【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种改进特别是用于高压器件的集成电路封装的封装爬电距离的方法。
技术介绍
1、爬电和间隙是分立半导体和集成电路ic的封装的典型行业标准关键性能。
2、间隙可以定义为两个导体之间在空气中的最短距离。因此，由于最短距离是通过空气，它可以被理解为或类似于峰之间的视线，即在两个导体之间没有障碍物的情况下，间隙是导体之间的最短距离。
3、然而，爬电与间隙密切相关，可以定义为沿绝缘材料表面的两个导体之间的最短距离。因此，与间隙的实施例相比，是两个峰之间地面上的最短距离而非空气中的最短距离。
4、特别是对于高压器件，爬电还有间隙是非常重要的，并且随着器件电压的增加趋势(其甚至可能超过500v)以及半导体器件封装的小型化趋势，爬电与间隙变得更加重要。
5、爬电不足可能导致电压击穿，其中两个导体之间的电压克服了导体之间的绝缘，并可能在绝缘材料表面产生电弧或导电路径，这可能会损坏器件，导致器件不工作，并可能导致危险情况。
6、可以通过增加两个导体之间的距离来改进爬电性能。通常，这将增大封...
【技术保护点】
1.一种改进半导体封装爬电的方法，其中所述封装包括半导体器件和在所述封装的表面处的多个导电接触，所述封装包括用于使所述封装在所述多个导电接触之间电绝缘的绝缘材料，其中初始爬电距离由所述多个接触中的两个接触之间、在所述封装的表面上的最短距离而限定，并且所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的改进半导体封装爬电的方法，其中以薄层施加所述绝缘材料，并且对所述绝缘材料进行选择以获得与未涂覆的封装相比小于2倍的封装热阻增加。
3.根据权利要求1或2所述的改进半导体封装爬电的方法，其中选择所述绝缘材料使其具有在1x 1016至1x 1018Ω-cm...
【技术特征摘要】
1.一种改进半导体封装爬电的方法，其中所述封装包括半导体器件和在所述封装的表面处的多个导电接触，所述封装包括用于使所述封装在所述多个导电接触之间电绝缘的绝缘材料，其中初始爬电距离由所述多个接触中的两个接触之间、在所述封装的表面上的最短距离而限定，并且所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的改进半导体封装爬电的方法，其中以薄层施加所述绝缘材料，并且对所述绝缘材料进行选择以获得与未涂覆的封装相比小于2倍的封装热阻增加。
3.根据权利要求1或2所述的改进半导体封装爬电的方法，其中选择所述绝缘材料使其具有在1x 1016至1x 1018ω-cm的范围内的体积电阻率，更优选在5x 1016至5x 1017ω-cm的范围内的体积电阻率，最优选在8x 1016至2x 1017ω-cm的范围内的体积电阻率。
4.根据权利要求中任一项所述的改进半导体封装爬电的方法，其中所述绝缘材料选自al2o3/tio2、聚对二甲苯、聚酰亚胺或用于电子设备中pcb保形涂层的其他聚合物材料中的一种。
5.根据权利要求中任一项所述的改进半导体封装爬电的方法，其中所述绝缘材料在施加之后具有小于100μm、更优选小于10μm、最优选小于1μm的厚度。
6.根据权利要求中任一项所...
【专利技术属性】
技术研发人员：汉斯于尔根·芬克，萧喜铭，蒂姆·伯切尔，
申请(专利权)人：安世有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。