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本实用新型提供一种封装结构，所述封装结构包括：重新布线层，所述重新布线层包括第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述重新布线层包括介质层以及金属布线层；金属凸块，所述金属凸块形成于所述重新布线层第一面上；CMOS图像传感器芯片与逻辑芯片，所...
该专利属于中芯长电半导体（江阴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯长电半导体（江阴）有限公司授权不得商用。

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