半导体器件制造技术

本公开涉及一种半导体器件，包括：至少一个金属化结构，以及封盖堆叠。封盖堆叠被提供在所述金属化结构上，其中所述堆叠包括镍层配对，所述镍层配对具有在它们之间的易延展材料的层。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
说明书涉及制造半导体器件。一个或多个实施例可以例如应用于减小例如汽车和消费产品的集成电路中的热-机械应力。
技术介绍
各种类型的集成电路(IC)可以采用诸如BCD(双极－CMOS－DMOS)技术的技术。BCD技术可以有利地用于例如制造具有功率电子器件和逻辑控制电子器件的集成电路。BCD技术提供了一系列硅工艺，每一个将三种不同工艺技术的力量结合至单个芯片上：双极用于精确的模拟功能，CMOS(互补金属氧化物半导体)用于数字设计，以及DMOS(双扩散金属氧化物半导体)用于功率和高电压元件。实施BCD技术可以包括顶层铜金属互连，其被称作再布线层(RDL)。这可以包括使用铜RDL模块作为最终金属。该模块可以包括由例如Ni和Pd层或层堆叠所覆盖的Cu线条/焊盘/功率金属化结构(例如10微米－10×10-6米－高)。同样，氮化硅(SiN)或碳化硅(SiC)可以用于制造IC以为微芯片提供钝化层，例如用于提供针对水分子和微电子器件中腐蚀和不稳定性的其他来源的阻挡层。考虑由金属性材料(Ni、Pd、Cu、Ti、W)的热-机械膨胀/收缩在钝化材料(例如Si硅化物)上感应形成的机械应力问题可以促进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括：－至少一个金属化结构(10)，以及－封盖堆叠(141、161、142、162)，被提供在所述金属化结构(10)上，其中所述堆叠包括镍层配对(141，142)，所述镍层配对(141，142)具有在它们之间的易延展材料(161)的层。

【技术特征摘要】
2016.06.13 EP 16425053.21.一种半导体器件，其特征在于，包括：－至少一个金属化结构(10)，以及－封盖堆叠(141、161、142、162)，被提供在所述金属化结构(10)上，其中所述堆叠包括镍层配对...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·莫尔格，F·希梅，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：意大利,IT