一种叠层封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种叠层封装结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供第一封装体，并于所述第一封装体上形成有复数个导电栓；于所述第一封装体上形成第一热界面材料层；于所述第一热界面材料层上粘合第一散热构件，所述第一散热构件上设有暴露出所述导电栓的通孔；于所述第一散热构件上形成第二封装体，所述第二封装体通过导电栓与所述第一封装体电连接；其中，所述第一散热构件的长度大于所述第二封装体的长度，所述第一散热构件的宽度大于所述第二封装体的宽度，且所述第一散热构件的深度小于或等于所述第二封装体的高度。通过本发明专利技术所述的叠层封装结构及其制备方法，解决了现有封装结构中，下层封装体中的芯片散热能力较差的问题。

A laminated package structure and its preparation method

The invention provides a layer package structure and a preparation method. The preparation method includes: providing a first package, forming a plurality of conductive plugs on the first package, forming a first heat interface material layer on the first package, bonding the first heat dissipation member on the first heat interface material layer, and bonding the first heat dissipation member on the first heat interface material layer. The first heat dissipation member is provided with a through hole that exposes the conductive plug; a second package is formed on the first heat dissipation member, and the second package is electrically connected to the first package through a conductive bolt; the length of the first heat dissipation member is greater than the length of the second assembly, the first heat dissipation member. The width of the second package body is larger than that of the second package body, and the depth of the first heat dissipation component is less than or equal to the height of the said package body. Through the laminated package structure and the preparation method described in this invention, the problem of poor cooling capacity of the chip in the lower layer package is solved in the existing packaging structure.

【技术实现步骤摘要】
一种叠层封装结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体集成电路封装领域，特别是涉及一种叠层封装结构及其制备方法。
技术介绍
更低成本、更可靠、更快及更高密度的电路是集成电路封装追求的目标。在未来，集成电路封装将通过不断减小最小特征尺寸来提高各种电子元器件的集成密度。随着电子产品向高密度、多功能、小型化的方向发展，特别对于手持可移动电子设备，要求电子产品轻薄短小，这就促使叠层封装广泛的应用。在实际使用中，由于下层封装体向上的散热路径要经过散热能力很差的封装体之间的间隙及上层封装体，这就导致了下层封装体中芯片的散热能力比较差。鉴于此，有必要设计一种新的叠层封装结构及其制备方法用以解决上述技术问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种叠层封装结构及其制备方法，用于解决现有封装结构中，下层封装体中的芯片散热能力较差的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种叠层封装结构的制备方法，所述制备方法包括：提供第一封装体，并于所述第一封装体上形成有复数个导电栓；于所述第一封装体上形成第一热界面材料层；于所述第一热界面材料层上粘合第一散热构件，所述第一散热构件上设有暴露出所述导电栓的通孔；于所述第一散热构件上形成第二封装体，所述第二封装体通过导电栓与所述第一封装体电连接；其中，所述第一散热构件的长度大于所述第二封装体的长度，所述第一散热构件的宽度大于所述第二封装体的宽度，且所述第一散热构件的深度小于或等于所述第二封装体的高度。优选地，所述制备方法还包括：于所述第二封装体两侧的所述第一散热构件上形成第二热界面材料层；于所述第二封装体上形成第三热界面材料层；及于所述第二热界面材料层及所述第三热界面材料层上形成第二散热构件；其中，所述第二散热构件的长度与所述第一散热构件的长度相同，所述第二散热构件的宽度与所述第一散热构件的宽度相同。优选地，当所述第一散热构件的深度小于所述第二封装体的高度时，所述制备方法还包括：于所述第二封装体两侧的所述第一散热构件上形成第四热界面材料层；及于所述第二封装体两侧的所述第四热界面材料层上形成第三散热构件；其中，所述第三散热构件的上表面与所述第二封装体的上表面在同一水平面上。优选地，所述制备方法还包括：于所述第三散热构件上形成第五热界面材料层；于所述第二封装体上形成第六热界面材料层；及于所述第五热界面材料层及所述第六热界面材料层上形成第四散热构件；其中，所述第四散热构件的长度与所述第一散热构件的长度相同，所述第四散热构件的宽度与所述第一散热构件的宽度相同。优选地，所述制备方法还包括：于所述叠层封装结构上方散热构件上安装散热器的步骤。优选地，述制备方法还包括：对所述散热构件表面进行防氧化处理或镀镍处理的步骤。优选地，所述热界面材料层的厚度为10um～900um。本专利技术还提供了一种叠层封装结构，所述叠层封装结构包括：第一封装体；形成于所述第一封装体上的复数个导电栓；形成于所述第一封装体上的第一热界面材料层；形成于所述第一热界面材料层上的第一散热构件，所述第一散热构件上设有暴露出所述导电栓的通孔；及形成于所述第一散热构件上的第二封装体，所述第二封装体通过导电栓与所述第一封装体电连接；其中，所述第一散热构件的长度大于所述第二封装体的长度，所述第一散热构件的宽度大于所述第二封装体的宽度，且所述第一散热构件的深度小于或等于所述第二封装体的高度。优选地，所述叠层封装结构还包括：形成于所述第二封装体两侧的所述第一散热构件上的第二热界面材料层；形成于所述第二封装体上的第三热界面材料层；及形成于所述第二热界面材料层及所述第三热界面材料层上的第二散热构件；其中，所述第二散热构件的长度与所述第一散热构件的长度相同，所述第二散热构件的宽度与所述第一散热构件的宽度相同。优选地，当所述第一散热构件的深度小于所述第二封装体的高度时，所述叠层封装结构还包括：形成于所述第二封装体两侧的所述第一散热构件上的第四热界面材料层；及形成于所述第二封装体两侧的所述第四热界面材料层上的第三散热构件；其中，所述第三散热构件的上表面与所述第二封装体的上表面在同一水平面上。优选地，所述叠层封装结构还包括：形成于所述第三散热构件上的第五热界面材料层；形成于所述第二封装体上的第六热界面材料层；及形成于所述第五热界面材料层及所述第六热界面材料层上的第四散热构件；其中，所述第四散热构件的长度与所述第一散热构件的长度相同，所述第四散热构件的宽度与所述第一散热构件的宽度相同。优选地，所述叠层封装结构还包括安装于所述叠层封装结构上方散热构件上的散热器。优选地，所述热界面材料层的厚度为10um～900um。如上所述，本专利技术的叠层封装结构及其制备方法，具有以下有益效果：本专利技术通过在第一封装体和第二封装体上增加热界面材料层和散热构件，使得第一封装体中芯片的热量通过热界面材料层传递至散热构件上，并通过散热构件实现散热；通过此种方法可以有效改善叠层封装结构中下层封装体中芯片的散热性能，大大提高散热能力。附图说明图1显示为本专利技术实施例一所述叠层封装结构的制备方法流程图。图2显示为本专利技术实施例一于所述第一封装体上形成导电栓的结构示意图。图3显示为本专利技术实施例一形成第一热界面材料层的结构示意图。图4a至图4c显示为本专利技术实施例一形成第一散热构件的结构示意图。图5a至图5c显示为本专利技术实施例一形成第二封装体的结构示意图。图6a至图6c显示为本专利技术实施例二所述叠层封装结构的结构示意图。图7a和图7b显示为本专利技术实施例三所述叠层封装结构的结构示意图。图8a和图8b显示为本专利技术实施例四所述叠层封装结构的结构示意图。元件标号说明100叠层封装结构11第一封装体20导电栓31第一热界面材料层32第二热界面材料层33第三热界面材料层34第四热界面材料层35第五热界面材料层36第六热界面材料层41a、41b、41c第一散热构件42第二散热构件43第三散热构件44第四散热构件12第二封装体具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1至图8b。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。实施例一如图1所示，本实施例提供一种叠层封装结构的制备方法，所述制备方法包括：提供第一封装体11，并于所述第一封装体11上形成有复数个导电栓20；于所述第一封装体11上形成第一热界面材料层31；于所述第一热界面材料层31上形成第一散热构件41a、41b或41c，所述第一散热构件41a、41b或41c上设有暴露出所述导电栓的通孔；于所述第一散热构件41a、41b或41c上形成第二封装体12，所述第二封装体12通过导电栓20与所述第一封装体11电连接；其中，所述第一散热构件41a、41b或41c的长度大于所述第二封装体12的长度，所述第一散热构件41a、4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种叠层封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供第一封装体，并于所述第一封装体上形成有复数个导电栓；于所述第一封装体上形成第一热界面材料层；于所述第一热界面材料层上粘合第一散热构件，所述第一散热构件上设有暴露出所述导电栓的通孔；于所述第一散热构件上形成第二封装体，所述第二封装体通过导电栓与所述第一封装体电连接；其中，所述第一散热构件的长度大于所述第二封装体的长度，所述第一散热构件的宽度大于所述第二封装体的宽度，且所述第一散热构件的深度小于或等于所述第二封装体的高度。

