半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于，提供一种能够降低晶片的翘曲、钝化膜的裂纹的半导体装置。半导体装置(1)具备半导体基板(2)、形成在半导体基板(2)的半导体元件(3)、与半导体元件(3)连接的金属层(4)、以及保护半导体元件(3)的钝化膜(11)。钝化膜(11)交替地层叠产生压缩应力的密度低的第一绝缘膜(12)和产生压缩应力的密度高的第二绝缘膜(13)而形成。在最靠近半导体基板(2)的最下层配置有第一绝缘膜(12)。第一绝缘膜(12)和第二绝缘膜(13)使用硅氮化膜、硅氧化膜、硅氮氧化膜中的任一者来形成。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及在半导体基板上形成有钝化膜的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
一般来说，已知有具备半导体基板、形成在半导体基板的半导体元件、以及保护半导体元件的钝化膜的半导体装置(例如，参照专利文献1)。在专利文献1公开了交替地层叠密度不同的两种压缩应力膜而形成了钝化膜的结构。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开平7-130731号公报可是，钝化膜是成膜在器件表层的保护膜，在晶片工艺的最终工序形成。因此，在对钝化膜进行成膜的晶片表面，例如形成有半导体层、绝缘膜层、有机物层以及金属层。即，在晶片表面积蓄了直到形成钝化膜之前为止的工艺历史。在该晶片中，存在作为由各种材料的热膨胀系数差引起的应力而残留压缩应力的倾向。对此，在专利文献1记载的钝化膜将密度高的压缩应力膜配置在最下层。此时，高密度的压缩应力膜与低密度的压缩应力膜相比存在压缩应力变大的倾向。由高密度的压缩应力膜造成的压缩应力被追加到晶片的残留压缩应力。其结果是，存在如下问题，即，由于这些压缩应力，除了在晶片产生翘曲以外，还会在钝化膜产生裂纹。
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术是鉴于上述的现有技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具备：半导体基板；半导体元件，形成在所述半导体基板；以及钝化膜，保护所述半导体元件，其特征在于，所述钝化膜交替地层叠产生压缩应力的密度低的第一绝缘膜和产生压缩应力的密度高的第二绝缘膜而形成，在最靠近所述半导体基板的最下层配置有所述第一绝缘膜。

【技术特征摘要】
2016.10.19 JP 2016-2052271.一种半导体装置，具备：半导体基板；半导体元件，形成在所述半导体基板；以及钝化膜，保护所述半导体元件，其特征在于，所述钝化膜交替地层叠产生压缩应力的密度低的第一绝缘膜和产生压缩应力的密度高的第二绝缘膜而形成，在最靠近所述半导体基板的最下层配置有所述第一绝缘膜。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜使用硅氮化膜、硅氧化膜、硅氮氧化膜中的任一者来形成。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，在所述半导体基板形成有半导体层、绝缘膜层、有机物层以及金属层，所述钝...

【专利技术属性】
技术研发人员：青池将之，黑川敦，小林敦，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP