一种1P2M CMOS的封装方法技术

本发明专利技术涉及一种1P2M CMOS的封装方法，包括：光刻、溅射、等离子刻蚀、电镀、去胶和回流等过程。本发明专利技术封装的1P2M相对2P2M少了第二层PI，无需刻蚀第一层Ti、Cu溅射层，无需溅射第二层Ti、Cu，在原料成本和作业时间上更节约的同时，仍能够保持其该有的性能，具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种1P2MCMOS的封装方法
本专利技术属于晶圆级芯片封装领域，特别涉及一种1P2MCMOS的封装方法。
技术介绍
2P2M与1P2M是通过再布线将凸块长在芯片适当位置的一种技术，2P2M比1P2M多一层PI及多溅射了一层铜钛，材料成本较多，作业时间较长。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种1P2MCMOS的封装方法，该方法封装的1P2M相对2P2M少了第二层PI，无需刻蚀第一层Ti、Cu溅射层，无需溅射第二层Ti、Cu，在原料成本和作业时间上更节约的同时，仍能够保持其该有的性能，具有良好的应用前景。本专利技术提供了一种1P2MCMOS的封装方法，包括：(1)在晶圆表面涂覆聚酰亚胺再钝化层；(2)在再钝化层表面溅射Ti阻挡层和Cu种子层；(3)使用AZ(主要成分1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯和1-甲氧基-2-丙醇)光刻胶，经匀胶、甩胶、背洗(BSR)、甩干、甩边、烘烤、去边，得到14±3μm的AZ胶厚，再经曝光、显影，得到RDL图形；(4)对得到RDL图形的晶圆表面进行等离子刻蚀，然后电镀8μm铜厚；其中，采用的电镀液为SC28铜电镀液；(5)在RDL的基础上再次经涂胶、曝光、显影形成电镀图形后，电镀铜、锡形成铜锡柱；其中，采用的电镀液为SC28铜电镀液和Sn电渡液；(6)使用KS3504去胶液，进行去胶；随后腐蚀图形外的溅射钛铜层，得到凸点；(7)最后将电镀的锡回流成球形，即可。所述步骤(1)中的聚酰亚胺再钝化层的厚度为5μm。所述步骤(1)中的涂覆具体步骤包括匀胶、甩胶、背洗(BSR)、甩干和甩边。所述步骤(4)和(5)中的SC28铜电镀液的组成为：铜25-30g/L，硫酸200-300g/L，氯离子40-50mg/L，光亮剂MD5-6ml/L，平整剂LO3-5ml/L。所述步骤(5)中的Sn电渡液的组成为：Sn2+20-50g/L、甲基磺酸80-120g/L、添加剂C3-10g/L、添加剂GR30-70g/L。所述步骤(6)中的去胶时间为60min。所述步骤(6)中的腐蚀采用KS6201和KS6506进行腐蚀。有益效果本专利技术封装的1P2M相对2P2M少了第二层PI，无需刻蚀第一层Ti、Cu溅射层，无需溅射第二层Ti、Cu，在原料成本和作业时间上更节约的同时，仍能够保持其该有的性能，具有良好的应用前景。附图说明图1为本专利技术的结构示意图；图2为本专利技术的工艺流程图。具体实施方式下面结合具体实施例，进一步阐述本专利技术。应理解，这些实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围。此外应理解，在阅读了本专利技术讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本专利技术作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。实施例11)多层聚酰亚胺(PI)再钝化层涂覆工艺聚酰亚胺(PI)光致抗蚀剂具有突出的耐热性，卓越的力学性能，绝缘性和抗蚀性。首先自动涂胶机在圆片表面定量涂布5ml的PI胶，通过旋涂、前烘、光刻、显影及固化工艺，最终在圆片表面形成一层5um的聚酰亚胺再钝化层，起到绝缘、抗蚀、缓冲应力及平坦化的作用。其中旋涂分为匀胶(200±20rpm，7±1s)、甩胶(2450±100rpm，30±3s)、BSR(1000±50rpm，15±1s)、甩干(1000±50rpm，10±1s)、甩边(3000±50rpm，1±0.1s)5个过程，涂胶完成后在曝光能量300mj、间距4um下进行stepper曝光，并在显影液KS5400(上海飞凯光电材料股份有限公司)下进行显影得到所需的图像，最后在无氧固化烘箱(氧含量控制在20ppm以下)350℃下烘烤2h进行固化。2)多层金属溅射镀膜工艺首先利用先进的选择性湿法刻蚀工艺对氧化层进行刻蚀而原Al垫基本无损伤，其刻蚀厚度为200±30A。然后通过多层金属溅射镀膜工艺引入厚度1000±150A的Ti阻挡层和4000±400A的Cu种子层。为满足可靠性要求，在凸点面积进一步缩小的情况下，溅射金属层高度也作了进一步优化。3)高分辨光刻工艺采用高分辨光刻胶通过先进的旋涂烘焙技术和高灵敏光刻显影技术，在晶圆表面形成严整清晰的图形又不会在小开口中留下残存的光刻胶，从而保证了后续凸点的高质量和有效连接。