电子零件封装体的制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及一种W树脂密封半导体晶片等电子零件的封装体制造方法，尤其 是设及一种电磁性遮蔽封装体内的晶片的屏蔽（shield)用沟槽的形成方法、W及在 PoP(Packageon化ckage;堆迭）技术中用于电气连接上下的封装体的通孔用孔的形成方 法。
技术介绍
在水平方向（面方向）配置半导体晶片等电子零件并W树脂密封的封装体中，为 了防止相接近的零件产生干扰，而必须电磁性遮蔽（屏蔽）封装体内的零件。 关于在封装体内的进行电磁遮蔽的情形的一般的构成例，参照图1进行说明。另 夕F，在W下本说明书中所参照的各附图，为了简化说明而将各部的尺寸比例适当地变更，其 并非为正确地表示了实际制品的形状。图1中（a)是半导体封装体1的剖面图，图1中化） 是图1中（a)所示的半导体封装体1的上面图（俯视图）。图1中（a)是图1中化）的 A-A'线剖面图。在半导体封装体1的制造步骤中，首先，将半导体晶片20所具备的电极端 子21，通过凸块化ump) 22而与基板10上的配线11连接，对运类W由热硬化性的树脂材料 (例如环氧树脂（epoxy))构成的树脂层30进行密封。...
【技术保护点】
一种电子零件封装体的制造方法，是在密封已配设在基板上的电子零件及电极垫的密封树脂的表面上，形成到达该电极垫的沟槽或孔，其特征在于，包含：a)在该密封树脂的表面上的供形成该沟槽或孔的位置，通过模具成形而形成未到达该电极垫的预备沟槽或预备孔的第1步骤；以及b)通过使在该第1步骤中形成的预备沟槽或预备孔的深度增大的加工而使该电极垫露出的第2步骤。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：岡田博和，三浦宗男，
申请(专利权)人：东和株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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