一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成轻掺杂源/漏极，形成所述轻掺杂源/漏极的方法包括：对所述栅极结构两侧的半导体衬底进行第一导电类型掺杂剂的第一离子注入，以及第二导电类型掺杂剂的第二离子注入，其中，所述第一离子注入为倾斜离子注入，所述第一离子注入的注入角度大于所述第二离子注入的注入角度，所述注入角度为掺杂剂的注入方向与垂直于所述半导体衬底的表面的平面的夹角。根据本发明专利技术的制造方法，可以降低栅诱导漏极泄漏电流，提高了击穿电压，增大了器件的饱和源‑漏电流，进而提高了器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制造方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件的制造方法。
技术介绍
现有的互补金属氧化物半导体(CMOS)等技术中，在形成N阱和P阱，并完成浅沟槽隔离和栅极结构的制作以后，需要进行源漏区的制造。随着栅极结构的宽度不断减小，其下方的沟道长度也不断减小，沟道长度的减小增加了源漏间电荷穿通的可能性，即出现不希望的漏电流，因此，需要采用一些工艺手段来降低漏电流出现的可能性，如轻掺杂漏极(LDD)注入。而目前为了满足3.3VNMOS更高的性能要求，需要在保持现有的击穿电压不变甚至更高的前提下，将饱和源-漏电流(Idsat)提升10％以上。因此，有必要提出一种新的半导体器件的制造方法，以进一步提升器件的性能来满足更高的性能要求。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。为了克服目前存在的问题，本专利技术一方面提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成轻掺杂源/漏极，形成所述轻掺杂源/漏极的方法包括：对所述栅极结构两侧的半导体衬底进行第一导电类型掺杂剂的第一离子注入，以及第二导电类型掺杂剂的第二离子注入，其中，所述第一离子注入为倾斜离子注入，所述第一离子注入的注入角度大于所述第二离子注入的注入角度，所述注入角度为掺杂剂的注入方向与垂直于所述半导体衬底的表面的平面的夹角。进一步，所述第一离子注入的注入角度范围为7～45度。进一步，所述第一导电类型掺杂剂为N型掺杂剂，所述第二导电类型掺杂剂为P型掺杂剂。进一步，所述N型掺杂剂为磷或砷中的一种或它们的组合。进一步，所述P型掺杂剂包括铟。进一步，所述第二离子注入的注入角度为0度。进一步，所述第一离子注入的注入能量大于所述第二离子注入的注入能量。进一步，在形成所述轻掺杂源/漏极之后，还包括在所述栅极结构的两侧壁上形成侧墙的步骤。进一步，在形成所述侧墙之后，还包括在栅极结构两侧的半导体衬底中形成源/漏极区域的步骤。进一步，在形成所述源/漏极区域之后还包括进行热退火以激活半导体衬底中的掺杂剂的步骤。根据本专利技术的制造方法，可以降低栅诱导漏极泄漏电流，提高了击穿电压，增大了器件的饱和源-漏电流，进而提高了器件的性能。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的原理。附图中：图1A-图1C示出了本专利技术的一实施例中的一种半导体器件的制造方法的相关步骤形成的结构的剖视图；图2示出了本专利技术的一个实施例的一种半导体器件的制造方法的示意性流程图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。这里参考作为本专利技术的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述专利技术的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本专利技术的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本专利技术的范围。为了彻底理解本专利技术，将在下列的描述中提出详细的步骤，以便阐释本专利技术提出的技术方案。本专利技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本专利技术还可以具有其他实施方式。实施例一为了进一步提高MOS器件的性能，本专利技术提供一种半导体器件的制造方法，如图2所示，其主要包括以下步骤：在步骤S201中，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在步骤S202中，在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成轻掺杂源/漏极，形成所述轻掺杂源/漏极的方法包括：对所述栅极结构两侧的半导体衬底进行第一导电类型掺杂剂的第一离子注入，以及第二导电类型掺杂剂的第二离子注入，其中，所述第一离子注入为倾斜离子注入，所述第一离子注入的注入角度大于所述第二离子注入的注入角度，所述注入角度为掺杂剂的注入方向与垂直于所述半导体衬底的表面的平面的夹角。根据本专利技术的制造方法，可以降低栅诱导漏极泄漏电流，提高了击穿电压，增大了器件的饱和源-漏电流(Idsat)，进而提高了器件的性能。下面，参考图1A至图1C对本专利技术的一具体实施方式中的半导体器件的制造方法做详细介绍，其中，图1A-图1C示出了本专利技术的一实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成轻掺杂源/漏极，形成所述轻掺杂源/漏极的方法包括：对所述栅极结构两侧的半导体衬底进行第一导电类型掺杂剂的第一离子注入，以及第二导电类型掺杂剂的第二离子注入，其中，所述第一离子注入为倾斜离子注入，所述第一离子注入的注入角度大于所述第二离子注入的注入角度，所述注入角度为掺杂剂的注入方向与垂直于所述半导体衬底的表面的平面的夹角。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成轻掺杂源/漏极，形成所述轻掺杂源/漏极的方法包括：对所述栅极结构两侧的半导体衬底进行第一导电类型掺杂剂的第一离子注入，以及第二导电类型掺杂剂的第二离子注入，其中，所述第一离子注入为倾斜离子注入，所述第一离子注入的注入角度大于所述第二离子注入的注入角度，所述注入角度为掺杂剂的注入方向与垂直于所述半导体衬底的表面的平面的夹角。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一离子注入的注入角度范围为7～45度。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一导电类型掺杂剂为N型掺杂剂，所述第二导电类型掺杂剂为P型掺杂剂。4.如权利要求3所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑大燮，马燕春，陈德艳，周川淼，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31