【技术实现步骤摘要】
本专利技术的公开涉及半导体封装件制造方法、这种半导体封装件以及包括pcb元件和至少这种半导体封装件的电子系统。
技术介绍
1、专利文献us9303327b2中公开了一种制造半导体器件的已知方法。us9303327b2进一步公开了一种系统、一种封装部件以及一种用于制造封装部件的方法。在us9303327b2的实施例中，一种系统包括部件承载件、布置在部件承载件上的部件以及布置在部件承载件或部件中的至少一者的导电表面上的绝缘层，其中，绝缘层包括聚合物和无机材料，无机材料包括等于或大于15ac-kv/mm的介电强度以及等于或大于15w/m*k的热导率。公开了在底侧处对封装部件的镀覆。然而，所得部件在管芯与引线(端子)中的一者之间不具有金属镀覆的互连部。
2、专利文献us9218987b2中公开了一种半导体器件，更准确地说是一种具有层叠互连板的顶侧冷却半导体封装件。该半导体封装件包括：带有端子引线的电路基板、在电路基板上面的半导体管芯、用于将半导体管芯的顶部接触区域与电路基板键合并互连的低热阻紧密互连板、在紧密互连板上面的用于顶侧冷却的低热阻层叠互连板、以及用于除了使层叠互连板的顶表面露出以维持有效的顶侧冷却之外将封装件包封起来的模制包封材料。层叠互连板的顶部部分可以包括在紧密互连板上方的外周悬垂部。该外周悬垂部允许将最大化的暴露顶表面区域用于散热，而与适用于紧密互连板的其它区域约束无关。层叠互连板可以被部分蚀刻或三维地形成以产生外周悬垂部。us9218987b2所公开的器件依赖于3d形成的夹片结构(clip structur
3、因此，本专利技术的公开的目的是提供一种具有集成的散热器和电连接特征的改进的半导体器件。
技术实现思路
1、根据本专利技术的公开的第一实例，提出一种半导体封装件的制造方法，该半导体封装件具有与至少一个导电端子连接的至少一个半导体管芯。半导体封装件具有上侧和底侧，其中至少一个端子至少部分地位于底侧上。特别地，根据本专利技术的公开的方法包括以下步骤：
2、a)提供具有用于外部电连接的多个端子的引线框架；
3、b)提供至少一个半导体管芯，并将至少一个半导体管芯电地和机械地附接至引线框架的至少部分地位于底侧上的至少一个端子；
4、c)在半导体管芯和多个端子上提供包封材料，而留下至少一个端子的至少一部分暴露出来，其中，包封材料在底侧上设置有至少一个开口，该至少一个开口至少部分地使半导体管芯暴露出来；以及
5、d)清洁半导体封装件的底侧，接着
6、e)在底侧上部分地镀覆导电层，从而经由至少一个开口将半导体管芯与至少一个端子的从包封材料暴露出来的一部分电连接。
7、最后，该方法包括以下步骤：
8、f)将半导体封装件从引线框架上切单下来。
9、在根据本专利技术的公开的方法的有利实例中，在步骤b)中，使用共晶键合(eutecticbonding)，优选cusn共晶体、含ag粘合剂或ag烧结材料，将半导体管芯附接至端子。这些键合是无铅(pb)连接方法，其使得完成的半导体封装件rohs兼容(限制危险材料)。
10、另外，步骤b)可以进一步实施为如下步骤：在该步骤中，半导体管芯设置有从底侧突出的金属或聚合物的凸块或膜。
11、在根据本专利技术的公开的方法的另外两个优选步骤中，在包封工艺期间形成包封材料中的开口，或者使用激光切割工艺形成包封材料中的开口。
12、另外，步骤e)可以包括应用水电镀工艺或应用无电镀工艺、或溅射或沉积导电材料的任何其它方式。
13、此外，在该方法的实例中，通过切除半导体封装件的具有引线端子的一部分来修调半导体封装件，该修调步骤在步骤f)之前执行。作为替代方案，在步骤f)之后，通过切除半导体封装件的具有端子的一部分来修调半导体封装件。
14、本专利技术的公开还涉及一种根据本专利技术的公开的方法制造的半导体封装件，其中半导体封装件具有与导电端子中的至少一个连接的半导体管芯，其中半导体封装件具有上侧和底侧，并且其中至少一个端子至少部分地位于底侧上。
15、本专利技术的公开还涉及一种电子系统，其包括设置有焊料焊盘的pcb元件以及根据本专利技术的公开的方法制造的至少一个半导体封装件，其中半导体封装件利用端子经由焊料焊盘附接至pcb元件。
