具有镀覆的引线框架的半导体器件及其制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
在本文中描述的各个实施例涉及具有镀覆的引线框架的半导体器件及制造半导体器件的方法。
技术介绍
在半导体材料上形成金属层，以提供至半导体材料的良好欧姆接触，并且在集成在半导体材料中的半导体器件的操作期间对在半导体材料中生成的热进行散热。取决于半导体器件的操作，热脉冲可能会发生，需要有效地对热脉冲进行散热。厚的金属化层的制造可能会带来问题，这是因为常用的沉积技术仅仅允许以低速率进行沉积，这就导致长的制造时间。由于金属与薄半导体材料的热膨胀系数不同的影响，厚金属化层也可能会导致机械应力。此外，需要将沉积的金属化层图案化，这包括附加的制造工艺。鉴于上述情况，需要进行改进。
技术实现思路
根据实施例，一种用于制造半导体器件的方法包括:提供具有第一侧、第二侧和各自用于接收和承载半导体芯片的多个插口的载体衬底，插口从载体衬底的第一侧延伸至载体衬底的第二侧；将各自具有第一侧和第二侧的半导体芯片放置在插口中，其中插口使半导体芯片的第一侧的和第二侧的至少部分暴露出来；将金属镀覆在插口中以在半导体芯片的第二侧形成与半导体芯片的第二侧接触的金属结构；以及切断载体衬底以形成单独的...
【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供载体衬底，所述载体衬底具有第一侧、第二侧和多个插口，其中每个插口用于接收和承载半导体芯片，所述插口从所述载体衬底的所述第一侧延伸至所述第二侧；将半导体芯片放置在所述插口中，所述半导体芯片中的每一个具有第一侧和第二侧，其中所述插口使所述半导体芯片的所述第一侧的至少部分和所述第二侧的至少部分暴露出来；在所述插口中电镀金属，以在所述半导体芯片的所述第二侧上形成与所述半导体芯片的所述第二侧接触的金属结构；以及切割通过所述载体衬底，以形成单独的半导体器件。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：C·冯克布林斯基，U·法斯特纳，A·布罗克迈尔，P·佐恩，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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