一种封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种封装结构，所述封装结构包括：重新布线层，所述重新布线层包括第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述重新布线层包括介质层以及金属布线层；金属凸块，所述金属凸块形成于所述重新布线层第一面上；CMOS图像传感器芯片与逻辑芯片，所述CMOS图像传感器芯片及所述逻辑芯片正面具有金属焊点，所述金属焊点装设于所述重新布线层第二面上与所述重新布线层实现相互之间的电连接；封装材料，形成于所述重新布线层的第二面上，所述CMOS图像传感器芯片背面裸露于所述封装材料；本实用新型专利技术封装结构具有封装体积小，组装工艺简单，封装费用低，且不需要外部连线从而提高结构的稳定性，同时提高最终器件结构的成品率。

An encapsulation structure

The utility model provides a package structure, including the package structure: the re wiring layer, the re wiring layer includes a first surface and a second surface opposite to the first surface, the re wiring layer includes a dielectric layer and a metal wiring layer; the metal bumps, the metal bump formed on the the re wiring layer on a first surface; CMOS image sensor chip and the logic chip, the CMOS image sensor chip and the logic chip surface with a metal solder joint, the metal pads arranged on the re wiring layer second on the surface and the re wiring layer to achieve mutual electrical connection between the packaging material, is formed; the re wiring second surface layer, the CMOS image sensor chip back exposed on the packaging material; the utility model encapsulation structure with small package size, simple assembly process, The cost of packaging is low and the external connection is not needed to improve the stability of the structure, and the final product rate of the final device structure is improved.

【技术实现步骤摘要】
一种封装结构
本技术涉及一种半导体封装领域，特别是涉及一种集成CMOS图像传感器与逻辑芯片的晶圆级封装结构。
技术介绍
CMOS(ComplementaryMetal-OxideSemiconductor)中文的全称为互补氧化金属半导体，是用于记录光线变化的元件，是最常用的感光器件之一，CMOS被称之为数码相机的大脑。数码相机的本质，从专业的角度来看，就是把光能转化为信息储存起来。大致分为以下三个流程：成像→光电转换→记录，即镜头拍摄主体反射的光线通过镜头进入相机后聚焦，形成清晰图像，图像落在CMOS光电器材上，通过光电转换形成电信号，然后把信号记录在磁带或储存卡上。而光电转换的核心部件是传感器，传感器的作用就是把传到它身上的不同强度的光线进行光电转换，转换成电压信息最终生成我们想要的数字图片。CMOS图像传感器(CMOSimagesensor)分正面照明类型和背面照明类型两种。背面照明类型最大的优化之处在于将元件内部的结构改变了，其将感光层的元件调转方向，让光能从背面直射进去，避免了传统CMOS图像传感器结构中，光线会受到微透镜和光电二极管之间的电路和晶体管的影响，从而显著提高光的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：重新布线层，所述重新布线层包括第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述重新布线层包括介质层以及金属布线层；金属凸块，所述金属凸块形成于所述重新布线层第一面上；CMOS图像传感器芯片与逻辑芯片，所述CMOS图像传感器芯片及所述逻辑芯片正面具有金属焊点，所述金属焊点装设于所述重新布线层第二面上与所述重新布线层实现相互之间的电连接；封装材料，形成于所述重新布线层的第二面上，所述CMOS图像传感器芯片背面裸露于所述封装材料。

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：重新布线层，所述重新布线层包括第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述重新布线层包括介质层以及金属布线层；金属凸块，所述金属凸块形成于所述重新布线层第一面上；CMOS图像传感器芯片与逻辑芯片，所述CMOS图像传感器芯片及所述逻辑芯片正面具有金属焊点，所述金属焊点装设于所述重新布线层第二面上与所述重新布线层实现相互之间的电连接；封装材料，形成于所述重新布线层的第二面上，所述CMOS图像传感器芯片背面裸露于所述封装材料。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合，所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括N层金属布线层，N≥1。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述金属凸块包括焊料凸点；或者所述金属凸块包括金属柱以及位于金属柱上方的焊料凸...

【专利技术属性】
技术研发人员：何志宏，林正忠，林章申，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32