半导体封装以及制造方法技术

一种半导体封装，包含有：一晶粒，包含至少一穿孔以及至少一热穿孔；一接地导线，直接形成于该晶粒的一背面下，该接地导线与该晶粒的该背面相接触，以及直接与该晶粒上的该至少一穿孔连接；一缓冲层，形成于该晶粒的一正面上，用来吸收施加于该晶粒上的一应力，以保护该晶粒；以及一模封部，形成于该缓冲层的一正面上，用来覆盖在该缓冲层的该正面上。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装以及制造方法
本专利技术系指一种半导体封装以及制造方法，尤指一种可防止晶粒受到损害，且小尺寸、低成本的半导体封装以及制造方法。
技术介绍
随着科技演进，无线通讯科技已成为人类日常生活中重要的一部份，各式的电子通讯装置(如智能型手机、穿戴式装置、平板计算机…等)皆利用无线射频前端模块以进行无线射频讯号的接收与发送。自从小尺寸成为电子通讯产品的需求考虑后，同样的，小尺寸也成为了无线射频的前端模块的设计要求，而近年来，晶圆级封装(WLP)技术因为小面积电子装置的制造而受到欢迎。图9为先前技术中以WLP技术制造无线射频的前端模块的示意图，依据WLP制程，当单晶微波集成电路(MMIC)的一晶圆MWF形成时，将一盖晶圆(CapWafer)CWF与晶圆MWF接合，其中晶圆MWF包含有多个晶粒DE，而盖晶圆CWF与晶圆MWF之间所形成的气腔AC可避免晶粒受到损害。此时于盖晶圆CWF接合于晶圆MWF上后进行切割制程，再将接合的晶圆(即晶圆MWF及盖晶圆CWF)分割为多个MMIC半导体封装PK，即可获得具有小面积的MMIC半导体封装PK的结果。然而，将盖晶圆CWF接合在晶圆MWF上成本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，包含有：一晶粒，包含至少一穿孔以及至少一热穿孔；一接地导线，直接形成于该晶粒的一背面下，该接地导线与该晶粒的该背面相接触，以及直接与该晶粒上的该至少一穿孔连接；一讯号导线，直接形成于该晶粒的该背面下，该讯号导线与该晶粒的该背面相接触，以及直接与该晶粒上的该至少一热穿孔连接；一缓冲层，形成于该晶粒的一正面上，用来吸收施加于该晶粒上的一应力，以保护该晶粒；以及一模封部，形成于该缓冲层的一正面上，用来覆盖在该缓冲层的该正面上；其中，该模封部不与该讯号导线或该接地导线相接触。

【技术特征摘要】
2016.10.19 US 15/298,2211.一种半导体封装，包含有：一晶粒，包含至少一穿孔以及至少一热穿孔；一接地导线，直接形成于该晶粒的一背面下，该接地导线与该晶粒的该背面相接触，以及直接与该晶粒上的该至少一穿孔连接；一讯号导线，直接形成于该晶粒的该背面下，该讯号导线与该晶粒的该背面相接触，以及直接与该晶粒上的该至少一热穿孔连接；一缓冲层，形成于该晶粒的一正面上，用来吸收施加于该晶粒上的一应力，以保护该晶粒；以及一模封部，形成于该缓冲层的一正面上，用来覆盖在该缓冲层的该正面上；其中，该模封部不与该讯号导线或该接地导线相接触。2.如权利要求1所述的半导体封装，其中，该缓冲层是选自由聚酰亚胺，聚二溴苯醚，苯并环丁烯及硅化氮所构成的群组的其中之一。3.如权利要求1所述的半导体封装，其中，在该接地导线与该讯号导线之间形成有一间隙。4.如权利要求3所述的半导体封装，其中，该间隙大于50微米。5.如权利要求3所述的半导体封装，该模封部不溢漏至讯号导线与接地导线之间的间隙。6.如权利要求1所述的半导体封装，该接地导线内的面积大于100*100平方微米。7.如权利要求1所述的半导体封装，其中，该接地导线的面积大于该晶粒的该背面的面积的50％。8.如权利要求1所述的半导体封装，其中，该接地导线的面积大于该讯号导线的面积。9.如权利要求1所述的半导体封...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱瑞杰，黄智文，赖宥丞，
申请(专利权)人：稳懋半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71