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引线框架制造技术

技术编号:13242002 阅读:136 留言:0更新日期:2016-05-15 03:09
本实用新型专利技术涉及一种引线框架,包括若干个引线框架单元,所述引线框架单元设有用于放置芯片的第一基岛、第二基岛和第三基岛和多个管脚,所述第一基岛、第二基岛、第三基岛相互间隔成行或成列分布;且所述管脚位于所述第一基岛、第二基岛和第三基岛的两侧。在合封芯片的过程中,第一基岛、第三基岛用于放置大功率的芯片,由于第一基岛、第三基岛的位于引线框架单元的两侧,可以有效的利用引线框架单元两端的有效区域,加大了散热区域的面积,有效减小热阻,提高了散热能力。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及芯片封装领域,特别是涉及引线框架
技术介绍
随着集成电路的发展,集成电路越来越小型化,经过多年的摸索发展,根据低成本、高封装数量封装需求的市场变化。相对于封装成本较高的BGA、MCM等产品,组合功能的多芯片集成封装已经成为封装的一大趋势,由此产生了双入线封装(dual inline-pinpackage,DIP)平面多载体、多芯片封装,且发展趋势极为迅速。目前集成电路封装,DIP系列产品封装制造大多为单载体或双载体的两排引线框架模式,在承载芯片的基岛设计上,大多采用单个或两个基岛的设计。该设计实现封装的芯片数量较少(I个或2个),无法实现不同电位的大功率芯片的合封,并且引线框架导热迅速,各个芯片散热效果差;且对封装厂来说产品成本较高(I个芯片或2个芯片需求较长焊线、较多包封树脂)。
技术实现思路
基于此,有必要针对无法实现不同电位的大功率芯片的合封、各个芯片散热效果差的问题,提供一种引导框架。—种引线框架,包括若干个引线框架单元,所述引线框架单元设有用于放置芯片的第一基岛、第二基岛和第三基岛和多个管脚,所述第一基岛、第二基岛、第三基岛相互间隔成行或成列分布;且所述管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种引线框架,包括若干个引线框架单元,所述引线框架单元设有用于放置芯片的第一基岛、第二基岛和第三基岛和多个管脚,其特征在于,所述第一基岛、第二基岛、第三基岛相互间隔成行或成列分布;且所述管脚位于所述第一基岛、第二基岛和第三基岛的两侧。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:叶淑琼
申请(专利权)人:叶淑琼无锡恒芯微科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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