半导体装置及制造其的方法制造方法及图纸

本案揭示一种半导体装置，其包含第一裸片、第二裸片、封装体、第一介电层及至少一个第一迹线。所述第一裸片包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，且包含经安置成毗邻于所述第一裸片的所述第一表面的至少一个第一垫。所述第二裸片包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，且包含经安置成毗邻于所述第二裸片的所述第一表面的至少一个第二垫。所述第一介电层经安置在所述第一裸片的所述第一表面的至少一部分及所述第二裸片的所述第一表面的至少一部分上。所述第一迹线经安置在所述第一介电层上，所述第一迹线将所述第一垫连接到所述第二垫，且所述第一迹线包括经安置成毗邻于所述第一垫的端部分及主体部分，且所述端部分以相对于所述主体部分的延伸方向的角度θ1延伸。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及制造其的方法
本案是涉及一种半导体装置及制造其的方法，且更特定地说，是涉及一种包含至少两个裸片的半导体装置及制造其的方法。
技术介绍
常规地，扇出晶片级封装结构含有多个裸片、围绕所述裸片的封装体及电连接所述裸片的重布线层，其中所述重布线层经布置在所述裸片及所述封装体上。然而，裸片到裸片连接可包含不同材料且可涉及异质接面结构，其可因不同材料的相应热膨胀系数的差异而导致严重翘曲问题或甚至迹线在所述迹线的翘曲部分处的断裂。因此，期望提供可解决上文提及的问题的半导体装置及用于制造其的方法。
技术实现思路
在一些实施例中，根据一态样，半导体装置包含第一裸片、第二裸片、第一介电层及至少一个第一迹线。第一裸片具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，且包含经安置成毗邻于所述第一裸片的所述第一表面的至少一个第一垫。所述第二裸片具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，且包含经安置成毗邻于所述第二裸片的所述第一表面的至少一个第二垫。所述半导体装置进一步包含经安置在所述第一介电层上且将所述第一垫连接到所述第二垫的第一迹线，所述第一迹线具有毗邻于所述第一垫的端部分及主体部分，其中所述端部分经安本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其包括：第一裸片，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一裸片包括经安置成毗邻于所述第一裸片的所述第一表面的至少一个第一垫；第二裸片，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第二裸片包括经安置成毗邻于所述第二裸片的所述第一表面的至少一个第二垫；第一介电层，其经安置在所述第一裸片的所述第一表面的至少一部分及所述第二裸片的所述第一表面的至少一部分上；及至少一个第一迹线，其经安置在所述第一介电层上且将所述第一垫连接到所述第二垫，所述第一迹线包括毗邻于所述第一垫的端部分及主体部分，其中所述端部分以相对于所述主体部分的延伸方向的角度θ1延伸。

【技术特征摘要】
2016.11.18 US 15/356,4001.一种半导体装置，其包括：第一裸片，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一裸片包括经安置成毗邻于所述第一裸片的所述第一表面的至少一个第一垫；第二裸片，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第二裸片包括经安置成毗邻于所述第二裸片的所述第一表面的至少一个第二垫；第一介电层，其经安置在所述第一裸片的所述第一表面的至少一部分及所述第二裸片的所述第一表面的至少一部分上；及至少一个第一迹线，其经安置在所述第一介电层上且将所述第一垫连接到所述第二垫，所述第一迹线包括毗邻于所述第一垫的端部分及主体部分，其中所述端部分以相对于所述主体部分的延伸方向的角度θ1延伸。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述角度θ1介于从15°到165°的范围内。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述端部分比所述主体部分宽。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一介电层界定暴露所述第一垫的至少一个开口及暴露所述第二垫的至少一个开口，且其中所述第一迹线的所述端部分从所述第一迹线的所述主体部分延伸到所述第一垫或所述第二垫。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一介电层界定暴露所述第一垫的至少一个开口及暴露所述第二垫的至少一个开口，且其中所述第一介电层延伸超过所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林员梃，王启宇，赖威宏，高金利，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71