堆叠封装结构的制造方法技术

本发明专利技术提供一种堆叠封装结构的制造方法，其包含至少以下步骤。接合晶粒于第一电路载体上。设置间隔件在晶粒上。通过多个导电线连接间隔件和第一电路载体。形成密封体以密封晶粒、间隔件以及导电线。减少密封体的厚度直到移除导电线中的每一者的至少一部分以形成第一封装结构。在第一封装结构上堆叠第二封装结构。第二封装结构电性连接到导电线。

【技术实现步骤摘要】
堆叠封装结构的制造方法
本专利技术大体上涉及一种封装(package)结构的制造方法，且更具体地说涉及一种堆叠封装(package-on-package，POP)结构的制造方法。
技术介绍
为了使电子产品设计实现轻、薄、短和小，半导体封装技术持续发展，尝试开发出体积较小、重量较轻、集成度较高且在市场中更有竞争性的产品。举例来说，已经开发例如POP等3D堆叠(3Dstacking)技术来满足较高封装密度的要求。因此，如何以较低制造成本实现更薄的POP结构已经变为本领域中的研究人员的挑战。
技术实现思路
本专利技术提供一种堆叠封装(POP)结构的制造方法，其减少了结构的总体厚度和制造成本。本专利技术提供一种POP结构的制造方法。所述方法至少包含以下步骤。接合晶粒于第一电路载体上。设置间隔件在晶粒上。通过多个导电线连接间隔件和第一电路载体。形成密封体以密封晶粒、间隔件以及导电线。减少密封体的厚度直到移除导电线中的每一者的至少一部分以形成第一封装结构。在第一封装结构上堆叠第二封装结构。第二封装结构电性连接到导电线。在本专利技术的一实施例中，晶粒通过倒装芯片接合电性连接到第一电路载体。在本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种堆叠封装结构的制造方法，其特征在于，包括：接合晶粒于第一电路载体上；设置间隔件在所述晶粒上；通过多个导电线连接所述间隔件和所述第一电路载体；形成密封体以密封所述晶粒、所述间隔件以及所述导电线；减少所述密封体的厚度直到移除所述导电线中的每一者的至少一部分以形成第一封装结构；以及堆叠第二封装结构在所述第一封装结构上，其中所述第二封装结构电性连接到所述导电线。

【技术特征摘要】
2016.10.21 US 62/410,851;2017.09.28 US 15/717,9531.一种堆叠封装结构的制造方法，其特征在于，包括：接合晶粒于第一电路载体上；设置间隔件在所述晶粒上；通过多个导电线连接所述间隔件和所述第一电路载体；形成密封体以密封所述晶粒、所述间隔件以及所述导电线；减少所述密封体的厚度直到移除所述导电线中的每一者的至少一部分以形成第一封装结构；以及堆叠第二封装结构在所述第一封装结构上，其中所述第二封装结构电性连接到所述导电线。2.根据权利要求1所述的堆叠封装结构的制造方法，其特征在于，所述间隔件包括第二电路载体，在减少所述密封体的所述厚度之前，所述导电线连接于所述第二电路载体与所述第一电路载体之间。3.根据权利要求2所述的堆叠封装结构的制造方法，其特征在于，在减少所述密封体的所述厚度之前，所述导电线中的每一者包括连接到所述第一电路载体的第一焊接区段以及连接到所述间隔件的第二焊接区段，所述导电线通过所述第一焊接区段从所述第一电路载体通过所述第二焊接区段连接到所述间隔件。4.根据权利要求3所述的堆叠封装结构的制造方法，其特征在于，在减少所述密封体的所述厚度之前，所述导电线中的每一者进一步包括连接于所述第一焊接区段与所述第二焊接区段之间的牺牲区...

【专利技术属性】
技术研发人员：王启安，徐宏欣，蓝源富，许献文，
申请(专利权)人：力成科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71