其中利用AZ胶可生成所需的RDL图形，在圆片表面定量涂布8ml的AZ胶，通过匀胶(700±30rpm，15±5s)、甩胶(1150±65rpm，15±5s)、BSR(1000±50rpm，15±5s)、甩干(1000±50rpm，10±2s)、甩边(1200±100rpm，1±0.2s)、烘烤(90℃，30min)、去边(EBR：600±100rpm，54±2s；BSR：600±100rpm，10±1s；边缘去边宽度：1.5～2.4mm)等过程得到14±3um的AZ胶厚，然后在曝光能量为1700mj，间距20um条件下进行整面曝光，最后在显影液KS5700下显影显现出所需的RDL图形。利用JSR胶则可形成凸点的电镀图形，其过程与AZ形成RDL图形的过程类似，也是主要经过涂胶、曝光、显影等步骤。JSR的涂胶分为一次涂胶(胶量：5ml，clean：50±15rpm，2±0.2s；匀胶：1300±50rpm，16±2s)和二次涂胶(胶量：4ml；EBR：600±50rpm，19±2s；匀胶1600±60rpm，15±2s；BSR：1000±100rpm，8±2s；甩胶：1000±100rpm，5±2s；甩边；1500±100rpm，1±0.2s)，两次涂胶之间需在120℃下烘烤400s，旋涂完成后在曝光能量1000mj、间距-26um下进行stepper曝光，最后在显影液KS5300下显影显现出电镀图形。4)等离子刻蚀工艺控制适当的频率、能量和时间等条件，对溅射层进行等离子刻蚀增加层间结合力；对光刻胶层进行等离子刻蚀增加表面亲水性防止漏镀，同时去除窗口金属表面可能带有的残胶和其他有机粘污，保证了窄节距凸点的高质量和有效连接。根据刻蚀底材的不同，刻蚀参数也有所差别，具体参数见下表。5)电镀重新布线工艺通过筛选高分辨率的AZ光阻材料，经曝光能量1700mj，曝光间距20um下曝光后在显影液KS5700下显影形成清晰的光刻图形；选用高润湿性Cu镀液，电镀形成清晰、一致的8um厚度的重新布线层，从而使设计更加灵活，或者在一定条件下，将传统的打线产品直接转化为WLCSP倒装产品，提升了产品适应性。SC28铜电镀液的成分及含量如下：铜25-30g/L，硫酸200-300g/L，氯离子40-50mg/L，光亮剂MD5-6ml/L，平整剂LO3-5ml/L。窄节距凸点电镀形成工艺在前期所形成的清晰的光刻图形基础上，筛选高润湿性Cu镀液和Sn渡液，电镀形成400um窄节距的凸点，无连桥和渗镀现象发生；在对溅射金属层进行选择性刻蚀的过程中，原Al垫基本无损伤。Sn渡液的成分及含量如下：Sn2+20-50g/L、甲基磺酸80-120g/L、添加剂C3-10g/L、添加剂GR30-70g/L。6)电镀后去胶技术电镀完成后，通过在去胶液KS3504(上海飞凯光电材料股份有限公司)中浸泡60min去除圆片表面用来限定电镀位置的80～90um厚度的AZ光刻胶。CopperPillar采用厚胶工艺，去胶难度较本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种1P2M CMOS的封装方法，包括：(1)在晶圆表面涂覆聚酰亚胺再钝化层；(2)在再钝化层表面溅射Ti阻挡层和Cu种子层；(3)使用AZ光刻胶，经匀胶、甩胶、背洗、甩干、甩边、烘烤、去边，得到14±3μm的AZ胶厚，再经曝光、显影，得到RDL图形；(4)对得到RDL图形的晶圆表面进行等离子刻蚀，然后电镀8μm铜厚；其中，采用的电镀液为SC28铜电镀液；(5)在RDL的基础上再次经涂胶、曝光、显影形成电镀图形后，电镀铜、锡形成铜锡柱；其中，采用的电镀液为SC28铜电镀液和Sn电渡液；(6)使用KS3504去胶液，进行去胶；随后腐蚀图形外的溅射钛铜层，得到凸点；(7)最后将电镀的锡回流成球形，即可。

【技术特征摘要】
1.一种1P2MCMOS的封装方法，包括：(1)在晶圆表面涂覆聚酰亚胺再钝化层；(2)在再钝化层表面溅射Ti阻挡层和Cu种子层；(3)使用AZ光刻胶，经匀胶、甩胶、背洗、甩干、甩边、烘烤、去边，得到14±3μm的AZ胶厚，再经曝光、显影，得到RDL图形；(4)对得到RDL图形的晶圆表面进行等离子刻蚀，然后电镀8μm铜厚；其中，采用的电镀液为SC28铜电镀液；(5)在RDL的基础上再次经涂胶、曝光、显影形成电镀图形后，电镀铜、锡形成铜锡柱；其中，采用的电镀液为SC28铜电镀液和Sn电渡液；(6)使用KS3504去胶液，进行去胶；随后腐蚀图形外的溅射钛铜层，得到凸点；(7)最后将电镀的锡回流成球形，即可。2.根据权利要求1所述的一种1P2MCMOS的封装方法，其特征在于：所述步骤(1)中的聚酰亚胺再钝化层的厚度为5μm。3.根据权利要求1所述的一种1P2MCMOS的封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：于政，方梁洪，罗立辉，蓝敏华，
申请(专利权)人：宁波芯健半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33