SiC晶片的加工方法技术

提供SiC晶片的加工方法，能够减少磨削磨具的磨损量。一种SiC晶片的加工方法，包含如下工序：剥离面形成工序，对晶片照射对于SiC具有透过性的波长的激光光线从而在与器件区域对应的区域形成剥离面；器件形成工序，在第1面的器件区域形成由交叉的多条分割预定线划分的多个器件；以及环状槽形成工序，在对应于器件区域与外周剩余区域之间的边界部的部分从第2面侧形成环状槽；以及薄化工序，以剥离面为界面将位于环状槽的内侧的部分从晶片剥离，从而使器件区域薄化，并且形成环状加强部。

Processing method of SiC wafer

The processing method of SiC wafer is provided, which can reduce the wear of grinding tools. A method for processing SiC chip, includes following steps: a step of forming a stripping surface, the wafer is illuminated by laser light of the wavelength and in the corresponding areas and devices for the SiC device to form stripping surface; forming step, a predetermined plurality of devices by a plurality of lines formed on the first surface segmentation cross device region; and an annular groove formed in an annular groove forming process, corresponding to the area between the device and the peripheral residual region at the boundary of the part from the second side; and the thinning process, to strip surface is side interface will be located in the annular groove portion of the wafer from peeling, thereby the device area and the formation of thin. The strengthening ring.

【技术实现步骤摘要】
SiC晶片的加工方法
本专利技术涉及SiC晶片的加工方法，该SiC晶片具有第1面和与第1面相反的一侧的第2面，在第1面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域。
技术介绍
在以Si(硅)为原材料的Si晶片的正面上层叠功能层并通过分割预定线划分而形成有IC、LSI等器件。关于Si晶片，通过磨削装置对与形成有多个器件的器件区域对应的背面的区域进行磨削，该磨削装置具有能够旋转的磨削磨轮，在该磨削磨轮上呈环状地配置有磨削磨具。由此，将Si晶片的器件区域薄化至规定的厚度，并且在与围绕器件区域的外周剩余区域对应的背面的区域形成环状加强部。然后，通过切削装置或激光加工装置对分割预定线实施加工而将Si晶片分割成各个器件，分割得到的各器件被应用于移动电话或个人计算机等电子设备中(参照专利文献1。)。并且，在以SiC(碳化硅)为原材料的SiC晶片的正面上层叠功能层并通过分割预定线划分而形成有功率器件或LED等器件。也通过上述磨削装置对SiC晶片的与形成有器件的器件区域对应的背面的区域进行磨削。由此，将SiC晶片的器件区域薄化至规定的厚度，并且在与围绕器件区域的外周剩余区域对应的背面的区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SiC晶片的加工方法，该SiC晶片具有第1面和与该第1面相反的一侧的第2面，在该第1面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，该SiC晶片的加工方法具有如下的工序：剥离面形成工序，将聚光点定位在从该第1面侧观察深度相当于完工厚度的位置，一边使该SiC晶片与该聚光点相对地移动，一边从该第1面侧或该第2面侧对该SiC晶片照射对于SiC具有透过性的波长的激光光线，由此，在从该第1面侧观察深度相当于完工厚度的位置在与该器件区域对应的区域形成多个由改质层和裂纹构成的直线状的强度降低部，从而形成剥离面；器件形成工序，在实施了该剥离面形成工序之后，在该器件区域形成由交叉的多条...

【技术特征摘要】
2016.04.19 JP 2016-0835921.一种SiC晶片的加工方法，该SiC晶片具有第1面和与该第1面相反的一侧的第2面，在该第1面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，该SiC晶片的加工方法具有如下的工序：剥离面形成工序，将聚光点定位在从该第1面侧观察深度相当于完工厚度的位置，一边使该SiC晶片与该聚光点相对地移动，一边从该第1面侧或该第2面侧对该SiC晶片照射对于SiC具有透过性的波长的激光光线，由此，在从该第1面侧观察深度相当于完工厚度的位置在与该器件区域对应的区域形成多个由改质层和裂纹构成的直线状的强度降低部，从而形成剥离面；器件形成工序，在实施了该剥离面形成工序之后，在该器件区域形成由交叉的多条分割预定线划分的多个器件；环状槽形成工序，在实施了该器件形成工序之后，在该第1面侧留出相当于完工厚度的厚度，在对应于该器件区域与该外周剩余区域之间的边界部的部分从该...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木克彦，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP