一种CIS器件封装结构及封装方法技术

本发明专利技术提供了一种CIS器件封装结构及封装方法，其中，该封装结构包括：CMOS图像传感器，所述CMOS图像传感器具有导电柱；封装层，包裹所述CMOS图像传感器的侧面；重布线层，设置于所述CMOS图像传感器和所述封装层上，与所述导电柱连接；凸点，设置于所述重布线层上，与所述重布线层连接。这种CIS器件封装结构提高了封装的可靠性、增大了可植球区域面积。

【技术实现步骤摘要】
一种CIS器件封装结构及封装方法
本专利技术涉及晶圆封装领域，具体涉及一种CIS器件封装结构及封装方法。
技术介绍
微电子成像元件被广泛应用于数字摄影机(相机)、具有影像存储能力的无限装置或者其他用途上。微电子成像元件包含图像传感器，图像传感器是将光学图像转换为电信号的半导体器件，一般可分为电荷耦合器件(ChargeCoupledDevice，缩写为CCD)和互补金属氧化物半导体图像传感芯片(Complementary-Metal-Oxide-SemiconductorImageSensor，缩写为CIS)。CMOS图像传感芯片(CIS)利用控制电路和位于MOS晶体管周围的信号处理电路并且采用MOS晶体管的切换技术来顺序地检测输出，其中，MOS晶体管的数量等于像素的数量，即利用光通过表面玻璃盖板及透光胶，照射到芯片上的感光区，完成光信号到电信号的转换，从而成像的原理。CMOS图像传感芯片(CIS)能够克服电荷耦合器件(CCD)制造工艺复杂且能耗较高的缺陷，采用CMOS制造技术可以将像素单元阵列与外围电路集成在同一芯片上，使得CIS芯片具有体积小、重量轻、低功耗、编程方便、易于控制及低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CIS器件封装结构，其特征在于，包括：CMOS图像传感器，所述CMOS图像传感器具有导电柱；封装层，包裹所述CMOS图像传感器的侧面；重布线层，设置于所述CMOS图像传感器和所述封装层上，与所述导电柱连接；凸点，设置于所述重布线层上，与所述重布线层连接。

【技术特征摘要】
1.一种CIS器件封装结构，其特征在于，包括：CMOS图像传感器，所述CMOS图像传感器具有导电柱；封装层，包裹所述CMOS图像传感器的侧面；重布线层，设置于所述CMOS图像传感器和所述封装层上，与所述导电柱连接；凸点，设置于所述重布线层上，与所述重布线层连接。2.根据权利要求1所述的CIS器件封装结构，其特征在于，所述CMOS图像传感器包括CIS芯片、玻璃镜面以及用于将所述CIS芯片和玻璃镜面进行连接的键合层；所述玻璃镜面上设置有凹槽，至少所述CIS芯片的微透镜嵌入所述凹槽中；单颗CMOS图像传感器包括CIS芯片和玻璃镜面；其中，所述单颗CMOS图像传感器是通过将键合后的所述CIS晶圆进行切割得到的。3.根据权利要求2所述的CIS器件封装结构，其特征在于，所述CIS芯片的背面设置有通孔，所述通孔内填充有导电柱，所述导电柱将所述CIS芯片正面的焊盘连接至所述CIS芯片的背面。4.根据权利要求1所述的CIS器件封装结构，其特征在于，所述重布线层与所述导电柱连接，所述重布线层上制备有绝缘层，所述绝缘层设置有开窗，所述凸点设置于所述开窗处，所述凸点与所述重布线层连接。5.根据权利要求1-4任一所述的CIS器件封装结构，其特征在于，所述CMOS图像传感器和所述封装层位于同一水平面。6.一种CIS器件封装方法，其特征在于，包括如下步骤：在载片上方正装放置多个CMOS图像传感器，所述CMOS图像...

【专利技术属性】
技术研发人员：王训堂，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32