存储器及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种存储器及其制造方法，先形成接触隔离层，再形成存储节点接触，由此，接触隔离层能够很好的隔离相邻的存储节点接触，从而提高所形成的存储器的可靠性。进一步的，存储节点接触对应接触窗并偏移延伸至位线结构中，由此使得存储节点接触具有较大的截面宽度，从而使得存储节点接触具有较小的阻值，提高了存储节点接触的质量。同时，存储节点接触对应接触窗并偏移延伸至位线结构中，也使得后续形成的电容器具有更大的工艺窗口，降低了工艺难度。

Memory and its manufacturing methods

The invention provides a memory and its manufacturing method. First, the contact isolation layer is first formed, and then the storage node contacts are formed. Therefore, the contact isolation layer can well isolate the contact between the neighboring storage nodes, thereby improving the reliability of the formed memory. Further, the storage node contact corresponds to the contact window and extends to the bit line structure, which makes the storage node contact with a larger section width, so that the storage node contacts have smaller resistance and improves the quality of the storage node contact. At the same time, the contact between the storage node and the contact window extends to the bit line structure, which makes the subsequent capacitor has larger process window and reduces the difficulty of the process.

【技术实现步骤摘要】
存储器及其制造方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种存储器及其制造方法。
技术介绍
存储器中通常包括电容器及晶体管，其中，所述电容器用以存储数据，所述晶体管用以控制对所述电容器中存储的数据的存取。具体的，所述存储器的字线(wordline)电连接至所述晶体管的栅极，所述字线控制所述晶体管的开关；并且，所述晶体管的源极电连接至位线结构(bitline)，以形成电流传输通路；同时，所述晶体管的漏极电连接至所述电容器，以达到数据存储或输出的目的。其中，所述晶体管的漏极通常通过存储节点接触实现与所述电容器的电连接，存储节点接触的质量，例如存储节点接触的阻值，将极大的影响到所形成的存储器的质量。因此，如何形成高质量的存储节点接触，是本领域技术中一个非常重要的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种存储器及其制造方法，所述存储器的制造方法包括：提供一衬底，所述衬底中形成有多个有源区，所述衬底上形成有多根沿第一方向延伸的位线结构及多根沿第二方向延伸的隔离线，相邻所述位线结构和相邻所述隔离线围成多个接触窗，且所述有源区中的一个漏极对准一个所述接触窗；对准填充一第一存储节点接触结构于所述衬底上的所述接触窗中，且所述第一存储节点接触结构与所述漏极电连接；形成一接触隔离层于所述衬底上，所述接触隔离层覆盖所述第一存储节点接触结构、所述位线结构和所述隔离线；刻蚀所述接触隔离层中局部位于所述第一存储节点接触结构上方的部分以形成多个开口，所述开口贯穿所述接触隔离层以暴露出所述第一存储节点接触结构，且每一所述第一存储节点接触结构对应一个所述开口；及填充一第二存储节点接触结构于所述开口中，所述第二存储节点接触结构和所述第一存储节点接触结构电连接，以构成一存储节点接触。