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本发明提供一种半导体器件的制作方法，该制作方法包括下述步骤：提供半导体晶圆，在所述半导体晶圆上沉积层间介电层，并在所述层间介电层中形成用于形成互连结构的沟槽；执行第一晶边处理工艺，以去除所述层间介电层位于晶边区域中的部分；填充所述沟槽形成互...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。