔽材料层C芯片结构D介电结构E1、E2、E3末端扩大部分GL1、GL2、GL3、GL4接地线GP1、GP2接地垫L11、L12、L22、L32长度M1、M2、M3主要部分402、S1、S2、S3、S4侧壁T1、T2、T3、T12’、T22’、T32’厚度T12、T22、T32最大厚度W、W260、W400、W620宽度W1、W2、W3配线层W11、W12线宽具体实施方式要了解的是以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例，以实施提供的主体的不同部件。以下叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以求简化公开内容的说明。当然，这些仅为范例并非用以限定本公开。例如，以下的公开内容叙述了将一第一部件形成于一第二部件之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一部件与上述第二部件是直接接触的实施例，亦包含了尚可将附加的部件形成于上述第一部件与上述第二部件之间，而使上述第一部件与上述第二部件可能未直接接触的实施例。此外，公开内容中不同范例可能使用重复的参考符号及/或用字。这些重复符号或用字是为了简化与清晰的目的，并非用以限定各个实施例及/或所述外观结构之间的关系。再者，为了方便描述附图中一元件或部件与另一(复数)元件或(复数)部件的关系，可使用空间相关用语，例如“在...之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似的用语。除了附图所绘示的方位之外，空间相关用语也涵盖装置在使用或操作中的不同方位。所述装置也可被另外定位(例如，旋转90度或者位于其他方位)，并对应地解读所使用的空间相关用语的描述。应当理解的是，可提供额外的操作于本公开实施例的方法之前、本公开实施例的方法中和本公开实施例的方法之后，且在本公开实施例的方法的其他实施例中，可取代或消除所述的一些操作。图1A-图1O为依据一些实施例的形成芯片封装结构的工艺的各种阶段的剖面示意图。依据一些实施例，如图1A所示，提供承载基板110。依据一些实施例，配置承载基板110以在后续工艺步骤期间提供机械性和结构性支撑。依据一些实施例，承载基板110包含玻璃、氧化硅、氧化铝、金属、前述的组合及/或类似材料。依据一些实施例，承载基板110包含金属框架。依据一些实施例，如图1A所示，粘着层120形成于承载基板110上方。依据一些实施例，粘着层120包含任何合适的粘着材料，例如紫外(ultraviolet)胶或光热转换(Light-to-HeatConversion，LTHC)胶，其当暴露于紫外光或激光时会失去其粘着性质。粘着层120通过使用压合工艺、旋涂工艺、印刷工艺或其他合适的工艺形成。依据一些实施例，如图1A所示，缓冲层130形成于粘着层120上方。依据一些实施例，配置缓冲层130以在后续工艺期间提供接合的结构支撑并帮助减少晶粒偏移。依据一些实施例，缓冲层130包含聚合物材料，例如聚苯并恶唑(polybenzoxazole，PBO)、聚酰亚胺或环氧树脂。依据一些实施例，缓冲层130通过使用旋涂工艺、化学气相沉积工艺、压合工艺或印刷工艺形成。依据一些实施例，如图1A所示，导电层140形成于缓冲层130上方。导电层140包含铜、钛本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片封装结构，包括：一重布线结构，包括一介电结构和在该介电结构中的一接地线，其中该接地线包括一主要部分和连接至该主要部分且从该介电结构横向露出的一末端扩大部分；一芯片结构，位于该重布线结构上方；以及一导电屏蔽膜，设置于该芯片结构和该末端扩大部分的一第一侧壁上方，其中该导电屏蔽膜电性连接至该接地线，且其中该末端扩大部分的一厚度从该主要部分增加至该导电屏蔽膜。

【技术特征摘要】
2016.11.17 US 15/354,1951.一种芯片封装结构，包括：一重布线结构，包括一介电结构和在该介电结构中的一接地线，其中该接地线包括一主要部分和连接至该主要部分且从该...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，蔡柏豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71