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本发明涉及一种1P2M CMOS的封装方法，包括：光刻、溅射、等离子刻蚀、电镀、去胶和回流等过程。本发明封装的1P2M相对2P2M少了第二层PI，无需刻蚀第一层Ti、Cu溅射层，无需溅射第二层Ti、Cu，在原料成本和作业时间上更节约的同时，...
该专利属于宁波芯健半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波芯健半导体有限公司授权不得商用。

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