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1.一种半导体封装件(1)的制造方法，所述半导体封装件具有与导电的至少一个端子(3)连接的至少一个半导体管芯(2)，其中，所述半导体封装件(1)具有上侧(4)和底侧(5)，并且其中，所述至少一个端子(3)至少部分地位于所述底侧(5)上，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤b)中，使用共晶键合，优选CuSn共晶体或含Ag粘合剂或Ag烧结材料，将所述半导体管芯(2)附接至所述端子(3)。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在步骤b)中，所述半导体管芯(2)设置有从所述底侧(5)突出的至少一个金属凸块(10)。
4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其中，在包封工艺期间形成所述包封材料(7)中的所述开口(8)。
5.根据权利要求1、2或3所述的方法，其中，使用激光切割工艺形成所述包封材料(7)中的所述开口(8)。
6.根据前述权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，在所述步骤e)中应用水电镀工艺。
7.根据前述权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，在所述步骤e)中应用无电镀工艺
8.根据前述权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，在步骤f)之前，通过切除所述半导体封装件的具有引线端子的一部分来修调所述半导体封装件(1)。
9.根据前述权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，在步骤f)之后，通过切除所述半导体封装件(1)的具有端子(3)的一部分来修调所述半导体封装件(1)。
10.一种半导体封装件(1)，包括至少一个半导体管芯(2)，所述至少一个半导体管芯(2)与由包封材料(7)包围的至少一个第一导电端子(3)连接，其中，所述半导体封装件(1)具有上侧(4)和底侧(5)并且在所述底侧(5)上进一步包括将所述半导体管芯(2)与至少一个第二导电端子(3)连接的导电板(9)。
11.一种电子系统(11)，包括设置有焊料焊盘(13)的PCB元件(12)以及根据权利要求10所述的至少一个半导体封装件(1)，其中，所述至少一个半导体封装件(1)利用所述至少一个第一端子和所述至少一个第二端子(3)经由所述焊料焊盘附接至所述PCB元件(12)。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件(1)的制造方法，所述半导体封装件具有与导电的至少一个端子(3)连接的至少一个半导体管芯(2)，其中，所述半导体封装件(1)具有上侧(4)和底侧(5)，并且其中，所述至少一个端子(3)至少部分地位于所述底侧(5)上，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤b)中，使用共晶键合，优选cusn共晶体或含ag粘合剂或ag烧结材料，将所述半导体管芯(2)附接至所述端子(3)。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在步骤b)中，所述半导体管芯(2)设置有从所述底侧(5)突出的至少一个金属凸块(10)。
4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其中，在包封工艺期间形成所述包封材料(7)中的所述开口(8)。
5.根据权利要求1、2或3所述的方法，其中，使用激光切割工艺形成所述包封材料(7)中的所述开口(8)。
6.根据前述权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，在所述步骤e)中应用水电镀工艺。
7.根据前述权利要求1至5中任一项所述的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷格纳斯·赫尔曼努斯·波尔玛，王伟文，蒂姆·伯切尔，汉斯于尔根·芬克，詹尼克·恩特林格，张月强，C·N·陈，
申请(专利权)人：安世有限公司，
类型：发明
国别省市：
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