可选的，在所述的存储器的制造方法中，所述位线结构包括位线导体及覆盖所述位线导体的位线隔离层，所述开口的形成方法包括：刻蚀所述接触隔离层中位于所述第一存储节点接触结构上方的部分和位于所述位线结构上方的部分，以形成所述开口，所述开口对应所述第一存储节点接触并偏移延伸至所述位线结构中，使所述开口更具有迭合于所述位线结构的部分，以同时暴露出所述第一存储节点接触和所述位线结构中的所述位线隔离层。可选的，在所述的存储器的制造方法中，在所述开口的形成步骤中，还包括：在刻蚀所述接触隔离层以暴露出所述第一存储节点接触结构和所述位线结构之后，接着刻蚀所述第一存储节点接触结构和所述位线结构中的所述位线隔离层，以部分去除所述第一存储节点接触结构和所述位线隔离层，并刻蚀停止于所述第一存储节点接触结构中和所述位线隔离层中。可选的，在所述的存储器的制造方法中，所述第二存储节点接触结构在深度方向为部分埋嵌并部分往上突出方式连接于所述第一存储节点接触结构；在宽度方向为非中心对准于所述第一存储节点接触结构，且部分埋嵌并部分往侧面突出方式连接于所述第一存储节点接触结构。可选的，在所述的存储器的制造方法中，所述存储节点接触对应所述接触窗并偏移延伸至所述位线结构中，其中，所述存储节点接触的顶面与所述接触隔离层的顶面齐平或者低于所述接触隔离层的顶面，所述存储节点接触延伸至所述位线结构中的底面高于所述位线导体的顶面。可选的，在所述的存储器的制造方法中，所述衬底中还形成有多根沿所述第二方向延伸的字线，所述隔离线对准所述字线。可选的，在所述的存储器的制造方法中，形成所述第一存储节点接触结构的步骤包括：形成一第一连接材料层于所述衬底上，所述第一连接材料层覆盖所述接触窗、所述位线结构和所述隔离线；以选自研磨、刻蚀和两者组合其中之一的方式消耗所述第一连接材料层的厚度至露出所述位线结构和所述隔离线，以形成所述第一存储节点接触结构。可选的，在所述的存储器的制造方法中，所述第一存储节点接触结构为单层结构或者多层叠层结构，所述第一存储节点接触结构中每层的材料选自多晶硅和金属的其中之一。可选的，在所述的存储器的制造方法中，形成所述第二存储节点接触结构的步骤包括：形成一第二连接材料层于所述衬底上，所述第二连接材料层填充所述开口并覆盖所述接触隔离层；以研磨的方式消耗所述第二连接材料层的厚度至露出所述接触隔离层，以形成所述第二存储节点接触结构。可选的，在所述的存储器的制造方法中，所述第二存储节点接触结构的材料为金属。本专利技术还提供一种存储器，所述存储器包括：一衬底，所述衬底中形成有多个有源区，所述衬底上形成有多根沿第一方向延伸的位线结构及多根沿第二方向延伸的隔离线，相邻所述位线结构和相邻所述隔离线围成多个接触窗，且所述有源区中的一个漏极对准一个所述接触窗；一第一存储节点接触结构，填充在所述衬底上的所述接触窗中，并和所述漏极电连接；一接触隔离层，位于所述衬底上，并部分覆盖所述第一存储节点接触结构和所述位线结构，所述接触隔离层中未覆盖所述第一存储节点接触和所述位线结构的区域用于构成多个贯穿所述接触隔离层的开口，一个所述第一存储节点接触结构对应地局部暴露在一个所述开口中；及一第二存储节点接触结构，填充在所述开口中，所述第二存储节点接触结构和所述第一存储节点接触结构电连接，以构成一存储节点接触。可选的，在所述的存储器中，所述开口对应所述第一存储节点接触并层偏移延伸至所述位线结构中，使所述开口更具有迭合于所述位线结构的部分，以在所述开口中同时对应有所述第一存储节点接触结构和所述位线结构中的所述位线隔离层。可选的，在所述的存储器中，所述开口的底部延伸至所述第一存储节点接触结构中和所述位线结构的所述位线隔离层中。可选的，在所述的存储器中，所述第二存储节点接触结构在深度方向为部分埋嵌并部分往上突出方式连接于所述第一存储节点接触结构；在宽度方向为非中心对准于所述第一存储节点接触结构，且部分埋嵌并部分往侧面突出方式连接于所述第一存储节点接触结构。可选的，在所述的存储器中，所述存储节点接触对应所述接触窗并偏移延伸至所述位线结构中，其中，所述存储节点接触的顶面与所述接触隔离层的顶面齐平或者低于所述接触隔离层的顶面，所述存储节点接触延伸至所述位线结构中的底面高于所述位线导体的顶面。可选的，在所述的存储器中，所述衬底中还形成有多根沿所述第二方向延伸的字线，所述隔离线对准所述字线。在本专利技术提供的存储器及其制造方法中，先形成接触隔离层，再形成存储节点接触，由此，接触隔离层能够很好的隔离相邻的存储节点接触，从而提高所形成的存储器的可靠性。进一步的，存储节点接触对应接触窗并偏移延伸至位线结构中，由此使得存储节点接触具有较大的截面宽度，从而使得存储节点接触具有较小的阻值，提高了存储节点接触的质量。同时，存储节点接触对应接触窗并偏移延伸至位线结构中，也使得后续形成的电容器具有更大的工艺窗口，降低了工艺难度。