【技术特征摘要】
1.一种叠层封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供第一封装体，并于所述第一封装体上形成有复数个导电栓；于所述第一封装体上形成第一热界面材料层；于所述第一热界面材料层上粘合第一散热构件，所述第一散热构件上设有暴露出所述导电栓的通孔；于所述第一散热构件上形成第二封装体，所述第二封装体通过导电栓与所述第一封装体电连接；其中，所述第一散热构件的长度大于所述第二封装体的长度，所述第一散热构件的宽度大于所述第二封装体的宽度，且所述第一散热构件的深度小于或等于所述第二封装体的高度。2.根据权利要求1所述的叠层封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：于所述第二封装体两侧的所述第一散热构件上形成第二热界面材料层；于所述第二封装体上形成第三热界面材料层；及于所述第二热界面材料层及所述第三热界面材料层上形成第二散热构件；其中，所述第二散热构件的长度与所述第一散热构件的长度相同，所述第二散热构件的宽度与所述第一散热构件的宽度相同。3.根据权利要求1所述的叠层封装结构的制备方法，其特征在于，当所述第一散热构件的深度小于所述第二封装体的高度时，所述制备方法还包括：于所述第二封装体两侧的所述第一散热构件上形成第四热界面材料层；及于所述第二封装体两侧的所述第四热界面材料层上形成第三散热构件；其中，所述第三散热构件的上表面与所述第二封装体的上表面在同一水平面上。4.根据权利要求3所述的叠层封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：于所述第三散热构件上形成第五热界面材料层；于所述第二封装体上形成第六热界面材料层；及于所述第五热界面材料层及所述第六热界面材料层上形成第四散热构件；其中，所述第四散热构件的长度与所述第一散热构件的长度相同，所述第四散热构件的宽度与所述第一散热构件的宽度相同。5.根据权利要求1～4任一项所述的叠层封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：于所述叠层封装结构上方散热构件上安装散热器的步骤。6.根据权利要求1～4任一项所述的叠层封装结构的制备方法，其特征在于，述制备方法还包括：对所述散热构件表面进行防氧化处理或镀镍处理的步骤。7.根据权利要求1～4任一项所述的叠层封...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑清毅，
申请(专利权)人：芯原微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31