二次电池以及二次电池的制造方法技术

提供一种使用了负极的二次电池，能够在负极集电体上不设置凹凸的情况下改善循环特性，提高能量密度，并且提高二次电池的安全性。在二次电池中，负极活性物质层具有含硅的化合物。负极活性物质层具有与和负极集电体邻接的面相反侧的面向负极集电体侧凹陷的多个凹部，和形成于凹部两侧的凸部。负极集电体的两面具有没有凹凸的平坦的面。凹部的深度相对于负极活性物质层的厚度为10%以上且小于100%。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及二次电池以及二次电池的制造方法。

技术介绍

1、专利文献1中记载了一种在负极中具有含硅的化合物的二次电池。公开了一种在负极活性物质层以及负极集电体上设置凹凸，使负极活性物质层以及负极集电体的凹凸重叠的技术。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2016-85978号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的技术问题

2、然而，由于在负极集电体上也设置有凹凸，因此变得容易断裂，电子传导性有可能降低。

3、另外，由于负极集电体的凹凸是通过按压刀具的滚轧而形成的，因此凹凸的精度和规则性变得不充分，单位面积重量的控制变得困难，循环特性有可能变差。

4、此外，在集电体在凹部露出的情况下，在露出部位发生li金属的析出，循环特性有可能进一步变差。

5、本公开是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供一种提高了二次电池的能量密度和循环特性的二次电池。

6、用于解决技术问题的技术方案

7、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二次电池，具备正极、负极以及配置在所述正极与所述负极之间的隔膜，

2.根据权利要求1所述的二次电池，其中，

3.根据权利要求1或2所述的二次电池，其中，

4.一种二次电池的制造方法，所述二次电池具备正极、负极以及配置在所述正极与所述负极之间的隔膜，

5.根据权利要求4所述的二次电池的制造方法，其中，

6.根据权利要求4或5所述的二次电池的制造方法，其中，

7.根据权利要求4至6中任一项所述的二次电池的制造方法，其中，

8.根据权利要求4至7中任一项所述的二次电池的制造方法，其中，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种二次电池，具备正极、负极以及配置在所述正极与所述负极之间的隔膜，

2.根据权利要求1所述的二次电池，其中，

3.根据权利要求1或2所述的二次电池，其中，

4.一种二次电池的制造方法，所述二次电池具备正极、负极以及配置在所述正极与所述负极之间的隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：后藤和也，吉村谦太郎，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：