一种半导体器件的制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制作方法，该制作方法包括下述步骤：提供半导体晶圆，在所述半导体晶圆上沉积层间介电层，并在所述层间介电层中形成用于形成互连结构的沟槽；执行第一晶边处理工艺，以去除所述层间介电层位于晶边区域中的部分；填充所述沟槽形成互连结构。该制作方法可以克服由于晶边膜层不均引起的器件良率问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制作方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件的制作方法。
技术介绍
在半导体
中，在半导体器件的制造过程中，往往需要利用许多的多晶硅层、金属内连线层以及低介电材料层等材料来形成所需的半导体器件。然而，晶片上所沉积的膜层往往具有厚度不均的问题或是表面水平高度不一的问题。这种膜层厚度不均的问题在晶边(waferbevel)附近尤为明显，往往会导致晶边附近的晶片特别厚，这会造成半导体器件(尤其晶片边缘的die)的缺陷(defect)、击穿(arcing)以及应力过剩(excessivestress)等问题，最终影响所制造的半导体器件的良率。例如在半导体器件最上层的铝互连层光刻和刻蚀之后，发现铝失焦(defoucus)和桥接(bridge)问题，这些问题会导致芯片封装互作用问题并直接导致良率下降。出现这些问题的原因是半导体衬底的晶边铝互连层下方的多层金属内电介质层在晶边附近厚度不均，这导致超厚的第一钝化层和粗糙的晶边衬底之间粘附力较弱，在铝PVD(物理气相沉积)工艺中，晶边区域第一钝化层的氧化物薄膜不能继续存在，而剥落。如果剥落的氧化物垫埋入铝薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体晶圆，在所述半导体晶圆上沉积层间介电层，并在所述层间介电层中形成用于形成互连结构的沟槽；执行第一晶边处理工艺，以去除所述层间介电层位于晶边区域中的部分；填充所述沟槽形成互连结构。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体晶圆，在所述半导体晶圆上沉积层间介电层，并在所述层间介电层中形成用于形成互连结构的沟槽；执行第一晶边处理工艺，以去除所述层间介电层位于晶边区域中的部分；填充所述沟槽形成互连结构。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述第一晶边处理工艺之后，填充所述沟槽形成互连结构之前还包括对所述层间介电层进行湿法清洗的步骤。3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在对所述层间介电层进行湿法清洗之后，填充所述沟槽形成互连结构之前还包括在所述层间介电层的晶边区域形成覆盖层的步骤。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述层间介电层为顶部层间介电层，所述互连结构为顶部金属层。5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括下述步骤：在所述顶部金属层上形成钝化层，并在所述钝化层中形成用于填充导电材料的沟槽；执行第二晶边处理工艺，以去除所述钝化层位于晶边区域中的部分；在所述钝化层上形成填充所述沟槽并覆盖所述钝化层的导电材料层；图形化所述导电材料层形成焊盘以及引...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，张城龙，何其旸，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31