半导体装置封装和其形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种准备好装配的半导体装置封装，所述半导体装置封装包含：半导体衬底；第一凸块下金属层，其安置于所述半导体衬底上；第一导电柱，其安置于所述第一凸块下金属层上；以及第二导电柱，其安置于所述第一导电柱上。所述第一导电柱的材料不同于所述第二导电柱的材料，且所述第二导电柱的所述材料包含抗氧化剂。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置封装和其形成方法

技术介绍
为了允许更多组件集成到半导体芯片或半导体装置封装中，一个方法是采用倒装芯片结构。对于倒装芯片结构，第一晶圆经倒装，且借由导电凸块附接到第二晶圆上。焊料通常用以装配半导体装置封装。安置于第一晶圆的衬垫或铜柱上的焊料在附接到第二晶圆的另一衬垫或铜柱之前经回焊。衬底和组件可在回焊操作期间经受翘曲，这样可能损坏焊接点。此外，半球面状焊料凸块(其借由回焊操作得以形成)还可促成完整半导体装置封装的翘曲。此类现象可在封装的边缘处特别明显，其中翘曲更加强烈。翘曲可致使衬底弯曲、翘曲或开裂。因此，需要提供改善型半导体装置封装以解决上述问题。
技术实现思路
在一些实施例中，揭示一种准备好装配的半导体装置封装。所述半导体装置封装包括半导体衬底、第一凸块下金属(UBM)层、第一导电柱和第二导电柱。所述第一凸块下金属层安置于所述半导体衬底上。所述第一导电柱安置于所述第一凸块下金属层上。所述第二导电柱安置于所述第一导电柱上。所述第一导电柱的材料不同于所述第二导电柱的材料，且所述第二导电柱准备好被装配到外部装置。在一些实施例中，所述第二导电柱的所述材料包含抗氧化剂。在一些实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种准备好装配的半导体装置封装，其包括：半导体衬底；第一凸块下金属层，其安置于所述半导体衬底上；第一导电柱，其安置于所述第一凸块下金属层上；以及第二导电柱，其安置于所述第一导电柱上；其中所述第一导电柱的材料不同于所述第二导电柱的材料，且所述第二导电柱的所述材料包含抗氧化剂。

【技术特征摘要】
2016.11.01 US 15/340,8031.一种准备好装配的半导体装置封装，其包括：半导体衬底；第一凸块下金属层，其安置于所述半导体衬底上；第一导电柱，其安置于所述第一凸块下金属层上；以及第二导电柱，其安置于所述第一导电柱上；其中所述第一导电柱的材料不同于所述第二导电柱的材料，且所述第二导电柱的所述材料包含抗氧化剂。2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一导电柱是铜柱，且所述第二导电柱是包含所述抗氧化剂的焊料柱。3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一导电柱具有宽度，所述第二导电柱具有高度，且所述高度比所述宽度大了至少0.65倍。4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括：第二凸块下金属层，其安置于所述半导体衬底上；第三导电柱，其安置于所述第二凸块下金属层上；以及第四导电柱，其安置于所述第三导电柱上；其中所述第三导电柱的材料不同于所述第四导电柱的材料，且所述第四导电柱的所述材料包含所述抗氧化剂。5.根据权利要求4所述的半导体装置封装，其中所述第一导电柱与所述第三导电柱具有大体上相同的高度，且所述第二导电柱与所述第四导电柱具...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄俊钦，叶勇谊，许哲铭，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71