一种1P2M CMOS的封装方法技术

本发明专利技术涉及一种1P2M CMOS的封装方法，包括：光刻、溅射、等离子刻蚀、电镀、去胶和回流等过程。本发明专利技术封装的1P2M相对2P2M少了第二层PI，无需刻蚀第一层Ti、Cu溅射层，无需溅射第二层Ti、Cu，在原料成本和作业时间上更节约的同时，仍能够保持其该有的性能，具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种1P2MCMOS的封装方法
本专利技术属于晶圆级芯片封装领域，特别涉及一种1P2MCMOS的封装方法。
技术介绍
2P2M与1P2M是通过再布线将凸块长在芯片适当位置的一种技术，2P2M比1P2M多一层PI及多溅射了一层铜钛，材料成本较多，作业时间较长。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种1P2MCMOS的封装方法，该方法封装的1P2M相对2P2M少了第二层PI，无需刻蚀第一层Ti、Cu溅射层，无需溅射第二层Ti、Cu，在原料成本和作业时间上更节约的同时，仍能够保持其该有的性能，具有良好的应用前景。本专利技术提供了一种1P2MCMOS的封装方法，包括：(1)在晶圆表面涂覆聚酰亚胺再钝化层；(2)在再钝化层表面溅射Ti阻挡层和Cu种子层；(3)使用AZ(主要成分1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯和1-甲氧基-2-丙醇)光刻胶，经匀胶、甩胶、背洗(BSR)、甩干、甩边、烘烤、去边，得到14±3μm的AZ胶厚，再经曝光、显影，得到RDL图形；(4)对得到RDL图形的晶圆表面进行等离子刻蚀，然后电镀8μm铜厚；其中，采用的电镀液为SC28铜电镀液；(5)在RDL的基础上再次经涂胶、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种1P2M CMOS的封装方法，包括：(1)在晶圆表面涂覆聚酰亚胺再钝化层；(2)在再钝化层表面溅射Ti阻挡层和Cu种子层；(3)使用AZ光刻胶，经匀胶、甩胶、背洗、甩干、甩边、烘烤、去边，得到14±3μm的AZ胶厚，再经曝光、显影，得到RDL图形；(4)对得到RDL图形的晶圆表面进行等离子刻蚀，然后电镀8μm铜厚；其中，采用的电镀液为SC28铜电镀液；(5)在RDL的基础上再次经涂胶、曝光、显影形成电镀图形后，电镀铜、锡形成铜锡柱；其中，采用的电镀液为SC28铜电镀液和Sn电渡液；(6)使用KS3504去胶液，进行去胶；随后腐蚀图形外的溅射钛铜层，得到凸点；(7)最后将电镀的锡回流成球形，...

【技术特征摘要】
1.一种1P2MCMOS的封装方法，包括：(1)在晶圆表面涂覆聚酰亚胺再钝化层；(2)在再钝化层表面溅射Ti阻挡层和Cu种子层；(3)使用AZ光刻胶，经匀胶、甩胶、背洗、甩干、甩边、烘烤、去边，得到14±3μm的AZ胶厚，再经曝光、显影，得到RDL图形；(4)对得到RDL图形的晶圆表面进行等离子刻蚀，然后电镀8μm铜厚；其中，采用的电镀液为SC28铜电镀液；(5)在RDL的基础上再次经涂胶、曝光、显影形成电镀图形后，电镀铜、锡形成铜锡柱；其中，采用的电镀液为SC28铜电镀液和Sn电渡液；(6)使用KS3504去胶液，进行去胶；随后腐蚀图形外的溅射钛铜层，得到凸点；(7)最后将电镀的锡回流成球形，即可。2.根据权利要求1所述的一种1P2MCMOS的封装方法，其特征在于：所述步骤(1)中的聚酰亚胺再钝化层的厚度为5μm。3.根据权利要求1所述的一种1P2MCMOS的封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：于政，方梁洪，罗立辉，蓝敏华，
申请(专利权)人：宁波芯健半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33