A semiconductor device includes: a semiconductor die having a top surface of the bonding pads formed on the top surface; an electric connecting element, each electrical connecting element has located in a first plane and electrically connected to bonding pads of a bonding pad and a first end located in second different plane and the first plane the opposite second end; and the molding material, the semiconductor bare chip and electrically connected components, wherein, molding materials with defined package top surface and one or more side surface of the second connected components of each side exposed at the top surface at the package and exposed at at least one of the one or a plurality of side surfaces in the package.
【技术实现步骤摘要】
无引线框架的表面安装半导体器件
本专利技术涉及集成电路(IC)器件装配,更具体地,涉及无引线框架(leadframe-less)的表面安装半导体器件。
技术介绍
用平面铜引线框架制造的方形扁平无引脚(QFN)封装是广泛使用的表面安装技术。典型的QFN装配流程包括前段(FOL)工艺和后段(EOL)工艺。FOL工艺包括贴片、互连接合和检查,而EOL工艺包括成型、顶部标记、镀锡、封装分离和最终检查,这是昂贵的封装处理。因此,用无引线框架的封装结构来改善装配过程并降低总封装成本将是有利的。
技术实现思路
在一个实施例中,本专利技术提供一种半导体器件,包括:具有顶表面的半导体裸片,一个或多个接合焊盘形成在顶表面上;以及一个或多个电连接元件,每个电连接元件具有位于第一平面处并且电连接至这些接合焊盘中的一个接合焊盘的第一端以及位于与第一平面不同的第二平面的相对的第二端。成型材料封装半导体裸片和电连接元件。成型材料限定具有顶表面和一个或多个侧表面的封装体。每个电连接元件的第二端暴露在封装体的顶表面和至少一个侧表面处。在另一实施例中,本专利技术提供一种用于装配半导体器件的方法。所述方法包括:提供晶片,该晶片具有:顶表面和相对的底表面;以沿第一方向和第二方向延伸的阵列的形式布置的多个半导体裸片;以及锯道,其位于半导体裸片中相邻的半导体裸片之间。每个半导体裸片具有形成在顶表面上的一个或多个接合焊盘。所述方法还包括:将一个或多个电连接元件接合至半导体裸片的接合焊盘,其中,每个电连接元件沿第一方向和第二方向中的至少一个方向桥接相邻的半导体裸片;以及用成型材料对半导体裸片和电连接元件进行 ...
【技术保护点】
一种半导体器件,包括:半导体裸片,其具有顶表面以及相对的底表面,一个或多个接合焊盘形成在所述顶表面上;一个或多个电连接元件,每个电连接元件具有位于第一平面且电连接至所述一个或多个接合焊盘中的一个接合焊盘的第一端以及位于与所述第一平面不同的第二平面的相对的第二端;以及成型材料,其封装所述半导体裸片和所述一个或多个电连接元件,其中,所述成型材料限定具有顶表面和一个或多个侧表面的封装体,其中,每个电连接元件的所述第二端暴露在所述封装体的所述顶表面处并暴露在所述封装体的所述一个或多个侧表面中的至少一个处。
【技术特征摘要】
2016.10.06 US 15/287,5841.一种半导体器件,包括:半导体裸片,其具有顶表面以及相对的底表面,一个或多个接合焊盘形成在所述顶表面上;一个或多个电连接元件,每个电连接元件具有位于第一平面且电连接至所述一个或多个接合焊盘中的一个接合焊盘的第一端以及位于与所述第一平面不同的第二平面的相对的第二端;以及成型材料,其封装所述半导体裸片和所述一个或多个电连接元件,其中,所述成型材料限定具有顶表面和一个或多个侧表面的封装体,其中,每个电连接元件的所述第二端暴露在所述封装体的所述顶表面处并暴露在所述封装体的所述一个或多个侧表面中的至少一个处。2.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述一个或多个电连接元件中的每个的所述第二端暴露在所述封装体的所述顶表面和两个相邻的侧表面处。3.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:金属层,其形成在所述封装体的所述顶表面之上并且电连接至所述一个或多个电连接元件的至少一个。4.如权利要求3所述的半导体器件,其中,通过导电电镀用可湿性材料来涂覆所述金属层。5.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:裸片载体,其中,所述半导体裸片的所述底表面附接至所述裸片载体。6.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:再分布层,其位于所述一个或多个接合焊盘与所述一个或多个电连接元件之间。7.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述一个或多个电连接元件是金属夹。8.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述一个或多个电连接元件是接合线。9.一种半导体器件,包括:裸片,其顶表面上具有至少两个接合焊盘;至少两个导电的夹,其具有分别连接至所述接合焊盘的第一端;成型材料,其覆盖所述裸片和所述夹,其中,所述成型材料形成封装体,并且所述夹的相对的第二端暴露在所述封装体的顶表面和所述封装体的至少一个侧表面处;以及至少两个金属层,其形成在所述夹各自的暴露的第二端和所述封装体的所述顶表面之上。10.如权利要求9所述的半导体器件,其中,所述夹的所述第二端暴露在所述封装体的所述顶表面和所述封装体的两个相邻的侧表面处。11.一种装配半导体器件的方法,所述方法包括:提供具有顶表面和相对的底表面的晶片,其中,所述晶片包括以沿第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:波姆皮奥·V·乌马里,尤金·普马内斯·桑托斯,
申请(专利权)人:安世有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰,NL
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