附图说明图1是一种存储器制造方法的流程示意图；图2是一种存储器的俯视示意图；图3是图2所示的存储器沿AA’的衬底的剖面示意图；图4是在图3所示的衬底上形成连接材料层的剖面示意图；图5是对图4所示的结构执行图案化刻蚀工艺后的剖面示意图；图6是在图5所述的结构上形成接触隔离层后的剖面示意图；图7是本专利技术实施例的存储器制造方法的流程示意图；图8是本专利技术实施例的存储器的俯视示意图；图9是本专利技术实施例的衬底上未形成隔离线的俯视示意图；图10是本专利技术实施例的衬底上已形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器的制造方法，其特征在于，所述存储器的制造方法包括：提供一衬底，所述衬底中形成有多个有源区，所述衬底上形成有多根沿第一方向延伸的位线结构及多根沿第二方向延伸的隔离线，相邻所述位线结构和相邻所述隔离线围成多个接触窗，且所述有源区中的一个漏极对准一个所述接触窗；对准填充一第一存储节点接触结构于所述衬底上的所述接触窗中，且所述第一存储节点接触结构与所述漏极电连接；形成一接触隔离层于所述衬底上，所述接触隔离层覆盖所述第一存储节点接触结构、所述位线结构和所述隔离线；刻蚀所述接触隔离层中局部位于所述第一存储节点接触结构上方的部分以形成多个开口，所述开口贯穿所述接触隔离层以暴露出所述第一存储节点接触结构，且每一所述第一存储节点接触结构对应一个所述开口；及填充一第二存储节点接触结构于所述开口中，所述第二存储节点接触结构和所述第一存储节点接触结构电连接，以构成一存储节点接触。

【技术特征摘要】
1.一种存储器的制造方法，其特征在于，所述存储器的制造方法包括：提供一衬底，所述衬底中形成有多个有源区，所述衬底上形成有多根沿第一方向延伸的位线结构及多根沿第二方向延伸的隔离线，相邻所述位线结构和相邻所述隔离线围成多个接触窗，且所述有源区中的一个漏极对准一个所述接触窗；对准填充一第一存储节点接触结构于所述衬底上的所述接触窗中，且所述第一存储节点接触结构与所述漏极电连接；形成一接触隔离层于所述衬底上，所述接触隔离层覆盖所述第一存储节点接触结构、所述位线结构和所述隔离线；刻蚀所述接触隔离层中局部位于所述第一存储节点接触结构上方的部分以形成多个开口，所述开口贯穿所述接触隔离层以暴露出所述第一存储节点接触结构，且每一所述第一存储节点接触结构对应一个所述开口；及填充一第二存储节点接触结构于所述开口中，所述第二存储节点接触结构和所述第一存储节点接触结构电连接，以构成一存储节点接触。2.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述位线结构包括位线导体及覆盖所述位线导体的位线隔离层，所述开口的形成方法包括：刻蚀所述接触隔离层中位于所述第一存储节点接触结构上方的部分和位于所述位线结构上方的部分，以形成所述开口，所述开口对应所述第一存储节点接触并偏移延伸至所述位线结构中，使所述开口更具有迭合于所述位线结构的部分，以同时暴露出所述第一存储节点接触和所述位线结构中的所述位线隔离层。3.如权利要求2所述的存储器的制造方法，其特征在于，在所述开口的形成步骤中，还包括：在刻蚀所述接触隔离层以暴露出所述第一存储节点接触结构和所述位线结构之后，接着刻蚀所述第一存储节点接触结构和所述位线结构中的所述位线隔离层，以部分去除所述第一存储节点接触结构和所述位线隔离层，并刻蚀停止于所述第一存储节点接触结构中和所述位线隔离层中。4.如权利要求3所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述第二存储节点接触结构在深度方向为部分埋嵌并部分往上突出方式连接于所述第一存储节点接触结构；在宽度方向为非中心对准于所述第一存储节点接触结构，且部分埋嵌并部分往侧面突出方式连接于所述第一存储节点接触结构。5.如权利要求3所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述存储节点接触对应所述接触窗并偏移延伸至所述位线结构中，其中，所述存储节点接触的顶面与所述接触隔离层的顶面齐平或者低于所述接触隔离层的顶面，所述存储节点接触延伸至所述位线结构中的底面高于所述位线导体的顶面。6.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述衬底中还形成有多根沿所述第二方向延伸的字线，所述隔离线对准所述字线。7.如权利要求1～6中任一项所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成所述第一存储节点接触结构的步骤包括：形成一第一连接材料层于所述衬底上，所述第一连接材料层覆盖所述接触窗、所述位线结构和所述隔离线；以选自研磨、刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34