制造半导体装置的方法制造方法及图纸
Method for manufacturing semiconductor device
Includes a method of manufacturing a semiconductor device: receiving a semiconductor structure having sealing ring and sealing ring around the area of the cutting area area defined by the wafer area around the wafer area of the semiconductor wafer, semiconductor wafer structure contained in the region; and a molding compound set around the semiconductor chip and the distribution on the wafer area, sealing ring area and cutting area; to form a seal ring region and semiconductor wafer area structure of the insulation film on the semiconductor structure; forming sealing ring sealing ring in the area of semiconductor structures and laterally adjacent insulating film, wherein the sealing ring has a side surface of the insulating film back; and forming a protective layer, which defines a sealing ring at the exposed above the surface side of the generally smooth inclined side surface.
【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法
本揭露实施例是有关于一种制造半导体装置的方法。
技术介绍
半导体装置通常是通过放置多个集成电路(integratedcircuits,ICs)于如硅的半导体晶圆上方的矩阵图案内而制得，而各集成电路由多个元件形成，且具有特定功能。放置在晶圆基板上的多个晶片透过呈现栅格图案的切割区域(切割线)彼此隔开。在透过半导体制程形成多个晶片于单个基板上方之后，透过沿着切割区域将基板切割成个别的晶片，以将基板分离成个别的半导体装置。
技术实现思路
根据一些实施例，一种制造半导体装置的方法，包含：接收半导体结构，其具有晶片区域、围绕晶片区域的密封环区域及围绕密封环区域定义的切割区域，半导体结构包含于晶片区域内的半导体晶片；以及模塑化合物设置围绕半导体晶片且分布于晶片区域、密封环区域及切割区域内；形成绝缘膜于半导体结构的晶片区域及半导体结构的密封环区域上；形成密封环于半导体结构的密封环区域上且侧向邻接绝缘膜，其中密封环具有露出侧表面背对绝缘膜；以及形成保护层，其定义出位于密封环的露出侧表面上方的大致平滑斜侧表面。附图说明为让本揭露的上述和其他目的、特征、优点与实施例...
【技术保护点】
一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：接收一半导体结构，该半导体结构具有一晶片区域、围绕该晶片区域的一密封环区域及围绕该密封环区域定义的一切割区域，该半导体结构包含：一半导体晶片，位于该晶片区域内；以及一模塑化合物，设置围绕该半导体晶片且分布于该晶片区域、该密封环区域及该切割区域内；形成一绝缘膜于该半导体结构的该晶片区域及该半导体结构的该密封环区域上；形成一密封环于该半导体结构的该密封环区域上且侧向邻接该绝缘膜，其中该密封环具有一露出侧表面背对该绝缘膜；以及形成一保护层，其定义出位于该密封环的该露出侧表面上方的一大致平滑斜侧表面。
【技术特征摘要】
2016.04.28 US 62/329,125;2016.10.08 US 15/289,1731.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：接收一半导体结构，该半导体结构具有一晶片区域、围绕该晶片区域的一密封环区域及围绕该密封环区域定义的一切割区域，该半导体结构包含...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘子正，蓝若琳，胡毓祥，郭宏瑞，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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