封装体及其形成方法技术

一种封装体的形成方法包括：形成覆盖芯片中的金属通孔的聚合物层；对所述芯片开槽，以形成沟槽，其中所述沟槽从所述聚合物层的顶表面延伸至所述芯片中；以及在所述芯片上执行晶粒切割，以将所述芯片分割为多个组件晶粒。切口穿过所述沟槽。将所述组件晶粒中的一者放置在载体上方。将包封材料施配在所述组件晶粒上方和周围。所述方法还包括按压和固化所述包封材料。在所述包封材料固化之后，所述聚合物层的侧壁倾斜。对所述包封材料执行平坦化至所述聚合物层和所述金属通孔暴露出来。将重分布线形成在所述金属通孔上方且电耦合至所述金属通孔。此外，还提出一种封装体。

Packaging body and forming method thereof

A method of forming a package includes: forming a polymer layer covering the metal chip through hole; the chip groove to form a groove, wherein the groove extending from the top surface of the polymer layer to the chip; and the implementation of the grain on the chip in the cutting. The chip is divided into multiple components of grain. The notch passes through the groove. One of the component grains is placed above the carrier. The encapsulating material is applied to the upper and the periphery of the component grain. The method also includes pressing and curing the encapsulating material. After the encapsulating material is cured, the sidewalls of the polymer layer are inclined. The encapsulating material is flattened to expose the polymer layer and the metal through hole. The redistribution line is formed above the metal through hole and electrically coupled to the metal through hole. In addition, a package is also presented.

【技术实现步骤摘要】
封装体及其形成方法
本专利技术实施例是有关于一种封装体及其形成方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，半导体芯片/晶粒(semiconductorchips/dies)愈来愈小。同时，需要将更多功能集成至半导体晶粒中。因此，半导体晶粒需要在较小区域中增加更多的I/O垫，且I/O垫的密度随时间而增加。因此，半导体晶粒的封装变得更困难，对于封装体的良率有不利的影响。常规封装技术可分割成两个类别。在第一类别中，芯片上的晶粒在被切割之前封装。此封装技术具有一些有利的特征，例如产率(throughput)较高以及成本较低。此外，所需要的底部填充物或模制化合物较少。然而，此封装技术也具有缺点。因为晶粒的尺寸变得愈来愈小，且相应封装体可仅为扇入型封装体，其中每一晶粒的I/O垫限于相应晶粒的表面正上方的区域。在晶粒的有限区域的情况下，I/O垫的数目因为I/O垫的间距的限制而受到限制。如果衬垫的间距减小，可能会发生焊桥(solderbridge)。另外，在固定球尺寸的要求下，焊球必须具有特定尺寸，这又限制了可以在晶粒的表面上封装的焊球的数目。在另一类别的封装中，晶粒在被封装之前从芯片切割下来。此封装体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装体的形成方法，其特征在于，包括：形成覆盖晶片中的金属通孔的第一聚合物层；对所述晶片上执行开槽，以形成沟槽，其中所述沟槽从所述第一聚合物层的顶表面延伸至所述晶片中；对所述晶片执行晶粒切割，以将所述晶片分割为多个组件晶粒，其中切口穿过所述沟槽；将所述多个组件晶粒中的一组件晶粒放置在载体上方，其中所述组件晶粒包括所述金属通孔和部分所述第一聚合物层；在所述组件晶粒上方和周围施配包封材料；按压和固化所述包封材料，其中在所述包封材料固化之後，所述第一聚合物层的第一侧壁以第一倾斜角倾斜；对所述包封材料执行平坦化，至所述第一聚合物层和所述金属通孔暴露出来；以及形成在所述金属通孔上方且电耦合至所述金属通...

【技术特征摘要】
2016.05.05 US 62/332,252;2016.09.01 US 15/254,4721.一种封装体的形成方法，其特征在于，包括：形成覆盖晶片中的金属通孔的第一聚合物层；对所述晶片上执行开槽，以形成沟槽，其中所述沟槽从所述第一聚合物层的顶表面延伸至所述晶片中；对所述晶片执行晶粒切割，以将所述晶片分割为多个组件晶粒，其中切口穿过所述沟槽；将所述多个组件晶粒中的一组件晶粒放置在载体上方，其中所述组件晶粒包括所述金属通孔和部分所述第一聚合物层；在所述组件晶粒上方和周围施配包封材料；按压和固化所述包封材料，其中在所述包封材料固化之後，所述第一聚合物层的第一侧壁以第一倾斜角倾斜；对所述包封材料执行平坦化，至所述第一聚合物层和所述金属通孔暴露出来；以及形成在所述金属通孔上方且电耦合至所述金属通孔的重分布线。2.根据权利要求1所述的封装体的形成方法，其中所述金属通孔延伸至位于所述第一聚合物层下方的第二聚合物层中，且其中在所述包封材料固化之后，所述第二聚合物层的第二侧壁倾斜且具有大于所述第一倾斜角的第二倾斜角。3.根据权利要求2所述的封装体的形成方法，其中所述第一倾斜角在约50度与约70度之间的范围内；所述第二倾斜角在约70度与约85度之间的范围内。4.根据权利要求1所述的封装体的形成方法，其中在所述第一聚合物层的横截面图中，所述第一侧壁为弯曲的。5.根据权利要求1所述的封装体的形成方法，其中所述开槽导致所述第一聚合物层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱铭彦，张兢夫，黄信杰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71